模拟电子技术模电模拟试题.pdf
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1、模拟电路 复习预习方法:1、掌握基本理论:二极管、三极管的特点和用途,反馈的定义、分类、判断,功率放大的原理与分类,滤波器的基本原理,波形发生器的原理与能否起震的判断,直流电源的基本原理及构成。2、掌握的计算:三极管放大电路的静态、动态分析,集成远放的相关计算,振荡电路频率计算,直流电源的简单计算。3、除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。习题一、半导体二极管及其应用 1本征半导体中的自由电子浓度_空穴浓度 a 大于 b 小于 c 等于 答案:C 2.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于_ a 温度 b 材料 c 掺杂工艺 d 掺杂浓度 答案:B 3.在掺杂半导体中,少子的浓度受_
2、的影响很大 a 温度 b 掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案:C 4.在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度越_ a 高 b 低 c 不变 答案:B 型半导体_ a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案:C 6.温度升高 N 型半导体的电阻率将_ a 增大 b 减小 c 不变 答案:C 7.当 PN 结正向偏置时,耗尽层将_ a 不变 b 变宽小于 c 变窄 答案:C 8.当环境温度升高时,二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变 答案:b 9.当环境温度升高时,二极管的死区电压将_ a 升高 b 降低 c 不变 答案:b 10.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将_ a 增大 b
3、减小 c 不变 答案:a 11.二极管的正向电压降一般具有_温度系数 a 正 b 负 c 零 答案:b 12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是_和_ a UD,IF b IF,IS c IF,UR 答案:c 13.理想二极管的主要性能指标为 _ a UD=0,IR=0,b UD=,IR=0 c UD=,IR=IS 答案:a 13.稳压管通常工作于_,来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区 答案:c 12.对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 _ a 升高 b 降低 c 不变 答案:c 13.二极管的反偏电压升高,其结电容 _ a 增大
4、b 减小 c 不变 答案:b 17.二极管正向偏置时,其结电容主要是 _ a 势垒电容 b 扩散电容 c 无法判断 答案:b 18.锗二极管的死区电压约为 _ 答案:a a b c 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 _ a b c 答案:c 20.由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 _ a 大 b 小 c 不变 答案:b 22.已知二极管的静态工作点 UD 和 ID,则二极管的静态电阻为 _ a UD/ID b UT/ID c UD/IS 答案:a 24.一个硅二极管在正向电压 UD=时,正向电流 ID=10mA。若 UD 增大到 ,则电流 ID 约 为 _ a
5、11mA b 20mA c 100mA 答案:c 26.在上题图示电路中,若 E=8V,当温度为 10 时测得二极管的管压降为 UD=,当温度上升到 40 时,则 UD 大小为 _ a=b 答案:27.在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体,加入 元素可形成 P 型半导体。A.五价 B.四价 C.三价 答案:A,C 28.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A.增大 B.不变 C.减小 答案:A 29.在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。()答案:30.因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()答案:结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
6、()答案:结加正向电压时,空间电荷区将。A.变窄 B.基本不变 C.变宽 答案:A 33.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。A.ISeU B.C.答案:C 34.稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C 图 35.电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值合适,uI 的波形如图(c)所示。试分别画出uO1 和uO2 的波形。解:波形如解图所示 解图 36.在以下四种整流或滤波电路中,负载时输出电压最低的是(),二极管承受冲击电流最高的是(),承受反向电压最高的是();输出电压脉动最小的是()。A.单相半波整流电路;B.单相桥式整
7、流电路;C.单相半波整流、电容滤波电路;D.单相桥式整流、电容滤波电路 答案:acad 37.纯净的半导体叫 半导体。掺入 3 价杂质元素形成的半导体叫 型 半导体,它主要靠 导电。答案:本征,P(空穴),空穴 结正向偏置是指 P 区接电源的 极、N 区接电源的 极。这时多子的 运动较强,PN 结厚度变,结电阻较。答案:正,负,扩散,薄,小 39.设二极管 D1、D2 为理想二极管,判断它们在图 1 中是导通还是截止 输出电压 Uo=.图 1 答案:D1 导通,D2 截止,UO=0 V 40.在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体,加入 元素可形成 P 型半导体。A.五价 B.四价 C.
8、三价 答案:A,C 41.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A.增大 B.不变 C.减小 答案:A 42.稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C 43.分析图所示电路的工作情况,图中 I 为电流源,I=2mA。设 20时二极管的正向电压降UD=660mV,求在 50时二极管的正向电压降。该电路有何用途电路中为什么要使用电流源 【解题过程】该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。其温度系数2mV/。20时二极管的正向电压降 UD=660mV 50时二极管的正向电压降 UD=660(230)=600 mV 因为二极管的正向电压降 UD 是温度和正
9、向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的 正向电压降 UD 仅仅是温度一个变量的函数。44.电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。试画出 uI 与 uO的波形,并标出幅值。图(a)【解题过程】由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示,即开启电压 Uon 和导通电压均为。由于二极管 D1 的阴极电位为3V,而输入动态电压 uI 作用于 D1 的阳极,故只有当 uI 高于时 D1 才导通,且一旦 D1 导通,其阳极电位为,输出电压 uO=。由于 D2 的阳极电位为3V,而 uI 作用于二极管 D2 的阴极,故只有当 uI 低于时 D2 才导通,且一旦 D2 导通,其阴极电位即为 ,输
10、出电压 uO=。当 uI 在到之间时,两只管子均截止,故 uO=uI。uI 和 uO 的波形如图(b)所示。图(b)45.某二极管的反向饱和电流,如果将一只的干电池接在二极管两端,试计算流过二极管的电流有多大 【解题过程】如果将干电池的正、负极分别与二极管的阴极、阳极相接,二极管反向偏置,此时流过二极管的电 流等于。反之,流过二极管的电流等于:此时二极管的等效直流电阻为:实际上电池的内阻、接线电阻和二极管的体电阻之和远远大于 RD,流过二极管的电流远远小于计算 值。电路中的电流值不仅仅是由二极管的伏安特性所决定,还与电路中的接线电阻、电池的内阻和 二极管的体电阻有关。通常这些电阻都非常小,足以
11、使二极管和干电池损坏。因此,实际应用时电路中必须串接适当的限流电阻,以防损坏电路元器件。46.电路如图(a)所示,二极管的伏安特性如图(b)所示,常温下 UT26mV,电容 C 对交流信号可视为短路;ui 为正弦波,有效值为 10 mV。试问:(1)二极管在 ui 为零时的电流和电压各为多少 (2)二极管中流过的交流电流有效值为多少 【解题过程】(1)利用图解法可以方便地求出二极管的 Q 点。在动态信号为零时,二极管导通,电阻 R中电流与二 极管电流相等。因此,二极管的端电压可写成为 uD=V iDR 在二极管的伏安特性坐标系中作直线(uD=V iDR),与伏安特性曲线的交点就是 Q 点,如(
12、b)所示 。读出 Q 点的坐标值,即为二极管的直流电流和电压,约为 UD V,ID26 mA (2)Q 点下小信号情况下的动态电阻为 rdUT/ID=(26/=10 根据已知条件,二极管上的交流电压有效值为 10 mV,故流过的交流电流有效值为ID=Ui/rd=(10/10)mA=1 mA 图(c)47.电路如图(a)所示。设输入信号,二极管导通压降可以忽略不计,试分别画出输出电压的波形。图(a)【解题过程】在图(a)所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压等于。所以 当时,二极管截止,当时,二极管导通,由此画出输出电压的波形如图(b)所示。图(b)48.在图示电路中,设二极管正向导通时的
13、压降为,试估算 a 点的电位。【解题过程】首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。若是反向电压,则说明二极管处于截止状态;若是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压,则说明二极管仍然处于截止状态;只有当正向电压大于死区电压时,二极管才能导通。在图示电路中,当二极管开路时,二极管两端的正向电压,二极管反向偏置,处于 截止状态,故。49.电路如图(a)所示。设电路中的二极管为硅管,输入信号,电容器 C 对交流信号的容抗可以忽略不计,试计算输出电压的交流分量。图(a)【解题过程】因为二极管电路中同时存在较大的直流电源和微变的交流信号,应首先假设交流信号
14、为零 (),对电路进行直流分析。在图(a)电路中,当令、电容器 C 开路时,采用二极管的恒压模型计算出流过二极管的 直流电流 由此可估算出二极管的动态电阻 。然后利用二极管的微变等效模型分析计算其交流分量。在进行交流分析时,令直流电源和 电容器 C 短路,二极管 D 用交流等效电阻 rd 代替。此时,图(a)电路的交流等效电路如图(b)所示。图(b)由图(b)可得输出电压交流分量为 。50.设本题图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止,并求出 A、B 两点之间的电压AB 值。【解题过程】在图电路中,当二极管开路时,由图可知二极管 D1、D2 两端的正向电压分别
15、为 10V 和 25V。二极管 D2 两 端的正向电压高于 D1 两端的正向电压,二极管 D2 优先导通。当二极管 D2导通后,UAB=15V,二极管 D1 两端又为反向电压。故 D1 截止、D2 导通。UAB=15V。51.硅稳压管稳压电路如图所示。其中硅稳压管 DZ 的稳定电压 UZ=8V、动态电阻 rZ 可以忽略,UI=20V。试求:(1)UO、IO、I 及 IZ 的值;(2)当 UI 降低为 15V 时的 UO、IO、I 及 IZ 值。【解题过程】(1)由于 UZ 稳压管工作于反向电击穿状态,电路具有稳压功能。故 UO=UZ=8V IZ=IIO=64=2 mA(2)由于这时的 UZ 稳
16、压管没有被击穿,稳压管处于截止状态。故 IZ=0 52.电路如图(a)所示。其中未经稳定的直流输入电压 UI 值可变,稳压管 DZ 采用 2CW58 型硅稳压二极管,在管子的稳压范围内,当 IZ 为 5mA 时,其端电压 UZ 为 10V、为 20,且该管的 IZM 为 26mA。(1)试求当该稳压管用图(b)所示模型等效时的 UZ0 值;(2)当 UO=10V 时,UI 应为多大 (3)若 UI 在上面求得的数值基础上变化10%,即从变到,问UO 将从多少变化到多少相对于原来的 10V,输出电压变化了百分之几在这种条件下,IZ 变化范围为多大 1.若 UI 值上升到使 IZ=IZM,而 rZ
17、 值始终为 20,这时的 UI 和 UO 分别为多少 (5)若 UI 值在 69V 间可调,UO 将怎样变化 图(a)图(b)【解题过程】(1)由稳压管等效电路知,(2)(3)设不变。当时 当时 (4)(5)由于 U IUZ0,稳压管 DZ 没有被击穿,处于截止状态 故 UO 将随 U I 在 69 V 之间变化 53.电路如图(a)、(b)所示。其中限流电阻 R=2,硅稳压管 DZ1、DZ2 的稳定电压 UZ1、UZ2 分别为 6V 和 8V,正向压降为,动态电阻可以忽略。试求电路输出端 A、B 两端之间电压 UAB 的值。图(a)图(b)【解题过程】判断稳压管的工作状态:(1)首先分析二极
18、管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端所加的是正向电压还是反向 电压。若是反向电压,则当反向电压大于管子的稳定电压时,稳压管处于反向电击穿状态。否则,稳压管处于截止状态;若是正向电压,但当正向电压大于其的死区电压时,二极管处于正向导通状态。(2)在用上述方法判断的过程中,若出现两个以上稳压管承受大小不等的电压时,则应判定承受正 向电压较大者优先导通,或者在同样的反向电压作用下,稳定电压较小者优先导通,然后再用上述 方法判断其它二极管的工作状态。根据上述稳压管工作状态的判断方法:在图(a)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为 20V。由于稳压管 DZ1 的稳定电压低,所以 D
19、Z1 优先导通。当稳压管 DZ1 导通后,UAB=UZ1=6 V,低于稳压管 DZ2 的击穿电压。故 DZ1 导通、DZ2 截止。UAB=6V。在图(b)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为 20V。由于稳压管 DZ1 与DZ2 的稳定电 压之和为 6+8=14V。故 DZ1 和 DZ2 同时导通。UAB=14V。习题二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是_ a 发射结正偏,集电结正偏 b 发射结反偏,集电结反偏 c 发射结正偏,集电结反偏 答案:c 2.当晶体管工作于饱和状态时,其_ a 发射结正偏,集电结正偏 b 发射结反偏,集电结反偏 c 发射结正偏,集
20、电结反偏 答案:a 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_ a b c 答案:b 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_ a b c 答案:b 5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为,和 。则该管的 为_ a 40 b 50 c 60 答案:c 6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_ a 越好 b 越差 c 无变化 答案:a 7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_ a 高 b 低 c 一样 答案:a 8.温度升高,晶体管的电流放大系数 _ a 增大 b 减小 c 不变 答案:a 9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_ a 升高 b 降低 c 不变 答案:b 10.对 PNP 型晶体管来
21、说,当其工作于放大状态时,_ 极的电位最低。a 发射极 b 基极 c 集电极 答案:c 11.温度升高,晶体管输入特性曲线_ a 右移 b 左移 c 不变 答案:b 12.温度升高,晶体管输出特性曲线_ a 上移 b 下移 c 不变 答案:a 12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_ a 不变 b 减小 c 增大 答案:c 12.晶体管共射极电流放大系数 与集电极电流 Ic 的关系是_ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 答案:a 15.当晶体管的集电极电流 IcmIc 时,下列说法正确的是_ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的 PC=PCM c 晶体管的 一定减小 答案:c 16.对于电压
22、放大器来说,越小,电路的带负载能力越强_ a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数 答案:b 17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、,则该管为 _ a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管 答案:b 19 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_ a 同相 b 反相 c 相差 90 度 答案:b 20 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_ 失真 a 饱和 b 截止 c 饱和和截止 答案:a 21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是_ a 输入电阻太小 b 静态工作点偏
23、低 c 静态工作点偏高 答案:c 23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_ a 输出功率 b 静态工作点 c 交流参数 答案:c 25.既能放大电压,也能放大电流的是 _ 放大电路。a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案:a 26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _ a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化 答案:c 27.在放大电路中,直流负反馈可以 _ a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数 c 稳定电路的静态工作点 答案:c 28.可以放大电压,但不能放大电流的是 _ 放大电路。a 共射极 b 共集电
24、极 c 共基极 答案:c 29.射极输出器无放大 _ 的能力。a 电压 b 电流 c 功率 答案:a 30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是 _ 放大电路。a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案:b 31.与空载相比,接上负载后,放大电路的动态范围一定_ a 不变 b 变大 c 变小 答案:c 32.某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3k 的负载后输出电压降为 3V,则此电路的输出电阻为_ a b 1kW c 2kW 答案:b 35.在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是 _ 多级放大电路。a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 答
25、案:c 40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移,因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 _ 失真。a 饱和 b 截止 c 频率 41.放大电路的两种失真分别为 _ 失真。a 线性和非线性 b 饱和和截止 c 幅度和相位 44.在考虑放大电路的频率失真时,若输入信号 Ui 为正弦波,则输出信号_ a 会产生线性失真 b 会产生非线性失真 c 为正弦波 54.工作在放大区的某三极管,如果当IB 从 12A 增大到 22A 时,IC 从 1mA 变为 2mA,那么它的约为。A.83 B.91 C.100 答案:C 55.只有电路既放大电流又放大电压,才称其
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