卫星柔性热控材料性能及其稳定性研究.pdf
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1、中 国 空 间 科 学 技 术 第6 期 CH I N ESE SPACE SCI EN CE A ND FECH N()I ()G Y 卫星柔性热控 材料性 能及其稳定性研究 卢榆 孙 范本 尧 一 冯 煜 东 翟 厚 明 王 艺(兰州 物理 研究 所 兰州 7 3 0 0 0 0)(一 中国字 问技 术研 究 院 北 京 1 0()0 8 1)摘 要 阐述 热 控 材料 的性 能 以及 它在 空 间 模拟 环 境 下 的 稳 定 性。测 试 表 明所 镀 制 的 产 品其 光、热、电性 能很 好,且 在 模 拟 空 间环 境 下 如 电子 辐 照、紫 外辐 照、原 子 氧 作 用 以及 湿
2、 热环 境 下 其 稳 定 性 能 优 良。AF M 分 析 表 明 镀 膜 方 法 和 工 艺 对 制 备 高 质 量 T0 膜 和 高反 射 A1 膜 十 分 重要。主题 词 柔 性 材 料 温 控 涂 层 镀 膜 稳 定性 试 验 1 引言 为 了 卫 星 安 全 工 作,使 用 热 控 材 料 是 十 分 重 要 的。热 控 材 料 在 空 间 环 境 下性 能 的 稳 定 性 关系到卫星高可靠和长寿命。在 中国,在 Ka p t o n基底上进 行 导电型和非 导电型热 控 材 料 的 研 究 开 始 于 5年 前,氧化 锡 薄 膜 被 选 作 产 品 的 导 电 材 料。经 过 一
3、 系 列 在 不 同 模 拟 空 间 环境 下 的 稳 定 性 试 验,表 明所 镀 制 的热 控 材 料 是 十 分好 的。特 别 是 在 电子 辐 照、紫 外 辐 照、原 子 氧 作 用 以及 湿 热 环 境 下 的稳 定 性 十 分优 良。本 文将 介 绍 导 电 型 及 非 导 电型 热 控 材 料 的 性 能,同时 对 在 模 拟 空 间 环境 下 光 学 性 能、热 学 性 能、导 电性 能 及 其 稳 定 性 进 行 讨 论。2 产 品制备 对于卫星长 寿命、高可靠而言,热控材料不仅应该具有达到要求 的太 阳吸收率 和发射 率,而且应具有 高的稳定 性。稳定性的含义包括两个方面:
4、一是在贮存环境,尤其在某些 特殊环境条件 如高热 高湿 地域中存放期间应有 良好 的稳定性;二是指卫星在空 间环境 中运 行时。热控材料 在经受严 酷空间环境作用下。仍保持着 良好 的光、热、电等性 能。柔 性 Ka p t o n基 底 热 控 材 料 可 分 为 导 电 型 与 非 导 电 型。非 导 电 型 热 控 材 料 是 在 基 底 材 料一侧镀制 高反射铝膜,而导电型热控材料则需在朝 向太空 的另一侧加镀 一层 高透 明的氧 化 锡 薄 膜。(见 图 1)。由于直 流磁 控溅射 具有 低温成 膜 以及高 的溅射 能量 的特点 能够 制备 出高 质量 的薄 膜。所 以选 择 这 一
5、方 法 制 备。为 此 目的,专 门研 制 了一 台 可 镀 制 大 面 积 柔 性 基 底 薄 膜 的镀 膜 设 备。其 本 底 真 空 及 工 收稿 日期:2 0 0 2 0 8 0 9 维普资讯 http:/ 中 国 空 间 科 学 技 术 2 0 0 2年 1 2月 Ka p t o n Ka p r o n (b)非导 电型 AI 图 1 导 电 型与 非导 电型柔 性热 控 材料 作 真 空 分 别 是 1 O 和 1 O。P a。工 作 气 体 为Ar 和O。,纯 度 均 是 9 9 9 9 。抽 气 机 组 由 机 械 泵 和 低 温 泵 组成。Ka p t o n 基 底 厚
6、 度 2 5 p m,宽 度5 0 0 mm,长 度 从 6 0 0 0 mm 到 1 2 0 0 0 mm 可 任 选。平 面 磁 控 溅 射 靶 的 尺 寸 为 5 6 0 mm(长)6 0 mm(宽),由 于 宽 长 比达 1:9,所 以通 常 的宽 靶 结 构 中的磁场设计不适 用 于此结构,因 测射材料 图 2 靶结 构 为它存在 明显 的横 向漏磁,大 大削弱了靶面的磁感 应强度。为 了保证靶 面的磁感应 强度不 低 于 3 0 0高 斯(O 3 T),采 用 了新 型 非 平 衡 磁 场 结 构 设 计,见 图 2。3 光、电性 能 利用紫外一可 见光一红外 分光光度计对材料从
7、0 3 p m2 5 p m 波长范 围内的透射率 r 和反射率 R 进行 测量。表面电阻 R口用面 电阻测试仪测试。太 阳吸收率 a 用美 国 S S R E R 装 置 测 量。材料 发 射 率 e 用 美 国造 RD-1 装 置 测 量。通 过反应直流磁控溅射镀制 的氧化锡薄膜具有特殊 的光 学性 能,比如在可见光区和近 红外 区具 有高的透明度。样品 的特 征光谱 表 明在 0 4 m2 r f l 范 围 内,氧 化锡 透射 率在 0 9 5以 上。大面积氧化锡导电膜具有非常好 的电学性能,其表面 电阻可 以通过调节 Ar 和 的分 压强进行控制,根据不同需要可 以将表面电阻控制在
8、1 1 0 Q 口1 1 0 。Q 口范围内。4试 验 与讨 论 有 关 此 材 料 的 试 验 包 括 紫 外 辐 照、电子 辐 照、质 子 辐 照、原 子 氧 作 用、热 循 环、湿 热 试 验 以 及模 拟 地 球 轨 道 亚 暴 环 境 下 的充 放 电试 验 等。(1)紫外 辐 照 将 5个 样品放 置在 具 有紫外 光源 的高 真空 环境 中。这些 样 品分别 是:Ka p t o n基 底、A I+Kap t on、Ka pt on+TO、Al+Ka pt on+T()、Al+Ka pt o n+I TO。模 拟 装 置 参 数 如 下:维普资讯 http:/ 2 0 0 2年
9、1 2月 中 国 空 间 科 学 技 术 工作压力低于 5 1 0 P a,光源 的波 长 范 围 2 0 0 n m 到 4 0 0 n m,辐 照 强 度 在 2 5倍 太 阳 常 数 中 任 选,通 常 取 3倍 太 阳 常 数,以 避 免 样 品 的 热 效 应,总 辐 照 时 间(当量 太 阳小 时)达 8 2 o o h。在 直 径 为 1 2 0 mm 的 面 积 内 均 匀 性 优 于 7 O 。试 验 结 果 如 图 3所 示,可 以 发 现 在可 见 光 区 Ka p t o n+T O 样 品 经 过 紫 外辐 照 后 透 过 率 只 有 很 小 的 变 化。而 未镀 T
10、O膜 的 K a p t o n材料经过紫外辐 照后 透 过 率 有 明 显 的 减 小。这 一 试 验 表 明镀 制 了 T O 薄 膜 能 够 有 效 的保 护 基底 避 免 紫 外 辐 照 的 影 响。图 4表 明 具有 T O 薄 膜 的 热 控 材 料 太 阳 吸 收 率 的变 化 小 于 I T O 薄 膜 的样 品。这 表 波长 n m 图 3 Ka p t o n基底 及 Ka p t o n+TO紫 外辐 照 前后 透 过率 曲线 对 比 明镀制 有 T O 薄 膜 的材 料其 紫外 稳 定性 性 能 优 于用 蒸 发方 法 镀制 的 I TO薄 膜 材 料。(2)电 子 和
11、 质 子 辐 照 对 导 电 型 热 控 材 料 和 非 导 电 型 热 控 材 料 进 行 了 电 子 与 质 子 辐 照。电 子 辐 照 能 量 2 2 0 k e V,剂 量 为 5 7 1 0 c m;质 子 辐 照能 量 1 4 0 k e V,剂 量 为 l _ 5 1 0 c m。试 验 表 0 4 2 哥 0 4 0 0 3 8 0 3 6 嬖 4 0 3 2 0 3 0 a p t o n Al-m-I T O K a p t o n Al 相同太阳时 图 4 TO Ka pt o n Al 和 I TO Ka p t o n Al 经过 紫外 辐 照后太 阳吸收 率 a 变
12、化 明经 过 质 子 辐 照 后,镀 有 TO 膜 和 I TO 膜 材 料 性 能 变 化 很 小,而 且 二 者 是 一 致 的(如 表 1)。经 过 电子 辐 照。I T O 薄 膜 的 方 阻 值 变 化 非 常 大(如 表 2)。图 5是镀 有 TO 薄 膜 的热 控 材 料 以 及镀 有 I T0 薄 膜 的 热 控 材 料 在 电 子 辐 照 前 后的 AF M 形 貌 分析。电子 辐 照前,T O 薄 膜 和 I TO 薄 膜 都 是 多 晶 组 织(晶粒 尺 寸 约 4 O 5 0 n m)。经 过 辐 照 后。TO 薄 膜 的 晶 粒 尺 寸 并 没 有 发 生 变 化,而
13、 I T()薄 膜 的 晶 粒 被 粉 碎,变 得 很 小,约 1 O 2 0 n m 左 右,因此 增 加 了 电 子 在 材 料 表 面 移 动 的 阻 力,样 品 面 电 阻 R n变 得非常大,比电子辐 照前 的 R口大了 7个半数量级,而 TO膜 的 R口仅增大 了不到 4倍。表 1 质 子 辐 照后膜 材料 性能 变化 样 品 I TO Ka p t o n Al TO Ka p t o n Al TO Ka p t o n A1 试 验 前 a O 3 3 2 O 3 4 3 O 3 4 3 试 验 后 a O 4 1 1 O 4 2 5 O 3 8 5 a O O79 008
14、2 0 042?2 4 2 4 1 2 试 验 前 1 2 1 k t 2 口 7 0 1 k t 2,口 7 6 7 k D,口 试 验 后 2 5 k n口 1 9 2 k f z 口 6 4 k D,口 维普资讯 http:/ 中 国 空 间 科 学 技 术 表 2 电子辐 照后 膜材 料性 能 变化 样 品 口 口 R k n I T0 辐 照 前 0 3 3 0 6 2 5 1 5 Ka p t o n A1 辐 照 后 0 3 7 9 1 2 1 0 “T0 辐 照 前 0 3 4 2 7 6 6 1 5 Ka p t o n Al 辐 照 后 0 3 9 4 3 2 O (3)充
15、 放 电试 验 我 们 对 导 电 型 和 非 导 电 型 热 控 材 料 进 行 了模 拟 亚 暴 环 境 下 的 充 放 电 性 能 试 验。电 子 能 量 为 3 0 k e V,工 作 压 强 小 于 1 0 P a。结 果 表 明 TO 薄 膜 可 以 有 效 的 降 低 材 料 表 面 的充 电 电势。表 3表 明,具 有 TO 薄膜 的 样 品在 充 貌(b)(c)I T O薄膜辐照前形貌(d)I TO 薄膜辐照后形貌 图 5 T 0 和 I T O 薄膜 辐照前 后 表面 形貌 电状 态下表面充电电压低于 l O O V,当 电子 束关 闭后。其 电位 马上 变为 0。在试 验
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- 卫星 柔性 材料 性能 及其 稳定性 研究
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