第5章磁电式传感器课件.ppt
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1、2023/1/11第第5章章 磁电式传感器磁电式传感器麦克斯韦电磁场理论麦克斯韦电磁场理论 变变化的磁化的磁场场在周在周围围空空间产间产生生电场电场,当,当闭闭合回合回路路导导体体处处在此在此电场电场中中时时,导导体中的自由体中的自由电电子在子在电电场场力作用下作定向移力作用下作定向移动动而而产产生生感感应电应电流流;如果不;如果不是是闭闭合回路,合回路,则导则导体中自由体中自由电电子的定向移子的定向移动动使断使断开开处处两端两端积积累正、累正、负电负电荷而荷而产产生生感感应电动势应电动势。被测量被测量 电信号电信号分类:磁电感应式、霍尔式分类:磁电感应式、霍尔式2023/1/12一一 磁电感
2、应式传感器磁电感应式传感器1、工作原理、工作原理法拉第电法拉第电磁磁感应定律:感应定律:为磁通量磁通量B为磁感应强度为磁感应强度l为导体长度为导体长度v相对运动速度相对运动速度磁铁与线圈之间作相对运动磁铁与线圈之间作相对运动磁路中的磁阻变化磁路中的磁阻变化恒定磁场中的线圈面积变化恒定磁场中的线圈面积变化磁通量磁通量变化关键变化关键2023/1/13其中:其中:1-1-永久磁铁永久磁铁 2-2-软磁铁软磁铁 3-3-感应线圈感应线圈 4-4-测量齿轮测量齿轮 5-5-内齿轮内齿轮 6-6-外齿轮外齿轮 7-7-转轴转轴(1)变磁通式变磁通式a开磁通式开磁通式 b闭磁通式闭磁通式磁电感应式传感器分
3、类:磁电感应式传感器分类:变磁通式变磁通式和和恒磁通式恒磁通式2023/1/14开磁路变磁通式:线圈、开磁路变磁通式:线圈、磁铁静止不动,测量齿轮安磁铁静止不动,测量齿轮安装在被测旋转体上,随之一装在被测旋转体上,随之一起转动。每转动一个齿,齿起转动。每转动一个齿,齿的凹凸引起磁路磁阻变化一的凹凸引起磁路磁阻变化一次,磁通也就变化一次,线次,磁通也就变化一次,线圈中产生感应电势,其变化圈中产生感应电势,其变化频率等于被测转速与测量齿频率等于被测转速与测量齿轮齿数的乘积。轮齿数的乘积。这种传感器结构简单,但输出信号较小,且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速。2023/1/15闭磁路变磁通式
4、:它由装在转闭磁路变磁通式:它由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成,内外齿轮齿铁和感应线圈组成,内外齿轮齿数相同。数相同。当转轴连接到被测转轴当转轴连接到被测转轴上时,外齿轮不动上时,外齿轮不动,内齿轮随被测内齿轮随被测轴而转动,轴而转动,内、外齿轮的相对转内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化,动使气隙磁阻产生周期性变化,从而引起磁路中磁通的变化,使从而引起磁路中磁通的变化,使线圈内产生周期性变化的感生电线圈内产生周期性变化的感生电动势。动势。显然,感应电势的频率与被测转速成正比。采用测频的方法可以得到被测物体的转动速度。开磁路式转速传感器结
5、构比较简单,但输出信号小,另外当被开磁路式转速传感器结构比较简单,但输出信号小,另外当被测轴振动比较大时,传感器输出波形失真较大。在振动强的场测轴振动比较大时,传感器输出波形失真较大。在振动强的场合往往采用闭磁路式转速传感器。合往往采用闭磁路式转速传感器。2023/1/17(2)恒定磁通式恒定磁通式工作气隙中的磁通恒定工作气隙中的磁通恒定永久磁铁永久磁铁 线线 圈圈相对运动相对运动线圈不动,磁铁运动线圈不动,磁铁运动线圈运动,磁铁不动线圈运动,磁铁不动动圈式动圈式动铁式动铁式2023/1/18感应电动势与线圈相对磁铁运动线速度或角速度正比感应电动势与线圈相对磁铁运动线速度或角速度正比 B气隙磁
6、感应强度气隙磁感应强度(Wb/m2)l 线圈导线总长度线圈导线总长度(m)S线圈所包围的面积线圈所包围的面积(m2)v线圈和磁铁间相对运动的速度线圈和磁铁间相对运动的速度(m/s)线圈和磁铁间相对旋转运动的角速线圈和磁铁间相对旋转运动的角速(rad/s)运动方向与磁感应强度方向的夹角运动方向与磁感应强度方向的夹角式中:式中:磁铁和线圈的相对运动产生切割磁力线从而产生感应电势磁铁和线圈的相对运动产生切割磁力线从而产生感应电势2023/1/19磁电式传感器:利用,测量量变化磁电式传感器:利用,测量量变化 感应电压感应电压e 有源传感器有源传感器电磁式传感器:利用衔铁运动,电磁式传感器:利用衔铁运动
7、,Rm变化变化L 变化变化 U 变化变化 无源传感器无源传感器注意与注意与电磁式传感器电磁式传感器区别区别2023/1/1102、基本特性、基本特性当测量电路接入磁电传感器电路中当测量电路接入磁电传感器电路中,传感器的输出电流传感器的输出电流Io为为 式中式中:Rf 测量电路输入电阻测量电路输入电阻 l每匝线圈平均长度每匝线圈平均长度 R线圈等效电阻线圈等效电阻 N线圈匝数线圈匝数传感器的电流灵敏度为传感器的电流灵敏度为运动速度运动速度传感器ERRfI02023/1/111而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为:而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为:当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、
8、当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、机械振动或冲击时机械振动或冲击时,其灵敏度将发生变化而产生测量误差。其灵敏度将发生变化而产生测量误差。相对误差为:相对误差为:2023/1/112(1)非线性误差非线性误差 磁磁电电式式传传感感器器产产生生非非线线性误差的主要原因是性误差的主要原因是:由由于于传传感感器器线线圈圈内内有有电电流流I流流过过时时,将将产产生生一一定定的的交交变变磁磁通通I,此此交交变变磁磁通通叠叠加加在在永永久久磁磁铁铁所所产产生生的的工工作作磁磁通通上上,使使恒恒定定的的气气隙隙磁磁通通变变化化,如图所示如图所示2023/1/113n当产生的附加磁场方向与原工作磁场
9、方向相反,减弱了工当产生的附加磁场方向与原工作磁场方向相反,减弱了工作磁场的作用,从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的作磁场的作用,从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低。增大而降低。n当线圈的运动速度与图所示方向相反时,感生电势当线圈的运动速度与图所示方向相反时,感生电势E、线、线圈感应电流反向,所产生的附加磁场方向与工作磁场同向圈感应电流反向,所产生的附加磁场方向与工作磁场同向,从而增大了传感器的灵敏度。从而增大了传感器的灵敏度。其结果是线圈运动方向不同时其结果是线圈运动方向不同时,传感器的灵敏传感器的灵敏度具有不同的数值度具有不同的数值2023/1/114为补偿上述附加磁场干扰为
10、补偿上述附加磁场干扰,可在可在传感器中加入补偿线圈传感器中加入补偿线圈,如图所如图所示。示。补偿线圈通以经放大补偿线圈通以经放大K倍倍的电流的电流,适当选择补偿线圈参数适当选择补偿线圈参数,可使其产生的交变磁通与传感可使其产生的交变磁通与传感线圈本身所产生的交变磁通互线圈本身所产生的交变磁通互相抵消相抵消,从而达到补偿的目的。从而达到补偿的目的。补偿线圈补偿线圈2023/1/115对铜线而言,当温度变化时每摄氏度变化量为:dL/L0.16710-4 dR/R0.4310-2 温度变化时对铝镍钴永久磁合金 dB/B-0.0210-2这样可得近似值:t(-4.5%)/10 这一数值是很可观的这一数
11、值是很可观的,所以需要进行热磁分流器温度补偿。所以需要进行热磁分流器温度补偿。(2)温度误差温度误差2023/1/116热磁分流器热磁分流器 由具有很大负温度系数的特殊磁性材料做成。温度正常时将空气气隙磁通分路掉一小部分;而当温度过高时,它的磁导率显著下降,分流掉的磁通显著降低,从而保持空气气隙的工作磁通不随温度变化,维持传感器灵敏度为常数。2023/1/117磁电式传感器是速度传感器,通常具有较高的灵敏磁电式传感器是速度传感器,通常具有较高的灵敏度,不需要增益放大器。度,不需要增益放大器。积分:将速度转换成位移,积分:将速度转换成位移,svdt微分:速度转换成加速度,微分:速度转换成加速度,
12、adv/dt磁电式磁电式传感器传感器量程量程选择选择321前置前置放大放大微分微分电路电路积分积分电路电路主放大器主放大器显显示示或或记记录录3213、测量电路、测量电路2023/1/118(1)磁电式相对速度计磁电式相对速度计 1-顶杆顶杆 2,5-弹簧片弹簧片3-磁铁磁铁 4-线圈线圈6-引出线引出线 7-外壳外壳4、应用、应用 测量时,壳体固定在一个试件上,顶杆顶住另一试件,则测量时,壳体固定在一个试件上,顶杆顶住另一试件,则线圈在磁场中运动速度就是两试件的相对速度。速度计的输出线圈在磁场中运动速度就是两试件的相对速度。速度计的输出电压与两试件的相对速度成正比。相对式速度计可测量的最低电
13、压与两试件的相对速度成正比。相对式速度计可测量的最低频率接近于零。频率接近于零。2023/1/119(2)磁电式扭矩传感器磁电式扭矩传感器2023/1/120在在驱驱动动源源和和负负载载之之间间的的扭扭转转轴轴的的两两侧侧安安装装有有齿齿形形圆圆盘盘,它们旁边装有相应的两个磁电传感器。它们旁边装有相应的两个磁电传感器。当当齿齿形形圆圆盘盘旋旋转转时时,圆圆盘盘齿齿凸凸凹凹引引起起磁磁路路气气隙隙的的变变化化,于于是是磁磁通通量量也也发发生生变变化化,在在线线圈圈中中感感应应出出交交流流电电压压,其其频率等于圆盘上齿数与转数乘积。频率等于圆盘上齿数与转数乘积。当当扭扭矩矩作作用用在在扭扭转转轴轴
14、上上时时,两两个个磁磁电电传传感感器器输输出出的的感感应应电电压压u1和和u2存存在在相相位位差差。这这个个相相位位差差与与扭扭转转轴轴的的扭扭转转角角成成正正比比。这这样样传传感感器器就就可可以以把把扭扭矩矩引引起起的的扭扭转转角角转转换换成成相位差的电信号。相位差的电信号。2023/1/121二二 霍尔式传感器霍尔式传感器n1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。弱而没有得到应用。n随着半导体技术的发展随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制成开始用半导体
15、材料制成霍尔元件霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。和发展。n霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。振动等方面的测量。霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上垂直于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势,半导体薄片称霍尔元件。霍尔式传感器霍尔式传感器一、霍尔传感器工作原理 霍尔器件是一种磁电传感器,其工作机理是霍尔效应。图2.1 霍尔效应原理图 如图2.1所示,在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板,导电板通以电流
16、I,方向如图所示。霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。霍尔式传感器霍尔式传感器 导电板中的电流使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。此时,每个电子受洛伦兹力fl的作用,f1的大小为 fl=eBv式中:e电子电荷;v电子运动平均速度;B磁场的磁感应强度。霍尔式传感器霍尔式传感器 fl的方向如图2.1,此时电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在fl的作用下漂移,结果使金属导电板内侧面积累电子,而外侧面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH,称霍尔电场。该电场强度为 式中,UH为电位差,b为两点间沿电场线方向的距离。霍尔式传感器霍尔式传感器 霍尔电场的出现,使定向运动的电子除了受
17、洛伦兹力作用外,还受到霍尔电场力的作用,其力的大小为eEH,此力阻止电荷继续积累。随着内、外侧面积累电荷的增加,霍尔电场增大,电子受到的霍尔电场力也增大,当电子所受洛伦兹力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反,即 eEH=eBv EH=vB此时电荷不再向两侧面积累,达到平衡状态。霍尔式传感器霍尔式传感器霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势c cd da ab b 若薄片为N型半导体,导电板单位体积内载流子(电子)数为n,电子定向运动平均速度为v v,则激励电流I=n(-e)vbd,即 代入上两式得 霍尔式传感器霍尔式
18、传感器 式中令RH=-1/ne,称之为霍尔常数(反映霍尔效应强弱),其大小取决于导体载流子密度,则 式中,KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。上述推导是针对N型半导体,对于P型半导体,则式中:霍尔式传感器霍尔式传感器 对霍尔片材料的要求,希望有较大的霍尔系数RH,霍尔元件激励极间电阻R=L/(bd),同时R=UI/I=EIL/I=L/(nebd),其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压,EI为霍尔元件激励极间内电场强度,载流子的迁移率,即单位电场作用下载流子的运动速度,=v/E。则 可见,霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元
19、件常制成薄片形状。霍尔式传感器霍尔式传感器由电阻率1/ne或1/pe,得RH=从RH表达式可知,霍尔系数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率的乘积。若要霍尔效应强,即霍尔电势大,则RH值大,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。霍尔式传感器霍尔式传感器 一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。半导体中电子迁移率(电子定向运动平均速度)比空穴迁移率高,因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。霍尔式传感器霍尔式传感器 霍尔元件的结构很简单,它是由
20、霍尔片、四根引线和壳体组成的,如图二.2(a)所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片,引出四根引线:1、1两根引线加激励电压或电流,称激励电极(控制电极);2、2引线为霍尔输出引线,称霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装的。在电路中,霍尔元件一般可用两种符号表示,如图二.2(b)所示。二、霍尔元件的结构和基本电路 霍尔式传感器霍尔式传感器图二.2 霍尔元件(a)外形结构示意图HABCDBCDA(b)图形符号霍尔元件的基本测量电路如图所示,激励电流由电压源供给,其大小可由可变电阻调节。霍尔式传感器霍尔式传感器控制电流端并联输出电势为:2倍控制电流端串联次级绕阻叠加输出E+-直
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- 磁电 传感器 课件
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