聚氨酯基高介电常数复合材料的制备与表征.pdf
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1、第 4期 聚氨酯基高介电常数复合材料 的制备与表征 5 聚氨酯基 高介 电常数复合材料的制备与表征 吴聪聪王经文陈涛魏楠李淑琴(南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,2 1 1 1 0 0)摘 要 采用聚氨酯弹性体(P U)为聚合物基体,超高介电常数的酞菁铜齐聚物(C u P c)为添加物,通过 化学方法将 C u P c 接到 P U链上,制备高介电常数复合材料。T E M 结果显示,C u P c 在 P U中的分 散性大大改善,颗粒尺寸约为 2 0 n m,约为C u P c 和 P U简单共混中C u P c 粒径的1 2 5。颗粒尺寸的 减小大大增强了复合体系中界面交换耦合效应,
2、极大增加了复合材料的介电常数。在 l O O H z 时,C u P c 含量为 1 5 w t 的复合材料,介电常数高达 3 8 0 左右。关键词:聚氨酯弹性体酞菁铜齐聚物纳米复合材料高介 电常数 电活性 高分子(E AP)是一种新 型的智 能高分 子材料,具有机电转换功能 1 。这类聚合物能够在 外电场诱导下,通过材料内部构造改变产生多种形 式的力学响应的材料 2 3。具有高介电常数的 E A P 材料在执行器、传感器、高储能电容器及人工肌肉等 领域具有广泛应用 3 。但是,传统的高分子材料 通常具有很低的介电常数(1 0 )”。Wa n g J w 等 H 为提高P(F _ T r F
3、E)与铜酞菁齐聚物(o-C u P c)复 合物的相容性,对 聚合物进行化学修饰,赋予其 活 泼苄氯基团,进而与 o-C u P c 发生酯化反应,将其 部分接枝到聚合物链上。得到的复合材料中的 C u P c 的分散性大大提高,粒径在 6 0-1 2 0 n m之间,材料的介 电常数达到 1 7 5,是基体介 电常数 的 4 5 倍。但 C u P c 与基体的相容性差,容易在聚合物基 体中形成较大的颗粒,形成导电通道,从而降低材料 的击穿电场,介电损耗增加。因此,提高 C u P c 在聚 合物中的分散性是提升材料介电性能的关键。为了进一步提高 C u P c 在聚合物基体中的相容 性,减
4、小 C u P c 在基体中的粒径,从而大大提高复合 材料的界面交换耦合效应,提高复合材料的介电性 能。本研 究通 过化学 方法,在 P U 预 聚 阶段加 入 C u P c,使其与异氰酸酯基反应,将 C u P c 接枝到 P U 分子链上,制备 P U-g-C u P c 纳米复合材料。与简单 的 P U与 C u P c共混物(Cu P c P U)相 比,纳米接枝 复合材料中C u P c 的颗粒尺寸大大减小,分散性显 万方数据6 四川化 工 第 1 4卷2 0 1 1年第 4期 著提高,介 电性能也显著增加。HOOC HOOC HO0C H0OC HOOC COOH HOOC CO
5、OH 图 1 C u P c 的化学结构式 1 实验 1 1 实验原 料 C u P c 按文 献L 1 5 方法 合成。聚醚 1 6 1 8 A:数均 分子量 M 为 5 0 0 0,购于南京奥斯化工有限公司,使 用前在 1 2 0。C下抽真 空除水 2 h;甲苯 甲烷二异氰酸 酯(T D 1),工业级,购于 B A S F公司,经减压蒸馏后 使用;1,4 一 丁二醇(B D),分析纯,经 Mg S O 4 干燥并减 压蒸 馏 后 使 用;N,N_ 二 甲基 甲 酰 胺(Di me t h y l f o r ma mi d e,DMF):经过 C a H2 干燥处理并且减压蒸 馏。1 2
6、P U-g-C u P c 纳米复合材料的制备 往三 口烧瓶 中称量 1 g聚醚 1 6 1 8 A,加入 2 ml 的 D MF,装上冷凝管、温度计置于油浴,通人氮气,加热至 5 O,磁 力搅 拌 待充 分 溶解恬 再 称取 0 2 4 g T DI 加人其 中,并升温至 7 O,反应 2 5 h;然 后将事先溶解于 D MF溶液的 C u P c 通过恒压滴液 漏斗,缓慢加人预聚体当中,升温至 8 0 C,充分搅拌 反应 1 2 h(预聚体 中一 C NO 的含量 比较充多,通过长 时间的搅拌作用,使其与 C u P c 分子中的一 C O O I-I 反 应);然后称量 0 0 8 g
7、1,4 一 丁二醇(B D)加入溶液中,继续反应 3 h。最后 将所得溶液 倒到载玻 片上,在 8 0 C 烘箱中缓慢干燥 1 2 h除去绝大部分溶剂,然后 抽真空 1 2 h完全除去溶剂,得到 P U-g-C u P c 复合薄 膜(厚度 5 0 1 0 0 n m)。1 3 性能表征 采用 B r u k e r Ve c t o r 一 2 2型红外光谱仪测定 P U 和 P U-g-C u P c 的红外谱 图,观测材料官能团的变化 情况。采用 B r u k e r 公司 D R X-5 0 0型核磁共振波谱仪 获得 H NMR谱,溶 剂为 D MS d e。通 过核磁 共 振考察
8、H在 P U 和 P U g-C u P c中 的存在情况,确 定官能团上 H的变化情况。采用 H一 7 6 5 0型透射 电镜对 纳米复合材料切片 进行观察,观察添加物在 P U基体 中的分布情况及 其颗粒尺寸大小。采用 阻抗分 析仪 4 2 9 4 A 对 P U,P U Cu P c和 P U-g-C u P c 复合 薄膜的介 电性 能进行测试。外加 电场频率范围在 1 0 0 H z 一1 0 0 MH z 之间。薄膜的介 电常数 K通过公式 KC t e o A进行计算,式 中 C 为薄膜电容,e。为真空介电常数数值为 8 8 5 x 1 0 F m。A为薄膜两侧蒸镀金 电极的面积
9、尺寸,t 为 薄膜的厚度。2 结果与讨论 2 1 P U 和 P U g C u P c的红外表征 图 2是 P U 和 P U-g-C u P c的红外 图谱,从图中 可以看 出P U_ g C u P c 薄膜在 1 7 1 1 c m 处有明显的 吸收峰,这是异氰酸酯基 与羧基反应生成的酰胺基(一 NHC O)中一 CO的振动峰,可以证明 C u P c成功 接枝到 P U基体当中。同时 P U 的特征吸收峰依 旧 存在。3 4 2 7 c m 附近为氨基 甲酸酯基 中 N H 的伸 缩振动;2 9 7 2 c m_。,2 8 7 2 c m 处分别为一 C H3,一 CH2 一 基团的
10、 C-H的伸缩振动;1 7 1 1 c m 处是氢键化 的氨 基甲酸酯基中一 C=O的吸收峰;1 6 1 0 c m 附近有苯 环 C-C骨架伸缩振动;1 5 3 9 c m 附近有 N H的变 形 振 动;。1 4 5 0 c m 附 近 有 GH 的 变 角 运 动;1 3 1 0 c m 和 1 2 2 8 c m 附近有氨基甲酸酯的 O伸 缩振动;1 0 9 6 c m 附近有 C _()I C伸 缩振动 的强 吸 收带。2 2 H-NMR分析 图 3是 P U 和 P U-g C u P c的核磁共振图谱,从 万方数据第 4期 聚氨酯基高介 电常数复合材料 的制备与表征 7 8 g
11、芒 罂 I-4 0 3 5 0 0 3 0 O 0 2 5 0 0 20 0 0 1 5 0 0 1 0 0 0 5 0 0 W a v e n u mb e r s(c m一 1)图 2 P U和 P U-g-C u P c 的红外图谱 图中可 以看 出,6 8 7 O p p m 处的吸收峰表示 P U 中的一 C 6 H 一 上 的氢原子振 动。8 7 p p m 和 9 5 p p m 处的吸收峰对应 的是 P U 中一 NHC OO-上的氢原子 振动。而 7 9 8 p p m处的吸收峰则表示 P U-g-C u P c 中一 NHC()-上 的氢原子振动,这个 吸收峰的出现,进 一
12、步证明 了接枝反应 的成功。通过 H NMR的结 果,与 F T-I R共 同证明了接枝反应 的成功。图 3(a)P U和(b)P U-g-C u P c 的核磁谱圈 2 3 纳米复合薄膜 的微观结构观察 图4是 P U C u P c 和 P U-g-C u P c 复合薄膜(两 者 C u P c 含量 都为 1 5 wt )的 T E M 照片。可以明 显看 出,P U C u P c中 C u P c粒径约为 5 0 0 n m,而接 枝复合物中的 C u P c 颗粒粒径大大减小,且分布更 均匀,大多数 C u P c颗粒粒径在-1 5 -2 5 n m 之间,大 约只有简单共混物中
13、C u P c 颗粒大小的 1 2 5。对于 C u P c P U来说,C u P c 分子结构具有很强 的极性,分子之间吸引力大,所以其核长大无法抑 制,因此其聚集的颗粒尺寸很大,有的甚至达到微米 尺寸,而且分散性差,容易形成导 电通道,会对复合 材料 的介电性能的改善造成很大影响。P U g C u P c 中 C u P c颗粒 粒 径大 大减 小 的解 释:C u P c 与 P U的接枝率高,降低了C u P c 分子间的 吸引作用,减 缓 了晶粒 的成 长速 度;C u P c接 枝 到 P U分子链上,必然受到 P U分子链的运动,使 C u P c 分子难以接近,晶粒生长受到
14、限制;当晶粒生长到一 定阶段时,P U分子链会在 晶粒表 面形成 一层聚合 物层,阻碍晶粒的进一步长大,最终产生了如图所示 的粒径在 l O 2 0 n m之间且分布均匀的 C u P c 颗粒。P U-g-C u P c 中C u P c 颗粒的大大减小将显著增强两 相体系的界面交换耦合效应,强化界面极化,同时又 减少了形成导电通道的可能,其介电损耗也有了的 很大改善,极大地提高复合材料的介电性能。图4(a)C u P c P U和(b)P U-g-C u P c 复合薄膜的T E M照片 2 4 纳米复合材料的介电性能 图 5是 P U、C u P c P U和 P U g-C u P c
15、复合薄膜 的介电性能随电场频率的变化关系图。从图中可以 看出,纯 P U的介电常数很低(约为 3 5),C u P c P U 和 P U-g-C u P c 复合薄膜的介电性能随电场频率的 升高而降低。室温时,在 l O O H z 下 C u P c P U的介 电常数 为 2 2,而 P U-g-Cu P c的介 电常数高达 3 8 0,是 C u P c P U的 1 7 倍多,而且介电损耗相应的有所 下降。对于由介电常数较小的聚合物基体和介电常数 较大的添加物组成的复合体系,I i J Y等结合 L a n d a u 势能理论和能量最低原则推断出:当复合物中 的添加物尺寸与交换尺度
16、相当时,这种界 面交换耦 合效 应对 复 合物 的介 电性 能起 主导 作用 1 6 。P U-g-C u P c 中 C u P c的平均颗粒尺寸 只有 2 0 n m 左 右,远小于 C u P c P U 中 C u P c的颗粒 尺寸,从而显 万方数据8 四川化工 第 1 4卷2 0 1 1年第 4期 著增强了 P U 与 C u P c 之 间的界 面交换耦合效应,极大增强了界面极化作用,从而提高了纳米复合薄 膜的介电常数。另外,颗粒尺寸的减小以及分散性 的改善,有效地防止了 C u P c 颗粒聚集形成导电通 道,从而降低了复合材料的介电损耗。圈 5 P U、C u P c P U
17、和 P U-C u P c 复合薄膜的介电性能 随电场频率的变化关系图 图 6 C u P c 含量不同的 P U-g-C u P c 复合薄膜的 介电性能随电场频率的变化关系图。明显可以看 出,复合薄膜 的介 电常数随着 C u P c 含量 的增加而 变大,而且在低频率下,复合薄膜的介电常数都随着 C u P e 含量的增加而变迅速增加,一方面是 由于添加 C u P e的晶粒尺寸的减小而增加了界面交换耦合效 应。另一方面是可 能是 由于 Ma x we l l Wa g n e r-S i l-1 a r s(MwS)空间极化的影响,极性填料与高分子组 成的复合材料两相的介电常数和电导率
18、存在显著的 差异,在外加电场条件下复合材料的两相界面发生 MwS空间电荷极化,增加低频 的介电响应。但是 2 5 wt 的介 电常数(1 O O Hz 是 K=4 2 0)相 比于 1 5 wt (1 O O Hz时 K一3 8 0)的增长幅度缓慢。同时复合薄膜的介电损耗同样随着 C u P c 含量的增 加而变大,C u P c含量达 到 2 5 wt 9 6 的复合薄膜 的介 电损耗峰值时超过了0 6,显然,这并不利于复合材 料的实际应用。可见,并非 C u P c 的添加量越高,复 合材料的介电性能就越理想。综上,当 C u P c 含量 为 1 5 w t 时,复合材料既有较高的介电常
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