模电温度上下限报警器.pdf
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1、 课程设计报告 1设计课题:温度上下限报警电路 2课程设计目的:(1)巩固所学的相关理论知识;(2)实践所掌握的电子制作技能;(3)会运用 EDA 工具对所作出的理论设计进行模拟仿真测试,进一步完善理论设计(4)通过查阅手册和文献资料,熟悉常用电子器件的类型和特性,并掌握合理选用元器件的原则(5)掌握模拟电路的安装测量与调试的基本技能,熟悉电子仪器的正确使用方法,能力分析实验中出现的正常或不正常现象(或数据)独立解决调试中所发生的问题(6)学会撰写课程设计报告(7)培养实事求是,严谨的工作态度和严肃的工作作风.(8)完成一个实际的电子产品;进一步提高分析问题、解决问题的能力 3系统知识介绍(1
2、)运算放大器(Operational Amplifier,简称 OP、OPA、OPAMP)是一种直流耦合差模(差动模式)输入、通常为单端输出(Differential-in,single-ended output)的高增益(gain)电压放大器,因为刚开始主要用于加法,乘法等运算电路中 3系统知识介绍 ,因而得名。一个理想的运算放大器必须具备下列特性:无限大的输入阻抗、等于零的输出阻抗、无限大的开回路增益、无限大的共模排斥比的部分、无限大的频宽。最基本的运算放大器如图。一个运算放大器模组一般包括一个正输入端 Vp、一个负输入端 Vn 和一个输出端 Vo。VoAvo(VpVn)(2)晶体三极管
3、晶体三极管(Semiconductor Transistor)利用特殊工艺将两个 PN 结结合在一起就构成了双极型三极管。1.结构和符号:结构特点:e 区掺杂浓度最高,b 区薄,掺杂浓度最底;c 区面积最大。分类:构成材料:硅管、锗管 结 构:PNP、NPN 使用频率:低频管、高频管 功 率:小功率管、中功率管、大功率管 2.电流放大原理 (1)放大条件 内部条件:e 区掺杂浓度最高,b 区薄,掺杂浓度最底;c 区面积最大。外部条件:发射结(e 结)加正向偏置电压,集电结(c 结)加反向偏置电压。电位条件:NPN 型:VcVbVe;PNP 型:VcVbVe 电压数值:UBE:硅 0.5-0.8
4、V,锗 0.1-0.3V UCB:几伏十几伏 UCE:UCEUCB UBE 几伏+几伏 (2)三极管内部(NPN 型为例)1)发射区不断向基区注入多子(电子),形成发射极电流 IE。2)向发射区扩散的基区多子(空穴)因数量小被忽略。这样,到达基区的电子多数向 BC 结方向扩 散形成 ICN。少数与空穴复合,形成 IBN。基区空穴来源主要来自基极电源提供(IB)和集电区少子漂移(ICBO)。即 IBN IB+ICBO,IB=IBN ICBO 3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC,I C=ICN +ICBO。(4)三极管各极电流之间的分配关系 IB=I BN-ICBO,IC=I CN
5、+ICBO 当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定 4电路方案与系统、参数设计;(1)电路系统设计:温度上下报警器是用变阻器来模拟温度的变化。当温度达到一定温度上限时要求红灯亮,要设定一个温度的上限值,当温度达到下限时绿灯亮,要设定一个下限值。并且输出的信号要求稳定,用反向迟滞比较器。用一个变阻器设定温度的上下限接在运放的同相端,一个变阻器模拟温度变化,接在运放的反相端。通过反相迟滞比较器输出的信号为正负一定值,然后接接发光二级管。要用 NPN 和 PNP 两种三极管对反相迟滞比较器输出的信号进行放大,再分别接上红绿发光二级管。该系统需 3 个部分组成
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- 温度 下限 报警器
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