《单片机技术及应用》期末试题及答案.pdf

《《单片机技术及应用》期末试题及答案.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《单片机技术及应用》期末试题及答案.pdf（12页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、高 2012 级电子班单片机技术及应用期末试题（本试卷总分 100 分，90 分钟完卷）卷 I 姓名：_ 学号：_ 得分：_ 一、填空题（本大题共 25 空，每空 1 分，总分 25 分）1、MCS51 单片机共有_个引脚，其中第 29 引脚是_引脚；共有_个并行 I/O 口。2、MCS51 单片机的复位引脚是第_引脚，当该引脚保持_个机器周期以上高电平时，单片机实现一次复位操作，复位方式分别有_和_两种。3、当振荡脉冲频率 fOSC=12MHz 时，机器周器应为 T_s；若指令 MOV 30H,#20H 的机器周期为 2，则执行该条指令要用_s 的时间。一个机器周期包括_个状态。4、MOV

2、direct,Ri 的 寻 址 范 围 为 _ 和_。5、堆栈在存放数据时具有_、_的特点，一般将堆栈开辟在_区域中。6、设X原10000110，则X反_，X补_。7、访问外部存储器时，用_和_输出地址，其中_输高 8 位地址，_输低 8 位地址。8、MCS51 单片机的工作方式有_、_、_和_。二、选择题（本大题共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分）1、下列指令格式正确的是（）A、ADD 30H,31H B、MOV R0,R1 C、SUBB A,#20H D、DEC DPTR 2、若（A）82H，（B）05H，则执行 MUL AB 指令后，A 中的内容是（）A、8AH B、05H C

3、、82H D、02H 3、下列为从程序存储器 ROM 中读取数据的指令是（）A、MOVX A,Ri B、MOVC A,A+DPTR C、MOVC A+PC,A D、MOV Ri,A 4、能将两个 8 位二进制数的低 4 位互换的指令是（）A、XCH A,Rn B、XCH A,Ri C、SWAP A D、XCHD A,Ri 5、下列指令中，书写格式错误的是（）A、PUSH A B、PUSH B C、PUSH R7 D、PUSH PSW 6、下列程序中不能实现 A、B 内容互换的是（）A、MOV R0,B B、XCH A,B XCHD A,R0 C、PUSH A D、MOV R0,A PUSH B

4、 MOV A,B POP A MOV B,R0 POP B 7、若（A）01111000BCD，（R0）00110110BCD，执行 ADD A,R0 DA A 后，A 中的内容为（）A、0AEH B、1010110BCD C、00010100BCD D、10101101BCD 8、执行 MOV SP,#40H 指令后，入栈操作是从片内 RAM 哪个单元开始？（）A、2FH B、41H C、30H D、07H 9、MCS-51 单片机复位后，下列寄存器的初始值不为 00H 的是（）A、Acc B、TH0 C、PSW D、SP 10、下列说法正确的是（）A、DPTR 是唯一一个 16 位的特殊功

5、能寄存器 B、PC 是唯一一个不可寻址的专用寄存器 C、AC 称为进位标志位 D、P 称为奇偶校验标志位 三、简答题（本大题共 2 小题，共 15 分）1、MCS-51 单片机有哪几种寻址方式，并各举一例？（7 分）2、MCS-51 单片机 P3 口依次有哪些第二功能，并说明其含义。（8分）四、读程题（13 分）1、已知内部 RAM 中 59H 单元的内容为 50H，写出当执行下列程序后寄存器 A，R0 和内部 RAM 中 50H，51H 单元的内容为何值。（4 分）MOV A,59H MOV R0,A MOV A,#27H MOV R0,A SUBB A,#25H MOV 51H,A MOV

6、 52H,70H 当执行完上述指令后（A）_ (R0)=_ (50H)=_ (51H)=_ 2、说明下列程序段的功能是什么？（3 分）MOV DPTR,#2000H MOV R0,#20H MOV A,#00H MOVC A,A+DPTR MOVX R0,A 此程序段的功能为_。3、设堆栈指针 SP 的内容为 60H，内部 RAM 中 30H 和 31H 单元的内容分别为 24H 和 10H，执行下列程序段后，61H，62 H，30 H，31 H，DPTR 及 SP 中的内容将为何值。PUSH 30H PUSH 31H POP DPL POP DPH MOV 30H,#00H MOV 31H,

7、#0FFH 当执行完上述指令后（61H）_ (62H)=_ (30H)=_ (31H)=_ (DPTR)=_ (SP)=_ 高 2012 级电子班单片机技术及应用期末试题（本试卷总分 100 分，90 分钟完卷）卷 II（答题卷）姓名：_ 学号：_ 得分：_ 一、填空题（本大题共 25 空，每空 1 分，总分 25 分）1、_、_、_。2、_、_、_、_。3、_、_、_。4、_、_。5、_、_、_。6、_、_。7、_、_、_、_。8、_、_、_、_。二、选择题（本大题共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分）题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 三、简答题（本大题共 2 小

8、题，共 15 分）1、寻址方式 例子（本小题共 8 分）_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 2、MCS-51 单片机 P3 口依次有哪些第二功能，并说明其含义。（8 分）P3.0：第二功能是(英文)_;含义_。P3.1：第二功能是(英文)_;含义_。P3.2：第二功能是(英文)_;含义_。P3.3：第二功能是(英文)_;含义_。P3.4：第二功能是(英文)_;含义_。P3.5：第二功能是(英文)_;含义_。P3.6：第二功能是(英文)_;含义_。P3.7：第二功能是(英文)_;含义_。四、读程题（13 分）1、当执行完上述指令后（A）_ (R0)=_ (50H)=_ (51

9、H)=_（4 分）2、此程序段的功能为_ _。（3 分）3、当执行完上述指令后（61H）_ (62H)=_ (30H)=_ (31H)=_ (DPTR)=_ (SP)=_（6 分）五、编程题（本大题共 2 小题，共 17 分）1、试编写一程序段，实现两个 16 位无符号数的加法，两数分别放在片内 RAM41H、40H 和 51H、50H 单元中，要求其和放在片内 RAM31H、30H 单元中，高位放在高地址中，设和数不超过 16 位。（7 分）_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 2、试编写一程序段，将片外 RAM 中 2000H 单元中的内容和程序存储器 R

10、OM2100H 单元的内容相乘，并将结果存放在片外 RAM 的 23H和 22H 单元中，高位存放在高地址中。（10 分）_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 高 2012 级电子班单片机技术及应用期末试题（本试卷总分 100 分，90 分钟完卷）（参考答案）一、填空题（本大题共 25 空，每空 1 分，总分 25 分）1、_40_、PSEN、_4_。2、_9_、_上电自动复位_、_按键复位_、_2_。3、_1_、_2_、_6_。4、_片内 RAM 低 128B_、_片外 RAM 低 256B_。5、_先进后出_、_后进先出_、_30H7FH_。6、_11

11、111001_、_11111010_。7、_P0_、_P2_、_P2_、_P0_。8、_复位方式_、_程序执行方式_、_节电方式_、_编程校验方式_。二、选择题（本大题共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分）题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 C A B D C A C B D C 三、简答题（本大题共 2 小题，共 15 分）1、寻址方式 例子（本小题共 8 分）_立即寻址_ _MOV A,#20H_ _直接寻址_ _MOV A,20H_ _寄存器寻址_ _MOV A,R0_ _寄存器间接寻址_ _MOV A,R0_ _位寻址_ _MOV C,20H_ _变址寻址_

12、_MOVC A,A+DPTR_ _相对寻址_ _SJMP _ 2、MCS-51 单片机 P3 口依次有哪些第二功能，并说明其含义。（8 分）P3.0：第二功能是(英文)_RXD_;含义_串行口输入_。P3.1：第二功能是(英文)_TXD_;含义_串行口输出_。P3.2：第二功能是(英文)INTO;含义_外部中断 0 输入_。P3.3：第二功能是(英文)_1INT_;含义_外部中断 1 输入_。P3.4：第二功能是(英文)_T0 _;含义_定时/计数器 0_。P3.5：第二功能是(英文)_ _T1_;含义_定时/计数器 1_。P3.6：第二功能是(英文)_ WR_;含义外部数据存储器写选通线。P

13、3.7：第二功能是(英文)_ DR_;含义外部数据存储器读选通线。四、读程题（13 分）1、当执行完上述指令后（A）_02H_ (R0)=_50H_ (50H)=_27H_ (51H)=_02H_（4 分）2、此程序段的功能为_将 ROM2000H 单元内容传送到片外 RAM20H单元中去_。（3 分）3、当执行完上述指令后（61H）_24H_ (62H)=_10H_ (30H)=_00H_ (31H)=_0FFH_ (DPTR)=_2410H_ (SP)=_60H_（6 分）五、编程题（本大题共 2 小题，共 17 分）1、试编写一程序段，实现两个 16 位无符号数的加法，两数分别放在片内

14、RAM41H、40H 和 51H、50H 单元中，要求其和放在片内 RAM31H、30H 单元中，高位放在高地址中，设和数不超过 16 位。（7 分）_CLR C_ _MOV A,40H_ _ADD A,50H_ _MOV 30H,A_ _MOV A,41H_ _ADDC A,51H_ _MOV 31H,A_ 2、试编写一程序段，将片外 RAM 中 2000H 单元中的内容和程序存储器 ROM2100H 单元的内容相乘，并将结果存放在片外 RAM 的 23H和 22H 单元中，高位存放在高地址中。（10 分）_MOV DPTR,#2000H_ _MOVX A,DPTR_ _MOV B,A_ _MOV A,#00H_ _MOV DPTR,#2100H_ _MOVC A,A+DPTR_ _MUL AB_ _MOV R0,#22H_ _MOVX R0,A_ _INC R0_/MOV R0,#23H_ _MOV R0,B_