数字电子技术-第二章优秀PPT.ppt

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1、一、门电路一、门电路 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路与与 或或 非非 与与 非非 或或 非非 异或异或与或非与或非与与 门门或或 门门非非 门门与与 非非 门门或或 非非 门门异或门异或门与或非门与或非门概概 述述二、逻辑变量与两状态开关二、逻辑变量与两状态开关低电平低电平 高电平高电平 断开断开闭合闭合高电平高电平 3 V低电平低电平 0 V二值逻辑二值逻辑:全部逻辑变量只有两种取值全部逻辑变量只有两种取值(1(1 或或 0)0)。数字电路数字电路:通过电子开关通过电子开关 S 的两种状态的两种状态(开或关开或关)获得高、低电平，用来

2、表示获得高、低电平，用来表示 1 或或 0。3V3V逻辑状态逻辑状态1001S 可由可由二极管二极管、三极管三极管或或 MOS 管实现管实现三、高、低电平与正、负逻辑三、高、低电平与正、负逻辑负逻辑负逻辑正逻辑正逻辑0V5V2.4V0.8V 高电平和低电平是两个不同的可以截然区高电平和低电平是两个不同的可以截然区分开来的电压范围。分开来的电压范围。010V5V2.4V0.8V10四、分立元件门电路和集成门电路四、分立元件门电路和集成门电路1.分立元件门电路分立元件门电路用分立的元器件和导线连接起来构成的门电路。用分立的元器件和导线连接起来构成的门电路。2.集成门电路集成门电路 把构成门电路的元

3、器件和连线，都制作在一块半把构成门电路的元器件和连线，都制作在一块半导体芯片上，再封装起来。导体芯片上，再封装起来。常用：常用：CMOS 和和 TTL 集成门电路集成门电路五、数字集成电路的集成度五、数字集成电路的集成度一块芯片中含有等效逻辑门或元器件的个数一块芯片中含有等效逻辑门或元器件的个数小规模集成电路小规模集成电路 SSI(Small Scale Integration)10 门门/片片或或 10 000 门门/片片或或 100 000 元器件元器件/片片2.1.1 志向开关的开关特性志向开关的开关特性一、一、静态特性静态特性1.断开断开2.闭合闭合SAK2.1 半导体二极管半导体二极

4、管、三极管、三极管和和 MOS 管的开关特性管的开关特性二、动态特性二、动态特性1.开通时间：开通时间：2.关断时间：关断时间：闭合）闭合）（断开（断开断开）断开）（闭合（闭合一般开关：静态特性好，动态特性差一般开关：静态特性好，动态特性差半导体开关：半导体开关：静态特性较差，动态特性好静态特性较差，动态特性好几百万几百万/秒秒几千万几千万/秒秒SAK2.1.2 半导体二极管的开关特性半导体二极管的开关特性一、静态特性一、静态特性1.外加正向电压外加正向电压(正偏正偏)二极管导通二极管导通(相当于开关闭合相当于开关闭合)2.外加反向电压外加反向电压(反偏反偏)二极管截止二极管截止(相当于开关断

5、开相当于开关断开)硅二极管伏安特性硅二极管伏安特性阴极阴极A阳极阳极KPN结结-AK+P区区N区区+-正向正向导通区导通区反向反向截止区截止区反向反向击穿区击穿区0.5 0.7/mA/V0D+-+-二极管的开关作用：二极管的开关作用：例例 uO=0 VuO=2.3 V电路如图所示，电路如图所示，试判别二极管的工作试判别二极管的工作状态及输出电压。状态及输出电压。二极管截止二极管截止二极管导通二极管导通 解解 D0.7 V+-二、动态特性二、动态特性1.二极管的电容效应二极管的电容效应结电容结电容 C j扩散电容扩散电容 C D2.二极管的开关时间二极管的开关时间电容效应使二极管电容效应使二极管

6、的通断须要一段延的通断须要一段延迟时间才能完成迟时间才能完成tt00(反向复原时间反向复原时间)ton 开通时间开通时间toff 关断时间关断时间一、静态特性一、静态特性NPN2.1.3 半导体三极管的开关特性半导体三极管的开关特性放射结放射结集电结集电结发射极发射极emitter基极基极base集电极集电极collectorbiBiCec(电流限制型电流限制型)1.结构、符号和输入、输出特性结构、符号和输入、输出特性(2)符号符号NNP(Transistor)(1)结构结构(3)输入特性输入特性(4)输出特性输出特性iC/mAuCE /V50 A40A30 A20 A10 AiB=00 2

7、4 6 8 4321放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区0uBE /ViB/A放射结正偏放射结正偏放大放大i C=iB集电结反偏集电结反偏饱和饱和 i C iB两个结正偏两个结正偏I CS=IBS临界临界截止截止iB 0,iC 0两个结反偏两个结反偏电流关系电流关系状态状态 条条 件件半导体三极管的开关作用半导体三极管的开关作用RbRc+VCCb ce饱和状态等效电路饱和状态等效电路iBIBSui=UIHuces=0.3VRbRc+VCCbce0.7V0.3V截止状态等效电路截止状态等效电路2.1.4 MOS 管的开关特性管的开关特性(电压限制型电压限制型)MOS（Mental Oxide S

8、emiconductor）金属金属 氧化物氧化物 半导体半导体场效应管场效应管一、一、静态特性静态特性1.结构和特性结构和特性：(1)N 沟道沟道 栅极栅极 G漏极漏极 DB 源极源极 S3V4V5VuGS=6ViD/mA42643210uGS/ViD/mA43210246810uDS/V可可变变电电阻阻区区恒流区恒流区UTNiD开启电压开启电压UTN=2 V+-uGS+-uDS衬衬底底漏极特性漏极特性转移特性转移特性uDS=6V截止区截止区2.MOS管的开关作用：管的开关作用：N 沟道增加型沟道增加型 MOS 管管+VDD+10VRD20 k BGDSuIuO+VDD+10VRD20 k G

9、DSuIuO开启电压开启电压UTN=2 ViD+VDD+10VRD20 k GDSuIuORONRDuYuAuBR0D2D1+VCC+10V2.2.1 二极管与门和或门二极管与门和或门一、一、二极管与门二极管与门3V0V符号符号:与门与门（AND gate)ABY&0 V0 VUD=0.7 V0 V3 V3 V0 V3 V3 V真值表真值表A BY0 00 11 01 10001Y=AB电压关系表电压关系表uA/VuB/VuY/VD1 D20 00 33 03 3导通导通 导通导通0.7导通导通 截止截止0.7截止截止 导通导通0.7导通导通 导通导通3.72.2 分立元器件门电路分立元器件门

10、电路二、二、二极管或门二极管或门uY/V3V0V符号符号:或门或门（AND gate)ABY10 V0 VUD=0.7 V0 V3 V3 V0 V3 V3 VuYuAuBROD2D1-VSS-10V真值表真值表A BY0 00 11 01 10111电压关系表电压关系表uA/VuB/VD1 D20 00 33 03 3导通导通 导通导通-0.7截止截止 导通导通2.3导通导通 截止截止2.3导通导通 导通导通2.3Y=A+B一、半导体三极管非门一、半导体三极管非门T 截止截止T导通导通2.2.2 三极管非门（反相器）三极管非门（反相器）饱和导通条件饱和导通条件:+VCC+5V1 k RcRbT

11、+-+-uIuO4.3 k =30iBiCT 饱和饱和因为因为所以所以电压关系表电压关系表uI/VuO/V0550.3真值表真值表0110AY符号符号函数式函数式+VCC+5V1 k RcRbT+-+-uIuO4.3 k =30iBiC三极管非门三极管非门:AY1AY动态特性动态特性5t00.9ICS0.1ICSt050.3t0二、二、MOS 三极管非门三极管非门MOS管截止管截止2.MOS 管导通管导通（在在可变电阻区）可变电阻区）真值表真值表0110AY+VDD+10VRD20 k BGDSuIuO1.+-uGS+-uDS故故+VDD+10VB1G1D1S1uAuYTNTPB2D2S2G2

12、VSS+-uGSN+-uGSP2.3.1 CMOS 反相器反相器一、一、电路组成及工作原理电路组成及工作原理AY10V+10VuAuGSNuGSPTNTPuY0 V UTN UTN UTP导通导通截止截止0 VUTN=2 VUTP=-2 V+10VRONPuY+VDD10VSTNTP+10VRONNuY+VDD0VSTNTP2.3 CMOS 集成集成门电路门电路Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor二、二、静态特性静态特性1.电压传输特性：电压传输特性：iD+VDDB1G1D1S1+uI-uOTNTPB2D2S2G2VSSABCDEFUTNVDDUTHU

13、TPUNLUNHAB 段：段：uI UTN ，uO=VDD 、iD 0，功耗微小。功耗微小。0uO/VuI/VTN 截止、截止、TP 导通，导通，BC 段：段：TN 导通导通，uO 略下降。略下降。CD 段：段：TN、TP 均均导通。导通。DE、EF 段：段：与与 BC、AB 段对应，段对应，TN、TP 的状态与之相反。的状态与之相反。转折电压转折电压指为规定值时，允许波动的最大范围。指为规定值时，允许波动的最大范围。UNL：输入为低电平常的噪声容限。输入为低电平常的噪声容限。UNH：输入为高电平常的噪声容限。输入为高电平常的噪声容限。=0.3VDD噪声容限：噪声容限：2.电流传输特性：电流传

14、输特性：iD+VDDB1G1D1S1+uI-uOTNTPB2D2S2G2VSSABCDEFUTNVDDUTHUTPUNLUNH0uO/VuI/VA BCDEF0iD/mAuI/VUTH电压传输特性电压传输特性电流传输特性电流传输特性AB、EF 段：段：TN、TP总有一个为总有一个为截止状态，故截止状态，故 iD 0。CD 段：段：TN、Tp 均导通，流过均导通，流过两管的漏极电流达到最大两管的漏极电流达到最大值值 iD=iD（max)。阈值电压：阈值电压：UTH=0.5 VDD（VDD=3 18 V）2.3.2 CMOS 与非门、或非门、与门和或门与非门、或非门、与门和或门（略）（略）2.3.

15、4 CMOS 传输门、三态门和漏极开路门传输门、三态门和漏极开路门一、一、CMOS传输门传输门(双向模拟开关双向模拟开关)1.电路组成：电路组成：TPCVSS+VDDIO/uuOI/uuTNCIO/uuOI/uuTG2.工作原理：工作原理：TN、TP均导通，均导通，TN、TP均截止，均截止，导通电阻小导通电阻小(几百欧姆几百欧姆)关断电阻大关断电阻大(109 )(TG 门门 Transmission Gate)二、二、CMOS 三态门三态门1.电路组成电路组成+VDDVSSTP2TN1TP1AYTN212.工作原理工作原理Y 与上、下都断开与上、下都断开 TP2、TN2 均截止均截止Y=Z(高

16、阻态高阻态 非非 1 非非 0)TP2、TN2 均导通均导通011 010限制端低电平有效限制端低电平有效(1 或或 0)3.逻辑符号逻辑符号YA1EN使能端使能端 EN 三、三、CMOS 漏极开路漏极开路门门(OD门门 Open Drain)1.电路组成电路组成BA&1+V DDYBGDSTNVSSRD外接外接YAB&符号符号(1)漏极开路，工作时必需外接电源和电阻。漏极开路，工作时必需外接电源和电阻。2.主要特点主要特点(2)可以实现线与功能：可以实现线与功能：输出端用导线连接起来实现与运算。输出端用导线连接起来实现与运算。YCD&P1P2+V DDYRD(3)可实现逻辑电平变换：可实现逻

17、辑电平变换：(4)带负载实力强。带负载实力强。一、一、CC4000 和和 C000 系列集成电路系列集成电路1.CC4000 系列：系列：符合国家标准，电源电压为符合国家标准，电源电压为 3 18 V，功能和外部引线排列与对，功能和外部引线排列与对应序号的国外产品相同。应序号的国外产品相同。2.C000 系列：系列：早期集成电路，电源电压为早期集成电路，电源电压为 7 15 V，外部引线排列依次与外部引线排列依次与 CC4000 不同，不同，用时需查阅有关手册。用时需查阅有关手册。传输延迟时间传输延迟时间 tpd标准门标准门=100 nsHCMOS=9nsHCMOS:54/74 系列系列54/

18、74 HC(带缓冲输出带缓冲输出)54/74 HCU(不带缓冲输出不带缓冲输出)54/74 HCT(与与 LSTTL 兼容兼容)二、高速二、高速 CMOS(HCMOS)集成电路集成电路2.3.5 CMOS 电路运用中应留意的几个问题电路运用中应留意的几个问题三、三、CMOS 集成电路的主要特点集成电路的主要特点(1)功耗极低。功耗极低。LSI：几个：几个 W，MSI：100 W(2)电源电压范围宽。电源电压范围宽。CC4000 系列：系列：VDD=3 18 V(3)抗干扰实力强。抗干扰实力强。输入端噪声容限输入端噪声容限=0.3VDD 0.45VDD(4)逻辑摆幅大。逻辑摆幅大。(5)输入阻抗

19、极高。输入阻抗极高。(6)扇出实力强。扇出实力强。扇出系数：带同类门电路的个数，其大小扇出系数：带同类门电路的个数，其大小 反映了门电路的带负载实力。反映了门电路的带负载实力。(7)集成度很高，温度稳定性好。集成度很高，温度稳定性好。(8)抗辐射实力强。抗辐射实力强。(9)成本低。成本低。CC4000系列：系列：50个个四、四、CMOS 电路运用中应留意的几个问题电路运用中应留意的几个问题1.留意输入端的静电防护。留意输入端的静电防护。2.留意输入电路的过流爱护。留意输入电路的过流爱护。3.留意电源电压极性。留意电源电压极性。5.多余的输入端不应悬空。多余的输入端不应悬空。6.输入端外接电阻的

20、大小不会引起输入电平的变更。输入端外接电阻的大小不会引起输入电平的变更。与与门门、与与非门非门：接电源接电源 或或 与其他输入端并联与其他输入端并联或或门门、或或非门非门：接地接地 或或 与其他输入端并联与其他输入端并联多余输入端多余输入端 的处理的处理思索缘由思索缘由？4.输出端不能和电源、地短接。输出端不能和电源、地短接。因为输入阻抗极高因为输入阻抗极高（108 ）故故 输入电流输入电流 0，电阻上的压降，电阻上的压降 0。（TransistorTransistor Logic）一、电路组成及工作原理一、电路组成及工作原理+VCC(5V)R1uIuo4k AD1T1T2T3T4DR21.6

21、k R31k R4130 Y输入级输入级中间级中间级输出级输出级D1 爱护二极管爱护二极管 防止输入电压过低。防止输入电压过低。当当 uI uB uE现在现在:uE uB uC ，即即 放射结反偏放射结反偏 集电结正偏集电结正偏 T1倒置放大倒置放大iii=i ib=(1+i)ib4.3Vc e 3.6 V1.4V0.7V2.1V1.4V+VCC(5V)R1uIuo4k AT1T2T3T4DR21.6k R31k R4130 YT1 倒置放大状态倒置放大状态假设假设 T2 饱和导通饱和导通T3、D 均截止均截止(设设1 4=20)T2 饱和的假设成立饱和的假设成立0.3ViB21VICS2iB

22、10.7V2.1V思索：思索：D 的作用？的作用？若无若无 D，此时，此时 T3 可以可以导通，电路将不能实现导通，电路将不能实现正常的逻辑运算正常的逻辑运算因为因为3.6 ViE1+VCC(5V)R1uIuo4k AT1T2T3T4DR21.6k R31k R4130 YT1 倒置放大状态倒置放大状态T2 饱和，饱和，T3、D 均截止均截止3.6 2.1 1.4 0.7 1 T4 的工作状态：导通的工作状态：导通放大还是放大还是饱和？饱和？iB2ICS2iB1iE1iE2iB4iR3又因为又因为 T3、D 均截止，即均截止，即 T4 深度饱和：深度饱和：uO=UCES4 0.3V（无外接负载

23、）（无外接负载）若外接负载若外接负载 RL：RL+VCC0.3 所以所以灌电流负灌电流负载载输入短路电流输入短路电流 IIS二、静态特性二、静态特性1.输入特性输入特性(1)(1)输入伏安特性：输入伏安特性：1iI+VCC+5 VuI+-uoT1iIuI+-be2be4+VCC+5 VR14k IV/uImA/i012-1ISIILIUILUIHIHI低电平输入电流低电平输入电流 IIL 高电平输入电流高电平输入电流或输入端漏电流或输入端漏电流 IIH即：当即：当 Ri 为为 2.5 k 以上电阻时，输入由以上电阻时，输入由低电平低电平变为变为高电平高电平(2)输入端负载特性：输入端负载特性：

24、1+VCC+5VuI+-uoRiT1iB1uI+-be2be4+VCC+5 VR14k RiRi/026412uI/VT2、T4饱和导通饱和导通Ri=Ron 开门电阻开门电阻（2.5 k）RonT2、T4 截止截止Ri=Roff 关门电阻关门电阻（0.7 k）即：当即：当 Ri 为为 0.7 k 以下电阻时以下电阻时,输入端相当于低电平。输入端相当于低电平。Roff0.7 V1.4 V2.输出特性输出特性uO1+VCC+5 VuI+-+-iOuO/ViO/mA0 10 20 30-10-20-30123在输出为低电平条件下，带灌在输出为低电平条件下，带灌电流负载实力电流负载实力 IOL 可达可

25、达 16 mA0.3V受功耗限制，带拉电流负载实受功耗限制，带拉电流负载实力力 IOH 可一般为可一般为-400 A3.6V 留意：留意：输出短路电流输出短路电流 IOS 可达可达-33 mA，将，将造成器件过热烧毁造成器件过热烧毁，故门电路，故门电路输出端不输出端不能接地能接地！3.电压传输特性：电压传输特性：1+VCC+5VuI+-uO+-A B0uO/VuI/V12341234AB 段：段：uI 0.5 V，uB1 1.4 V ，T2、T4 饱和饱和导通，导通，T3、D 截止。截止。uO=UOL 0.3 V阈值电压阈值电压4.输入端噪声容限输入端噪声容限uIuO1G1G21输出高电平输出

26、高电平典型值典型值=3.6 V 输出低电平输出低电平典型值典型值=0.3 V 输入高电平输入高电平典型值典型值=3.6 V 输入低电平输入低电平典型值典型值=0.3 V UNH 允许叠加的负向噪声电压的最大值允许叠加的负向噪声电压的最大值G2 输入高电平常的噪声容限：输入高电平常的噪声容限：UNL 允许叠加的正向噪声电压的最大值允许叠加的正向噪声电压的最大值G2 输入低电平常的噪声容限：输入低电平常的噪声容限：开门电平开门电平关门电平关门电平三、动态特性三、动态特性传输延迟时间传输延迟时间1uIuO 50%Uom50%UimtuI0tuO0UimUomtPHL 输出电压由高到输出电压由高到 低

27、时的传输延迟低时的传输延迟 时间。时间。tpd 平均传输延迟时间平均传输延迟时间tPLH 输出电压由低到输出电压由低到 高时的传输延迟高时的传输延迟 时间。时间。tPHLtPLH典型值：典型值：tPHL=8 ns,tPLH=12 ns最大值：最大值：tPHL=15 ns,tPLH=22 ns2.4.2 TTL与非门和其他逻辑门电路与非门和其他逻辑门电路（略）（略）一、一、集电极开路门集电极开路门OC 门门(Open Collector Gate)+VCC+5VR1AD2T1T2T4R2R3YD1B 1.电路组成及符号电路组成及符号+V CCRC外外接接YAB&+V CCRCOC 门必需外接负载

28、电阻门必需外接负载电阻和电源才能正常工作。和电源才能正常工作。可以线与连接可以线与连接V CC 依据电路依据电路须要进行选择须要进行选择 2.OC 门的主要特点门的主要特点2.4.3 TTL 集电极开路门和三态门集电极开路门和三态门线与连接举例：线与连接举例：+VCCAT1T2T4Y1B+VCCCT 1T 2T 4Y2D+V CCRC+V CCRCY1AB&G1Y2CD&G2线与线与YY二、二、输出三态门输出三态门 TSL门门(Three-State Logic)(1)使能端低电平有效使能端低电平有效1.电路组成电路组成+VCC+5VR1AT1T2T3T4DR2R3R4YB1D3使能端使能端(

29、2)使能端高电平有效使能端高电平有效1ENYA&BENYA&BENEN以使能端低电平有效为例：以使能端低电平有效为例：2.三态门的工作原理三态门的工作原理PQP=1（高电平）（高电平）电路处于正常电路处于正常工作状态：工作状态：D3 截止，截止，（Y=0 或或 1）+VCC+5VR1AT1T2T3T4DR2R3R4YB1D3使能端使能端P=0(低电平低电平)D3 导通导通 T2、T4截止截止uQ 1 VT3、D 截止截止输出端与上、下均断开输出端与上、下均断开+VCC+5VR1AT1T2T3T4DR2R3R4YB1D3可能输出状态：可能输出状态：0、1 或高阻态或高阻态QP 高阻态高阻态记做记

30、做 Y=Z使能端使能端3.应用举例：应用举例：(1)用做多路开关用做多路开关YA11EN1ENA21G1G2使能端使能端10禁止禁止使能使能01使能使能禁止禁止(2)用于信号双向传输用于信号双向传输A11EN1ENA21G1G201禁止禁止使能使能10使能使能禁止禁止(3)构成数据总线构成数据总线EN1EN1EN1G1G2GnA1A2An数据总线数据总线011101110 留意：留意：任何时刻，只允许一个三态门使能，任何时刻，只允许一个三态门使能，其余为高阻态。其余为高阻态。一、半导体二极管、三极管和一、半导体二极管、三极管和一、半导体二极管、三极管和一、半导体二极管、三极管和 MOS MOS

31、 管管管管 是数字电路中的基本开关元件，一般都工作在开关是数字电路中的基本开关元件，一般都工作在开关状态。状态。1.半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管：是不行控的，利用其开关特性可构成是不行控的，利用其开关特性可构成二极管与门和或门。二极管与门和或门。2.半导体三极管半导体三极管半导体三极管半导体三极管：是一种用电流限制且具有放大特性的开是一种用电流限制且具有放大特性的开关元件，关元件，利用三极管的饱和导通与截止利用三极管的饱和导通与截止特性可构成特性可构成 非门非门 和其它和其它 TTL 集成门电集成门电路。路。3.MOSMOS管管管管：是一种具有放大特性的由电压限制的开关元件

32、，是一种具有放大特性的由电压限制的开关元件，利用利用 N 沟道沟道 MOS 管和管和 P 沟道沟道 MOS 管可构成管可构成CMOS 反相器和其它反相器和其它 CMOS 集成门电路。集成门电路。其次章其次章 小结小结二、分立元件门电路二、分立元件门电路二、分立元件门电路二、分立元件门电路 主要介绍了由主要介绍了由半导体二极管、三极管和半导体二极管、三极管和半导体二极管、三极管和半导体二极管、三极管和 MOS MOS 管管管管构成的与门、或门和非门。构成的与门、或门和非门。虽然，虽然，分立元件门电路分立元件门电路不是本章的重点，但是不是本章的重点，但是通过对这些电路的分析，可以体会到通过对这些电

33、路的分析，可以体会到与与、或或、非非三三种最基本的逻辑运算，是如何用半导体电子电路实种最基本的逻辑运算，是如何用半导体电子电路实现的，这将有助于后面现的，这将有助于后面集成门电路集成门电路的学习。的学习。三、集成门电路三、集成门电路三、集成门电路三、集成门电路 本章重点本章重点本章重点本章重点 主要介绍了主要介绍了 CMOS 和和 TTL 集成门电路，重点应集成门电路，重点应放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特性上。性上。1.逻辑特性（逻辑功能）逻辑特性（逻辑功能）逻辑特性（逻辑功能）逻辑特性（逻辑功能）：一般功能一般功能 与门、或门、非

34、门、与非门、或非门、与或非与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非 门和异或门。门和异或门。特殊功能特殊功能 三态门、三态门、OC门、门、OD门和传输门。门和传输门。2.电气特性电气特性电气特性电气特性：静态特性静态特性 主要是输入特性、输出特性和传输特性。主要是输入特性、输出特性和传输特性。动态特性动态特性 主要是传输延迟时间的概念。主要是传输延迟时间的概念。3、驾驭、驾驭 CMOS 和和 TTL 集成门电路的一些集成门电路的一些重要概念。重要概念。拉电流负载、灌电流负载、扇出系数、拉电流负载、灌电流负载、扇出系数、开门电阻、关门电阻、输入端短路电流、开门电阻、关门电阻、输入端短路电流、噪声

35、容限、传输延迟时间等；噪声容限、传输延迟时间等；四、集成门电路运用中应留意的几个问题四、集成门电路运用中应留意的几个问题四、集成门电路运用中应留意的几个问题四、集成门电路运用中应留意的几个问题 TTLCMOS分类分类工作电源工作电源VCC=5 VVDD=3 18 V输出电平输出电平UOL=0.3 V UOH=3.6 V UOL 0 V UOH VDD UTH=0.5 VDD UTH=1.4 V 阈值电压阈值电压输入端串输入端串接电阻接电阻Ri当当 Ri Ron（2.5 k ）输入由输入由 0 1在确定范围内，在确定范围内，Ri的改的改变不会影响输入电平变不会影响输入电平输入端输入端 悬空悬空即

36、即 Ri=输入为输入为 “1”不允许不允许多余输入多余输入端的处理端的处理1.与门、与非门接电源；或门、或非门接地。与门、与非门接电源；或门、或非门接地。2.与其它输入端并联。与其它输入端并联。练习练习 写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。写出图中所示各个门电路输出端的逻辑表达式。TTLCMOS&A悬空悬空&A悬空悬空 不允许不允许&A100 100k=1&A100 100k=1=1 第十四周起先，地点九教二楼：第十四周起先，地点九教二楼：周一周一 09.0011.15 一班一班 周四周四 10.0012.15 三班三班 周四周四 14.0016.15 二班二班 试验支配试验支配 P135 2.1 P140 2.14 作作 业业