led芯片的制造工艺流程(1).pdf

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1、 LED 芯片制作工艺知识 LED 芯片制作工艺知识 LED 芯片工艺（以红色芯片为例）1、LED 红色芯片基本结构 LED 芯片工艺（以红色芯片为例）1、LED 红色芯片基本结构 2.2.工程设备 MOCVD 目前比较通用(金屬有机物化学氣相沉淀法)VPE 比较早期(气相磊晶)工程设备 MOCVD 目前比较通用(金屬有机物化学氣相沉淀法)VPE 比较早期(气相磊晶)3.LED 芯片制作工艺流程 3.LED 芯片制作工艺流程 上游成品（外延片）研磨（减薄、抛光）正面涂胶保护（P面）化学抛光 腐蚀 蒸镀（P面）蒸镀（N面）黄光室涂胶 去腊清洗、库房 去胶清洗清洗 清洗 涂胶前先涂光阻附着液 光罩

2、作业 腐蚀金、铍 合金 蒸镀钛、铝（P面）套刻 腐蚀铝、钛 切割工序 半切 显影、定影 去胶清洗涂胶 去胶清洗客户要求较高的 中游成品 点测 一刀切客户要求不高 送各封装厂 显影定影 全切 详细主工艺：4.1.详细主工艺：4.1.LED 制程工艺（1）P 面蒸镀 LED 制程工艺（1）P 面蒸镀 4.2.LED 制程工艺（制程工艺（2）N 面蒸镀面蒸镀 4.3.LED 制程工艺（制程工艺（3）电极制作（电极制作（A）4.4.LED 制程工艺（制程工艺（3）电极制作（电极制作（B）4.5.LED 制程工艺（制程工艺（4）切割切割 SIZE 5.LED 制程工艺初步统计及小结制程工艺初步统计及小结

3、 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 P 面蒸镀 N-GaP-Si GaInP-AlP-GaP-MgAu AuBe Au P 面蒸镀 N-GaP-Si GaInP-AlP-GaP-MgAu AuBe Au N 面蒸镀 Au AuGeNi Ni Au N 面蒸镀 Au AuGeNi Ni Au 电 极 涂胶 光罩 显影、定影腐蚀 清洗 电 极 涂胶 光罩 显影、定影腐蚀 清洗 P 极蒸镀 钛 铝 P 极蒸镀 钛 铝 CHIP 半全切割 清洗 CHIP 半全切割 清洗 （1）、芯片工序多、工艺复杂，但灵活性高、技术含量强。（2）、各厂家使用设备、工艺流程、化学配方都形成自己的一套并不断

4、更 新。（3）、万变不离其宗，其主要路线是一样：外延片的生长、电极的制作、后期切割。6.LED 颜色跟材料之间关系颜色跟材料之间关系 X 的取值的取值 三元化合物三元化合物 Ga PX As 1-X 禁带宽度禁带宽度 波长与颜色波长与颜色 X=0.2 Ga As 0.8P0.2 1.66eV =747nm 红色红色 X=0.35 GaAs0.65P0.35 1.848eV =671nm 橙色橙色 （1）、芯片的发光颜色跟发光区选择的材料有关，（2）、芯片的元的计算，就是发光区选择的材料含几种元素，就 称为几元芯片。例如：AlCaInP 就称为四元，CaAs 就称为二元。（3）、调节 X 的值就能改变材料的能级结构，即改变 LED 的发光 颜色。此即所谓的能带工程。