电子器件辐照注意问题(共4页).doc

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1、精选优质文档-倾情为你奉上电子器件辐照注意问题一、对辐射源的注意问题1、源的类型，活度，粒子产额。2、粒子空间剂量分布。二、辐照过程注意问题1、器件的辐照方式 a:静态辐照：辐照过程中器件不加电。b：动态辐照：辐照过程中器件加电（全程加电or间断加电）。2、对于辐照数据采集中线路受照射产生干扰的问题。三、对器件本身1、常用集成电路抗辐射的比较如下表 MOS为Metal-Oxide-Semiconductor 对应的为 金属-氧化物-半导体，MOS管又有P型MOS管和N型MOS管之分，MOS管构成的集成电路叫MOS集成电路，和NMOS管互补共同构成的MOS集成电路叫CMOS集成电路 Comple

2、mentary Metal Oxide Semiconductor，。CMOS 非门电路结构：用一个 PMOS 和一个 NMOS 组成的互补对称 MOS 构成的 CMOS 单元是目前数字技术中广泛使用单元电路。 2012-4-17 23:13:27 上传 如图示 CMOS 非门电路结构，将增强型 PMOS 和 NMOS 的栅极（G）接在一起，漏极（D）也接在一起，PMOS 的源极（S）接在正的供电电源上，NMOS 的源极（S）接在地上。对 NMOS 管，当 vDS0，vGSVtN 时，管子导通；对 PMOS 管，当 vDS0，vGS=0.1MEV；伽马射线条件为：剂量23*107rad(si)。4、选择最佳的退火温度和退回时间，使器件尽可能的恢复到辐照前的特征。通常成品器件的退火温度范围为120180度，为封装的芯片温度范围为200400度。5、器件的辐射预筛选可直接用管芯进行，这样有利于降低筛选成本。6、通过适度辐射进行筛选，毕竟带有一定程度的破坏性，所以近年来研究完成非破坏性的辐照预筛选的新方案。初步的研究结果表明，通过测量双极晶体管在反偏雪崩状态下的离子体噪声或mos器件的1/f噪声，可以不经辐照对这些器件抗辐射能力作出评估。专心-专注-专业