第三代半导体面SiC碳化硅器件及其应用.pdf
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1、 第三代半导体面 SiC 碳化硅器件及其应用 Standardization of sany group#QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#第三代半导体面-SiC(碳化硅)器件及其应用 作为一种新型的半导体材料,SiC 以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率高额电子器件最重要的半导体材料特别是在极端条件和恶劣条件下应用时,SiC 器件的特性远远超过了 Si 器件和 GaAs 器件因此,SiC 器件和各类传感器已逐步成为关键器件之一,发挥着越来超重要的作用?从 20 世纪 80 年代起,特别是 1989 年第一种 SiC 衬底
2、圆片进入市场以来,SiC 器件和电路获得了快速的发展在某些领域,如发光二极管、高频大功率和高电压器件等,SiC器件已经得到较广泛的商业应用发展迅速经过近 10 年的发展,目前 SiC 器件工艺已经可以制造商用器件以 Cree 为代表的一批公司已经开始提供 SiC 器件的商业产品国内的研究所和高校在 SiC 材料生长和器件制造工艺方面也取得厂可喜的成果虽然 SiC 材料具有非常优越的物理化学特性,而且 SiC 器件工艺也不断成熟,然而目前 SiC 器件和电路的性能不够优越除了 SiC 材料和器件工艺需要不断提高外更多的努力应该放在如何通过优化 S5C 器件结构或者提出新型的器件结构以发挥 SiC
3、 材料的优势方面 1 SiC 分立器件的研究现状?目前SiC 器件的研究主要以分立器件为主对于每一种器件结构,共最初的研究部是将相应的 Si 或者 GaAs 器件结构简单地移植到 SiC 上,而没有进行器件结构的优化由于 SiC 的本征氧化层和 Si 相同,均为 SiO2,这意味着大多数 Si 器件特别是 M 帕型器件都能够在 SiC 上制造出来尽管只是简单的移植,可是得到的一些器件已经获得了令人满意的结果,而且部分器件已经进入厂市场 S iC 光电器件,尤其是蓝光发光二极管在 20 世纪 90 年代初期已经进入市场,它是第一种大批量商业生产的 SiC 器件日前高电压 SiC 肖特基二极管、S
4、iC 射频功率晶体管以及 SiC MOSFET 和 MESFET 等也已经有商业产品当然所有这些 SiC 产品的性能还远没有发挥 SiC 材料的超强特性,更强功能和性能的 SiC 器件还有待研究与开发这种简单的移植往往不能完全发挥 SiC 材料的优势即使在 SiC 器件的一些优势领域最初制造出来的 SiC 器件有些还不能和相应的 Si 或者 CaAs 器件的性能相比?为了能够更好地将 SiC 材料特性的优势转化为 SiC 器件的优势,目前正在研究如何对器件的制造工艺与器件结构进行优化或者开发新结构和新工艺以提高 SiC 器件的功能和性能 11 SiC 肖特基二极管?肖特基二极管在高速集成电路、
5、微波技术等许多领域有重要的应用由于肖特基二极管的制造工艺相对比较简单,所以对 SiC 肖特基二极管的研究较为成熟普渡大学最近制造出了阻断电压高达 49kV 的 4H-SiC 肖特基二极管,特征导通电阻为 43mc,这是目前 SiC 肖特基二极管的最高水平 通常限制肖特基二极管阻断电压的主要因素是金半肖特基接触边沿处的电场集中所以提高肖特基二极管阻断电压的主要方法就是采用不同的边沿阻断结构以减弱边沿处的电场集中最常采用的边沿阻断结构有 3 种:深槽阻断、介质阻断和 pn 结阻断普放大学采用的方法是硼注入 pn 结阻断结构,所选用的肖特基接触金属有 Ni,Ti2000 年4 月 Cree 和 Ka
6、nsai 联合研制出一只击穿电压高达 123kV 的 SiC 整流器,主要采用了新的外延工艺和改进的器件设计该器件具有很低的导通电阻,正向导通电压只有 V,电流密度高,可以达到 100Ac,是同类 Si 器件的 5 倍多.SiC 功率器件 由于 SIC 的击穿电场强度大约为 Si 的 8 倍所以 SiC 功率器件的特征导通电阻可以做得小到相应 Si 器件的 1/400常见的功率器件有功率 MOSFET、IGBT 以及多种 MOS 控制闸流管等为了提高器件阻断电压和降低导通电阻,许多优化的器件结构已经被使用表 1 给出了已报道的最好的 SiC 功率 MOSFET 器件的性能数据 Si 功率 MO
7、SFET 的功率优值的理论极限大约为 5MW除了横向 DM0SFET 因为特征导通电阻较高而使得优值较小外,其他 SiC 功率器件的功率优值均大于 Si 功率 MOSFET 器件的理论极限,特别是普渡大学制造的 UMOS 累积型 FET 的大功率优值是 Si 极限值的 25 倍 13 SiC 开关器件 到目前为止,SzC 开关器件,无论是 MOSFETs 还是半导体闸流管,通常都是采用纵向器件结构,用衬底作为阴极关态时,电压被一个反偏的 pn 结阻断为了获得更高阻断电压,该 pn 的一边即“漂移区”很厚,而且掺杂浓度要低,所以纵向 SiC 功率开关器件的阻断电压主要依赖于漂移区的掺杂浓度和厚度
8、漂移区厚度一定时,不管掺杂浓度如何,总存在一个最大可能的阻断电压然而至今,所能获得的 SiC 外延层的厚度最大只有 10m 这就决定了最大可能的阻断电压大约为 1600V有效克服这一限制的方法就是改变器件的结构,即采用横向器件结构普渡大学已经采用横向器件结构制造出了横向DMOSFETs首先在绝缘 4HSiC 讨底上外延 n 型 SiC,然后在外延层上制造器件显然,横向器件结构的最大阻断电压不受外延层厚度的限制,采用这种结构已经制造出了阻断电压高达 26kV 的 LDMOSFETs然而目前的横向 LDMOSFET 的特征导通电阻还比较高,这主要是因为当用横向结构代替纵向结构时所需的器件面积将会增
9、大如果能够把减小表面电场概念和器件设计结合起来,那么导通电阻能够做得比相应的纵向器件还低 14 SiC 微波 S 件 SiC 的高饱和漂移速度、高击穿场强和高热导率特性使得 SiC 成为 1-10GHz 范围的大功率微波放大器的理想材料短沟道 SiC MESFETs 的特征频率已经达到 22GHz最高指荡频率 f 可以达到 50GHz静电感应晶体管(SITs)在 600MHz 时功率可以达到 470W(功率密度为 136Wmm),3GHz 时功率为 38W(12Wmm)由于 SiC 的热导率很高(GaAs 的0 倍,GaN 的 3 倍),工作产生的热量可以很快地从衬底散发通过改进器件结构,Si
10、C SITs 的特征频率目前可以达到 7GHz最近普渡大学在半绝缘 4HSiC 上制造出了一种亚微米 T 型栅 MESFETs,饱和漏电流为 350mAmm,跨导为 20m5mm,漏击穿电压为 120V,最大可获得的射频功率密度为 32Wmm 1.5 SiC 器件的高温特性 SiC 器件在 300C 以上高温条件下的工作特性也被大量研究,NASA 制造的 6HSiC 掩埋栅 JE2T 在 600C 高温下表现出很好的低泄漏开关特性然而,该器件在此高温下只工作了 30 个小时,器件发生了很小的退化,退化原因是接触金屑的氧化但是当SiC器件在惰性气体环境中工作,在 600C 高温下寿命要长得多只要
11、改善工艺控制的精确性并解决好接触金属和封装问题,SiC 器件的高温寿命就会大大提高.2 SiC 集成电路的研究现状?与 S1C 分立器件追求高电压、大功率、高频以及高温特性不同,SiC 集成电路的研究目标主要是获得高温数字电路,用于智能功率 ICs 的控制电路由于 SiC 集成电路工作对内部电场很低,所以微管缺陷的影响将大大减弱,这可以从第一片单片 SiC 集成运算放大器芯片得到验证,实际成品宰远远高于微管缺陷所决定的成品率,因此,基于 SiC 的成品率模型与 Si 和 CaAs 材料是明显不同的该芯片是基于耗尽型 NMOSFET 技术主要是因为反型沟道 SiC MOSFETs 的有效载流子迁
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- 第三代 半导体 SiC 碳化硅 器件 及其 应用
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