炭黑填充聚合物基PTC材料的研究进展.pdf
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1、专论 综述 弹 性 体,20 04 0 2 25,14(1):5 1 5 6 C l1lN A E L A S T O M E R lC S 炭黑填充聚合物基 P T C材料的研究进展 林海 平。,赵 文元。,陈滇 宝 (1 青 岛大学 化学化工学院,山东 青岛 2 6 6 0 7 1;2 青 岛科技大学 高分子科学与工程学院,山东 青 岛 2 6 6 0 4 2)摘要:对炭黑填充聚合物基 P T C材料进行 了较为全 面的论述,介 绍 了此类材料 的导 电机理,总结 了影响其 P T C效应的主要 因素 并对该材料的应 用和发展方 向进行 了详细的讨论。关键词:下温度 系数;聚合物基 P T
2、 C材料;导 电填料;炭黑 中图分类号:O 6 3 l 文献标识码:A 文章 编号:1 0 0 5 3 l 7 4(2 0 0 4)O l 一 0 0 5 l O 6 P T C材 料是 一种具有 正 温度 系数(P o s i t i v e T e mp e r a t u r e C o e f f i c i e n t)的 电 阻 材 料。在 一 定 转 变温度下,这种材料能在很窄的温度范围内使其 电阻迅速增加好 几个数量级,发生(半)导体 绝缘 体的相互转变,利用其电阻对温度的依赖性 可 用于制备 自限温加热器、过电流保护元件 以及热 敏传感器等。目前,国内外使用的 P T C材料
3、主要 分 为两 大类:一 类 是 以 B a T i O 3,V O 3为主 的 陶 瓷 类 P T C材料,另一类是有机高分子聚合物与导电 材料组成的有机复合 P T C材料L 2 J。尽管 陶瓷类 P T C材料用途十分广泛,但其性脆,生产工 艺复 杂,加工成 型困难,制造 成本 高,故 价格较 贵 J。而聚合 物基 P T C材 料 原 料 易 得,价 格 便 宜,加 工 成型简单,室温电阻率低,同时又具有高分子材料 的许多优异性能,因而 日益受到人们 的重视。除 在化工、石油管道、阀门等方面广泛应用的降凝 防 堵加热带及 自控温加热 电缆外,还可以成型制备 各类小型电子元 器件用 于电
4、子 电路 限流保护、时 间延迟、温度传感等,在电子信息领域拥有广阔的 发 展前 景。聚合物基 P T C材料按其填充粒子的不同可 分 为聚 合 物一 碳 素 系(导 电 炭 黑、石 墨、碳 纤 维)P T C材料和聚合物一 金属系(金属及其导电化 合 物)P T C材料。据研究报道 ,单独 以金属 系分 散体来填充聚合物形成聚合物基 P T C材 料时所 收稿 日期:2 0 0 3 0 7 2 2 作者 简介:林海 平(1 9 8 0一),男,山东青 岛人,现在英 国利 物南谱大学 化学 专业 在 读硕 士研 究 生,主要 研 究功 能新 材 料。*通讯联 系人,电话:0 5 3 2 4 0
5、2 2 9 2 6。需 添加 的金 属 填 充量 很 大,不仅 成 本 较 高 而 且 对 复合材 料 的力 学性 能 影 响较 大,不 利 于复 合 材 料 的加工和制作。相比之下,聚合物一碳素系 P T C 材料 在宽 广 范 围 内力 学 性 能 可 调,P T C强 度 大,易加工、成本 低,故 发展极 为迅 速L 4 J。而在碳 系 填料中,由于石墨的晶体结构 由六方形面层分子 组成,面层 间间距较大,仅存在微弱的范德华力,每个 层面 内 电子 可 以 自由移 动,而 面 层 间 电子 移 动 困难,所 以 石 墨导 电 具 有 明 显 的 方 向 性;而 炭黑 分散 性、导 电性俱
6、 佳,同时 又是一 种 耐热性 抗 氧剂 和 光 屏 蔽 性,对 防 止 聚 合 物 老 化 有 利L 7 J,因此受 到广 泛 的重视。聚合物 一 炭黑 P T C复 合 材 料 以 聚合 物 树 脂 为母体,导 电性 的炭 黑 粒子分 散 于其 中,当炭黑 粒 子浓度超过某一临界值时,形成导电网络,材料的 电阻率迅速下降,使其在室温下具有一定 的导 电 性。当温度升高到一定程度,如接近聚合物 晶体 熔点时,材料电阻率急剧升高,可增大 5 一l 0个数 量级,成高阻状 态,呈现 P T C效应。其最高电阻 率和室温 电 阻率 的 比值 p p 2 5 称为 P T C强 度。1 炭黑填 充
7、聚合 物 P T C 复合材 料 的导 电 机 理 关 于炭 黑 填 充 聚 合 P T C材 料 的 特 性 机 理 人 们进行 了大量研究,提出了许多机理和理论模型。但至今还没有一种明确、统一 的理论能够得到非 常广泛的认可,这里介绍几种 比较有影响的理论 模 型:维普资讯 http:/ 5 2 1 4 爸 l 9 6 6年 K o h l e r 提 出,P 3、C效 应 的产 生是 由 导电填 料 和聚合 物 基体 的热 膨胀 系数 的差 别 引起 的:导 电 炭黑 粒子 分散 于 聚合物 中相 互接 触形 成 导 电链,随 温 度 的 升高,聚合 物 基 体体 积膨 胀,导 电粒 问
8、距离逐渐增大,当达到聚合物 晶相的熔 点时,聚合 物 体 积 突然 增 大,导 电 链破 裂,材料 呈 现 高阻状 态,出现 P T C现 象。但 是 该模 型不 能 解 释下 列现 象 j:(1)将 试 样 拉 伸 使 其 尺 寸 变 化 与 熔 融 时 相 一 致,复 合 材 料 的 电 阻 只 有 微 小 变 化;(2)在无 定形 聚 合 物 中,温 度 升 高 时,电 阻却 没 有 增加;(3)按 照该 模 型,电 阻 的变 化 应 直 接 是熔 点 时 体积 变 化 的函数,但实 验得 不到 这种 关 系。Oh e l】0 J 认 为分 散 的 炭黑 粒 子 并 不 互 相接 触,而
9、是彼 此靠 近,材 料 的 导 电性 主要 取 决 于 导 电 粒 子 间 的隧 道效 应。低温 时,炭 黑粒 子均 匀 分散,粒 子 间距 很小,能 够 产 生 显 著 的 隧道 效 应 从 而 表 现 出导 电性。高 温时,由于基 体的 热膨胀,使粒子 的 分布 变得 不均 匀,尽管 平均距 离 变化不 大,但 相 当 部分 的粒 子间 距 离增 大 到无 法 产 生 隧 道 效 应,电 阻增大。若 温度 达到聚合物 晶体熔点后 继续升 温,复合材料的电阻率会随温度的升高而下降,即 出现 N TC(负温度系数)效应。这种现象被认 为 是 由于聚 合物 晶体 熔 融 后 流动 性 增 大,剪
10、 切力 减 小,原本 分 散 的炭黑 粒子 发生迁 移,重新 形成 导 电 通路,使电阻率下降J。1 9 9 3年,H M A l l a k I 1 2 j 研究 了聚 合 物一 炭黑 复合 材料 的伏 安 特 性,实验 表 明在 室 温 和 熔 点 以 上,电压和 电 流都呈 线性 关 系,显示 出 良好 的 欧姆 特性,据此,他认为该复合体系的电导不是隧道电 导。根据欧姆导电模 型,由于聚合物 晶相 中分子 链的有序程度高,且导电炭黑粒子尺寸 和高分子 晶胞 尺寸 相差 很大,难 以匹 配,故 大部 分 炭黑 粒子 被 排斥 到 非 晶 相 中,形 成 导 电通 路。当温 度 升 高 接
11、近熔点时,晶相开始向非晶相转变,聚合物体积 发生 膨胀,新 形成 的非 晶相(不 含或 只含 有极 少量 炭黑)之间间隙大大减小,将原有 的导 电链阻断,材料电导率增大,呈现 P T C效应。继续升温至熔 点 以上,聚合 物 流 动性 增 大,炭 黑 运 动 变 得 容 易。由于熔 融 态 聚合 物 和 炭 黑 粒子 之 间润 湿 性 差,而 炭黑粒 子 间 又有 较 强 的 附 聚 力,所 以 被 聚 合 物 的 体积膨胀隔开的炭黑粒子发生附聚,形成新的导 电链,使材料导电率下降,呈现 NT C效应 1 3 3。K l a s o n和 K u b a t 于 l 9 7 8年提 出 炭粒
12、聚集 态 结 构 变化 硬迁 f j;型。起 初,炭 黑 粒 0 丁受 晶 相排 斥而 分 散 征 相 中,形 成导 电通 路 熔 点 时,品桕 向非 品卞 H 转 变,破 坏 了炭黑 粒子 有 的聚 集 结 沟,炭黑 粒子 形成 更 加均 匀 的分散,使 电阻增 大,呈 现 P T C效 应。继 续 升 温,炭 黑 粒子 运 动加 剧,形 成 极 不 均 匀 的 分布,构成 新 的 导 电通 路,电 阻 降低,呈 现 NT C效应 B e c k、Na r k i s等 提 H j L场 发 射 理 论,他 们 认 为,在 复合 体 系 中,被 基体 聚合 物 所分离 开 的导 电 粒子 受
13、通 电电 流 作 用 而 产 生 高 强 度电 场,并 进 一 步 产生发 射 电流 而导 电。在填 充 炭黑量 大 的情况 下,体系表现为欧姆特性;在填充炭黑量小的情况 下,体系 强烈 地偏 离欧 姆 规律 一 。2影 响炭 黑填 充聚合物 P T C效应的 因素 2 1 炭 黑粒 子 的影 响 炭黑 粒 子 的 填 充量 对 聚 合物 基 P T C材 料 的 电阻及 其 P T C效 应 均有 很 大 影 响。大 量 实 验 表 明:对于 P T C复合材料,无论采用何种聚合物或 导电填料,复合导电体 系都会出现“渗滤阀值”现 象,即随着导电填料浓度逐渐增加,电导率先是缓 慢 增 大,达
14、 到某 一 临 界 浓 度“阀值”后 随浓 度 增 加 电导 率急剧 增 大(十个 数量 级 以上)l】,此 后再 加 入填料体系电导率趋于不变。最大的 P T C强度 发生在填料的渗滤阀值附近。这可 以解释为:低填 料浓 度 时,炭黑粒 子 间距 离较 大,不 能有 效形 成导电网络,电阻太高;随着浓度增加,粒子间距 离 逐 渐缩小,在 临 界浓度 时,炭黑 的填 充量 保证 了 导电网络的形成,若继续增加炭黑含量,粒子之间 进一 步 接近,当 温 度 升 高 时 导 电粒 子 间 距 离 拉 不 开,电阻变 化不 够 显著,P T C强度 太小 。所 以,要获得良好 的 P T C强度,必
15、须控制合适的炭黑浓 度。实验表 明,粒 度 较 小、空 隙 较 多 的 高 结 构 炭 黑,粒子间相互 作用较强,比较容易形成导 电通 路,但当聚合物体积膨胀时,粒子间距离不容易被 拉大,因此 P T C强度 较小;相 反,粒子 问相 互 作用 较 弱 的 低 结 构 炭 黑,可 以 产 生 较 大 的 P T C 强 度 。最后 是 炭黑 粒子 的表 面化学结 构 的影 响:粒 子 表 面 的氧 化性 集 团 如 羟基、羰 基、羧 基 等,能 够 捕捉 电子,对 自由电子的迁移有很大阻碍作用 使 颗 粒 间 接 触 电 阻 变 大 从 而 降 低 材 料 的 导 电 维普资讯 http:/
16、第 1 期 杨海平,等 炭黑填 充聚合物基 P T C材料的发展研究进展 5 3 性l J。2 2聚合物 基体 的 影 响 通过 以 往 的 研 究 J,以结 晶 性 聚 合 物(如 P E、P P、E VA等)为 基 体 的复 合 材料 有 较 好 的 P T C强度,而且结晶度越高,导电率越好,P TC强 度 越大;而 以非 晶聚 合 物(如 P S、P MMA 等)为 基 体的复合材料 P T C强度较小。我们知道,复合体 系 中,导 电 炭黑 优先 聚集 在 聚合 物的非 晶部 分,结 晶度大时,相 同量的炭黑使非晶部 分获得相对大 的导电填料量,表现 出较好 的导 电率。当温度升 高
17、达到熔点时,结晶度高的聚合物熔融时发生的 体积变化大,显示 出更好的 P T C特性。同时,聚 合物基 本 的类 型也 决定 了聚合 物与 炭黑 粒子 间的 相互作用力,进而影 响复合材料的 P T C效应。如 果聚合物分子和炭黑粒子之间有较强的化学吸附 作用,熔点时,炭黑聚集体不容易在聚合物熔融过 程中发生附聚,使该复合材料具有较稳定的 P T C 特性。反之,材料的 P T C效应稳定性差u 。2 3加 工 工艺的 影 响 聚合物基 P T C材料的加工工艺 主要分为制 备工艺(混炼、成型等)和材料后处理(热处理、交 联等)。二者都会对 P T C材料的性能有重要 的影 响。因此,在 聚
18、合 物 和 导 电炭 黑 的种 类 一 定 的情 况 下,选 择 合适 的加 工 工艺 至关 重要。聚合物基 P T C材料的主要制备 方法有干混 法、溶剂法、混炼法。干混 法操作最简单,但要求 聚合物必须是粉末,而且导电粒子不易分散均匀。制得的材料均匀性 和 P T C性通常不佳。溶 剂法 是将导 电填 料 和 聚 合 物 溶 液 均 匀 混 合,在一 定 温 度下 将溶 剂蒸 发掉,得 到 聚合 物一 导 电微粒 膜,再 将 膜 切碎,压 成 片 状。溶 剂法 制 得 的 材 料 均 匀性 和稳定性都比较好,但其 P T C强度却 比较差_ l。在实 际生 产及 科 学 研 究 中,通 常
19、采 用 的都 是 混 炼 法。在 混炼 过 程 中,为 了 保 证 复 合 材 料 均 匀 性、导 电性 以及 力 学 性 能,应 当注 意 对 混 炼 的 时 间、混炼 温度 和加料方式 的控 制。研究表 明J,随 混炼时 间 的延 长,电导 率 迅速 上升,达 到一 个峰 值后反而下 降;提高熔 融混炼温度可以降低体 系 的表面粘度,从而降低混合过程 中的剪切力,减少 对 炭黑结 构 的破 坏,利 于 其 形 成 更 为 完 善 的 导 电 网络。但混炼温度也并非越高越好,过高的温度 会加速某些副反应(降解、交联)的发生,从而降低 材料的性能。此外,过高 的混炼温度和过长的混 炼 时 间也
20、会 加 速材 料 的老 化 速 度,引 起 材料 的老 化 变性。总之,在保 证 炭黑 均匀 分散 的 条件 下,应 使 剪 切力 尽可 能小,混炼 时 间 尽可 能 短 。对 于 多组份的复合填充体 系,为 了保证能够形成导 电 网络,炭 黑应 先 和 粘度 小、含 量 占优 的组 分混 合,以避 免形 成海 岛结 构,阻碍 导 电通路 的形 成 _ 2 。采用 不 同的成 型方 法,导 电填 料 在 聚合 物 中 的分 散程 度 和所受 的剪 切力 大小 不 同。通常 剪切 力大 的成 型方 法 获 得 的制 品 导 电性 差,按 材料 导 电性 强 弱 顺 序,模 压 挤 出 注 射 吹
21、 膜 流 延 2。适当的热处理和交联都会使材料的稳定性和 P T C效应得 到提 高。人们通常选择 略低于 聚合 物熔点的温度进行一定时间的热处理,这样能够 释放材料加工成 型时 留下的残余应力,使导电填 料 的 网络结 构 得到 调整,导 电性增 加;同时 热处 理 过程也会使聚合物基体 的结 晶更加完善,随着结 晶度的提高,基体融 限范围变 窄,熔点时,体积膨 胀更为显著,可获得更大的 P T C强度L 2 引。当温 度升 到熔 点 以上 时,在 未交 联 或 交 联 不 够充分的聚合物基 P T C材料中,导电炭黑粒子在 聚合物熔体中发生移动,重新凝聚、重排形成新的 导电通路,材料这种结
22、构的变化不仅会导致 NT C 效应 的产生,而且当温度下降后,炭黑粒子也很难 回到其 原来 的位 置,严 重 影 响 了材 料 的 使 用。因 此,对 于结 晶 聚合物,使其 进 行一 定 程度 的交联 是 必要 的。N a r k i s 曾用硅烷使炭黑填充高密度聚乙 烯 发 生 交 联,成 功 地 消 除 了 NT C效应。这可 以解释为:一部分炭黑粒子可能与聚合物基体发 生反应,被固定在原有位置,另一部分由于聚合物 三维 交联 网络 的 形 成,可 供 炭 黑 粒 子 自由移 动 的 空 间明 显缩 小。这 样,就 可 以有 效 地 抑 制 炭 黑 粒 子高 温下 的重新凝 聚 和重排,
23、提 高材 料的稳 定 性 2 。3 炭 黑填充聚合物 P T C材料 的稳定化 对聚合物基 P T C材料进行稳定化主要是 由 于 以下 三 个 原 因:(1)当温 度 升 高 超 过 聚合 物 基 体 的熔点 时,材料 会 出现 NT C现 象,这 对 材料 的 安全 使用 是 一 个巨大 的威 胁。(2)材 料在 长 时 间 通 电后 其 P T C强 度 逐 渐 衰 减。(3)经 反 复 多 次 通 电使 用,材料 的 P T C效应 也会 越 来越 弱。其 中(2)、(3)两方面都会影响材料 的使用寿命。之 维普资讯 http:/ 5 4 弹 性 体 第 1 4卷 所 以会 出 现 以
24、上 三 种情 况,其 根 本 原 因 都 是 由于 材料 的结构 发 生 了 变 化,而变 化 最 为 显 著 的 就 是 炭黑 粒子 的位 置发 生 了不可逆 移动 以及 聚 合物 基 体 的老化、降 解。所 以,各方 面 的研 究 重点 也都 放 到 了这两 个方 面 上。3 1 交 联 聚合物交联后形成的网络很大程度上可以限 制 和阻碍 导 电炭 黑 粒 子 的运 动,从 而提 高 材 料 的 稳定 性。目前 主要 的 交 联方 法 有 过 氧 化 物 交 联、硅烷交联、光化学交联和辐射交联。其 中,辐射交 联不 仅 使高 分子 链 之 间、高 分子 和 炭黑 之 间 以及 炭黑 之 间
25、发 生交 联,而且 能 将 当 时 的导 电结 构 固 定 下来,所 以在研 究 中被广 泛 使用-2 。虽 然辐 射 交联是一种行之有效 的提高 P T C材料稳定性 的 方 法,但 是 随着 辐射 量的加 大,材 料 的 电阻率 也 随 之增加-2 。因此,选择合适的交联条件也非常重 要。3 2聚合 物基体 和炭 黑表 面 的改性 炭 黑 之间有 较强 的 附聚力,容易 聚集,因此 只 要通过聚合物基体或炭黑表面的改性 以增加聚合 物一炭黑之间的作用力,也可以降低炭黑粒子 的 运动能力,提高材料的稳定性 。对炭黑表面进 行改 性 的方 法 有:表 面 化学 接 枝、表 面 化学 氧化、表面
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