模拟电子技术基础习题课件.ppt

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1、模拟电子技术基础习题模拟电子技术基础习题第一章第一章 半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第二章第二章 半导体晶体管及其放大电路半导体晶体管及其放大电路第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路第四章第四章 集成运算放大器集成运算放大器第第六六章章 运放应用电路运放应用电路第第七七章章 功率放大电路功率放大电路第第八八章章 波形发生和变换电路波形发生和变换电路第九章第九章 直流稳压电源直流稳压电源第五章第五章 负反馈放大电路负反馈放大电路第十章第十章 晶闸管及其晶闸管及其应用应用第一章第一章 半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路一、填空：1半导体是导

2、电能力介于_和_之间的物 质。2利用半导体的_特性，可制成杂质半导体；利用半导体的_特性,可制成光敏电阻，利用半导体的_特性,可制成热敏电阻。3PN结加正向电压时_，加反向电压时 _，这种特性称为PN结的 _ 特性。4PN结正向偏置时P区的电位_N区的电位。导体导体绝缘体绝缘体掺杂掺杂光敏光敏热敏热敏单向导电单向导电截止截止高于高于导通导通5 5二极管正向导通的最小电压称为二极管正向导通的最小电压称为_电压，电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_电压电压.6 6二极管最主要的特性是二极管最主要的特性是 ，使用时应考，使用时应考虑的两个主要参数是

3、虑的两个主要参数是 和和 _ _。7 7在常温下，硅二极管的死区电压约在常温下，硅二极管的死区电压约_V_V，导通后在较大电流下的正向压降约导通后在较大电流下的正向压降约_V _V。死区死区单向导电单向导电击穿击穿最大整最大整 流电流流电流 最大反向工作电压最大反向工作电压0.50.78在常温下，锗二极管的死区电压约为_V，导通后在较大电流的正向压降约为_V。9半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_性能越好。10稳压管工作在伏安特性的_区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_。11理想二极管正向电阻为_，反向电阻为 _，这两种状态相当于一个_。0.1V0.3单

4、向导电单向导电反向击穿反向击穿基本不变基本不变0无穷大无穷大开关开关12当温度升高时，二极管的正向电压 _，反向电流_。增大增大减小减小13.整流电路的作用是 _ _，核心元器件是 。14.滤波电路的作用是 。15.单相半波整流与单相桥式整流相比，整流效果好的是 。将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动（交流）成分单相桥式二、选择题：1.1.二极管的导通条件是二极管的导通条件是()()。A.B.死区电压 C.击穿电压。2.2.硅二极管的正向电压在硅二极管的正向电压在0.7V0.7V的基础上增加的基础上增加1010，它，它的电流的电流()()。A.基本不变 B.增加10 C.增加1

5、0以上3.3.锗二极管的正向电压在锗二极管的正向电压在0.3V0.3V的基础上增大的基础上增大1010，它的电流它的电流()()。A.基本不变 B.增加10 C.增加10以上4.4.用万用表的用万用表的 档和档和 档分别测量一个档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 和和 ，则则 与与 的关系为的关系为()()。A.B.C.5.5.当温度为当温度为 时，二极管的导通电压为时，二极管的导通电压为0.7V 0.7V，若其他参数不变，当温度升高到若其他参数不变，当温度升高到 时，二极管的时，二极管的导通电压将导通电压将()()。A.A.等于等于0.

6、7V B.0.7V B.小于小于 0.7V C.0.7V C.大于大于0.7V0.7V6.6.如图所示，如图所示，V VCCCC=12V=12V，二极管均为理想元件，则，二极管均为理想元件，则VDVD1 1、VDVD2 2、VDVD3 3的工作状态为的工作状态为()()。A.VD1导通，VD2、VD3截止 B.VD2导通，VD1、VD3截止 C.VD3导通，VD1、VD2截止 8.电路如图所示,VD1VD3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_。A.B B.C C.A 7.在图示电路中,稳压管VDZ1的稳定电压为9V，VDZ2的稳定电压为15V，输出电压 等于()。A1

7、5V B9V C24V9理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承 受的最大反向电压为_。A小于 B.等于 C.大于 ，小于 D.等于 10单相桥式整流电容滤波电路，当满足 （35）时，负载电阻上的平均电压为_。A.1.1U2 B.0.9U2 C.1.2 U2 D.0.45U21111电路图中电路图中 ，忽略二极管导通压降，忽略二极管导通压降，用示波器观察用示波器观察 的波形，正确的是的波形，正确的是 。12.12.有三个整流电路有三个整流电路A A、B B、C C，负载电压的波形如图所示，符合该，负载电压的波形如图所示，符合该波形的电路是波形的电路是 。三、判断题三、判断题三、判断题三、

8、判断题1.1.在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。（而增大。（）2.2.如果稳压管工作电流如果稳压管工作电流 ，则管子可能被，则管子可能被损坏损坏。（）3.3.光敏二极管用作光的测量时，应该工作在反向偏置光敏二极管用作光的测量时，应该工作在反向偏置状态。状态。（）4.4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流的一半。（都只有负载电流的一半。（）5.5.电容滤波电路的负载电流越大，则滤波效果越好。电容滤波电路的负载电流越大，则滤波效果越好。（）四、分析计算：1.1.判断

9、下列电路中二极管的工作状态。判断下列电路中二极管的工作状态。VD1导通，VD2截止 VD 截止2.图所示，设二极管为理想二极管（导通电压为零），判断二极管是否导通，并求输出电压 。截止截止 0V0V 导通导通 +12V+12V 截止截止 +6V+6V 导通导通 0V 导通导通 -12V-12V 3.如图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压 。4.电路如图所示，设 ，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 的波形。4.电路如图所示，设 ，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 的波形。4.电路如图所示，设 ，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 的波形

10、。5图示电路中，已知2CW5的参数如下：稳定电压 ，最大稳定电流 ，若流经电压表V的电流可忽略不计。求：1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时，此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？V：12V A1：12mA A2：6mAIZ：12mAV：12V A1：14mA A2：6mA6桥式整流电容滤波电路及输出电压极性如图所示，(V)，试画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性），并求：（1）正常工作时，Uo=？（2）若电容脱焊，Uo=？（3）若RL开路，Uo=？（4）

11、若其中一个二极管开路，Uo=？12V9V14V10V11V7.桥式整流电容滤波电路及输出电压极性如图所示，(V)，试画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性），并求：（1）正常工作时，Uo=？（2）若电容脱焊，Uo=？（3）若RL开路，Uo=？（4）若其中一个二极管短路，电路会有什么后果？28V18V24V电路的电路的u2将被短路，会烧毁器件。将被短路，会烧毁器件。8.8.试分析图示电路的工作原理，试分析图示电路的工作原理，标出电容电压的极性和数标出电容电压的极性和数值，并标出电路能输出几倍压的输出电压和极性。值，并标出电路能输出几倍压的输出电压和极性。可输出下列几种电压：。第二章第二章 半导体

12、晶体管半导体晶体管一、填充题1.晶体管可以分成和 两种类型。2.设晶体管的压降 不变，基极电流为20A时，集电极电流等于2mA，则 =_。若基极电流增大至25A，集电极电流相应地增大至2.6mA，则 =_。3.晶体管的电流放大作用是指晶体管的电流约是电流的 倍，即利用电流，就可实现对电流的控制。100120NPNPNP集电极集电极集电极集电极基极基极基极基极4.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20A，穿透电流ICEO=0，则其集电极电流等于_ ，电流放大系数等于_。5.当晶体管工作在区时，IC IB，条件是发射极偏置，集电极偏置。6.当晶体管工作在区时，IC0；条件是发射极 偏置或

13、发射结电压 死区电压，集电极偏置。7.当晶体管工作在区时，UCE 0，条件是发射极偏置，集电极偏置。0.98mA49放大放大正向正向反向反向截止截止反向反向反向反向小于小于饱和饱和正向正向正向正向8.8.当当NPNNPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以极的电位最高，极电位最低，以极的电位最高，极电位最低，极和极电位差约等于。极和极电位差约等于。9.9.当当PNPPNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以极的电位最高，极电位最低，以极的电位最高，极电位最低，U UBEBE约等于。约等于。10.10.晶体管放大

14、电路中晶体管放大电路中 三个电极的电位分别为三个电极的电位分别为 ,则晶体管则晶体管的类型是的类型是 ，材料是；则电极，材料是；则电极1 1为为极，电极极，电极2 2为极，电极为极，电极3 3为极。为极。集电集电发射发射基基0.7V发射发射发射发射集电集电-0.3VPNP锗锗锗锗基基发射发射集电集电11.11.温度升高时，三极管的电流放大倍数温度升高时，三极管的电流放大倍数 将；穿将；穿透电流透电流I ICEOCEO将；发射极电压将；发射极电压U UBEBE将。将。12.12.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将_移，移，输出特性曲线将输出特性曲线将_移

15、，而且输出特性曲线的间隔将移，而且输出特性曲线的间隔将变变_。13.13.查阅电子器件手册，了解下列常用晶体管的极限参查阅电子器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并记录填写在下表中。数，并记录填写在下表中。增大增大增大增大增大增大增大增大减小减小减小减小左左左左上上上上宽宽宽宽请请请请查查查查阅阅阅阅手手手手册册册册14.14.当静态工作点电流设置偏小时，会引起失真；当静态工作点电流设置偏小时，会引起失真；当静态工作点电流偏大时，会产生失真。当静态工作点电流偏大时，会产生失真。15.15.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的因素

16、是影响最大的因素是 ，分压式偏，分压式偏置的共射放大电路可以稳定。置的共射放大电路可以稳定。16.16.三种基本组态的放大电路中，三种基本组态的放大电路中，u uo o和和u ui i相位相反的是相位相反的是电路，电路，u uo o和和u ui i相位相同的是相位相同的是 电路和电路和电路。电路。17.17.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大作用的是电路，有电流放大无电压放大作大作用的是电路，有电流放大无电压放大作用的是电路，既有电压放大又有电流放大作用的是电路，既有电压放大又有电流放大作用的是电路。用的是电路。18.18.多级放大电路的

17、耦合方式有、多级放大电路的耦合方式有、和四种。和四种。截止截止饱和饱和温度引起的参数变化温度引起的参数变化光电耦合光电耦合共基极共基极共集电极共集电极共射极共射极靜态工作点靜态工作点直接直接阻容阻容变压器变压器共基极共基极共集电极共集电极共射极共射极二、选择题二、选择题1 1当晶体管的两个当晶体管的两个PNPN结都反偏时，则晶体管处于结都反偏时，则晶体管处于()。A.A.截止状态截止状态 B.B.饱和状态饱和状态 C.C.放大状态放大状态 D.D.击穿击穿2 2当晶体管的两个当晶体管的两个PNPN结都正偏时，则晶体管处于结都正偏时，则晶体管处于()。A.A.截止状态截止状态 B.B.饱和状态饱

18、和状态 C.C.放大状态放大状态 D.D.击穿击穿3.3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为为6V6V、5.3V5.3V和和-6V-6V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（）。）。A.A.硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型4.4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为为8V8V、2.3V2.3V和和2V2V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（）。）。A.A.硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPN

19、NPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型 5.5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为为6V6V、5.3V5.3V和和12V12V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（）。）。A.A.硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型6.6.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V6V、5.7V5.7V和和-6V-6V，则该晶体管的类型为（，则该晶体管的类型为（）。）。A.A.硅硅PNPPN

20、P型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型7 7、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（简便的方法是测量（）。）。A.A.I IBQ BQ B.B.U UBEQBEQ C.C.I ICQCQ D.D.U UCEQCEQ8.8.放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件（放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件（）。）。A.A.I IB B I IBSBS B.B.I IB B 死区电压死区电压 D.D.U UBEQBEQ=导通压降导通压降9 9、工作在放大状态的双极型晶体管是、

21、工作在放大状态的双极型晶体管是 （）。）。A.A.电流控制元件电流控制元件 B.B.电压控制元件电压控制元件 C.C.不可控元件不可控元件1010、用直流电压表测得晶体管电极、用直流电压表测得晶体管电极1 1、2 2、3 3的电位分别的电位分别为为V V1 1=1V=1V，V V2 2=1.3V=1.3V，V V3 3=-5V=-5V，则三个电极为（，则三个电极为（）。）。A.1A.1为为e e；2 2为为b b；3 3为为c B.1c B.1为为e e；2 2为为c c；3 3为为b b C.1 C.1为为b b；2 2为为e e；3 3为为c D.1c D.1为为b b；2 2为为c c；

22、3 3为为e e1111用直流电压表测得晶体管电极用直流电压表测得晶体管电极1 1、2 2、3 3的电位分别的电位分别为为V V1 1=2V=2V，V V2 2=6V=6V，V V3 3=2.7V=2.7V，则三个电极为（，则三个电极为（）。）。A.1A.1为为e e；2 2为为b b；3 3为为c B.1c B.1为为e e；2 2为为c c；3 3为为b b C.1 C.1为为b b；2 2为为e e；3 3为为c D.1c D.1为为b b；2 2为为c c；3 3为为e e12.12.处于放大状态的处于放大状态的NPNNPN型晶体管，各电极的电位关型晶体管，各电极的电位关系是系是_。A

23、.A.V VB BV VC CV VE E B.B.V VE EV VB BV VC C C.C.V VC CV VB BV VE E D.D.V VC CV VE EV VB B13.13.处于放大状态的处于放大状态的PNPPNP型晶体管，各电极的电位关型晶体管，各电极的电位关系是系是_。A.A.V VB BV VC CV VE E B.B.V VE EV VB BV VC C C.C.V VC CV VB BV VE E D.D.V VC CV VE EV VB B14.14.晶体管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，晶体管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的其

24、中每一条曲线对应一个特定的_。A Ai ic c B Bu uCECE；C Ci iB B；D Di iE E1515放大电路的三种组态，都有放大电路的三种组态，都有()()放大作用。放大作用。A.A.电压电压 B.B.电流电流 C.C.功率功率 1616测得某放大电路负载开路时的输出电压为测得某放大电路负载开路时的输出电压为4V4V，接入的负载接入的负载2k2k后，测得输出电压为后，测得输出电压为2.5V2.5V，则该，则该放大电路的输出电阻为放大电路的输出电阻为()()。A.1.2kA.1.2k B.1.6k B.1.6k C.3.2k C.3.2k D.10k D.10k 17.17.阻

25、容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，低频区电压增益下降的原因是由于（低频区电压增益下降的原因是由于（）的存）的存在，高频区电压增益下降的原因是由于（在，高频区电压增益下降的原因是由于（）存在。存在。A A耦合电容与旁路电容耦合电容与旁路电容 B B极间电容和分布电容极间电容和分布电容 C C晶体管的非线性晶体管的非线性18.18.已知两级放大电路已知两级放大电路A Au1u1=20dB,=20dB,A Au2u2=40dB,=40dB,则电路则电路总的电压放大倍数总的电压放大倍数A Au u为（为（）dBdB。A A80 80 B B800 800 C

26、 C6060D.20D.2019.19.已知多级放大电路已知多级放大电路A Au1u1=100=100、A Au2u2=10,=10,则电路总则电路总的电压放大倍数的电压放大倍数A Au u为（为（）。A A100 100 B B1000 C1000 C110 D.1100110 D.110020.20.两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大倍数均为倍数均为3030，现将它们级连后组成一个两级放大，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（电路，则总的电压放大倍数（）。）。A A等于等于60 B.60 B.等于等于900 C.900

27、C.小于小于900 D.900 D.大于大于900900三、三、判断题：判断题：1.1.晶体管由两个晶体管由两个PNPN结构成，二极管包含有一个结构成，二极管包含有一个PNPN结，因结，因此可以用两个二极管反向串接来构成晶体管。（此可以用两个二极管反向串接来构成晶体管。（）2.2.晶体管三个电极上的电流总能满足晶体管三个电极上的电流总能满足I IE E=I IC C+I IB B的关系。（的关系。（）3.3.晶体管集电极和基极上的电流总能满足晶体管集电极和基极上的电流总能满足I IE E=I IC C的关系。的关系。（）4.4.只有当电路既放大电流又能放大电压，才称其有放大只有当电路既放大电流

28、又能放大电压，才称其有放大作用。（作用。（）5.5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）6.6.阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点相互独阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点相互独立，它只能放大交流信号。（立，它只能放大交流信号。（）7.7.直接耦合多级放大电路各级的静态工作点相互影直接耦合多级放大电路各级的静态工作点相互影响，它只能放大直流信号。（响，它只能放大直流信号。（）8.8.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（而变化。（）四、分析计算题四、分析计算题1.1.固定偏置晶体管

29、放大电路如图所示，输入正弦交固定偏置晶体管放大电路如图所示，输入正弦交流电时，输出波形如图所示，试判断电路产生的流电时，输出波形如图所示，试判断电路产生的是什么失真？产生该失真的原因是什么？如何改是什么失真？产生该失真的原因是什么？如何改善这种失真？善这种失真？可增加可增加RB原因是静态电流太大原因是静态电流太大产生了饱和失真产生了饱和失真2.2.电路如图电路如图 所示，测得图所示，测得图a)a)所示放大电路的输出电所示放大电路的输出电压波形如图压波形如图b)b)所示。判断电路产生的是什么失真所示。判断电路产生的是什么失真？产生该失真的原因是什么？如何改善这种失真？产生该失真的原因是什么？如何

30、改善这种失真？可减小可减小RP原因是静态电流太小原因是静态电流太小产生了截止失真产生了截止失真3.3.电路如图所示，晶体管电路如图所示，晶体管=75=75，U UBEBE=0.7V=0.7V。1)1)求静态工作点求静态工作点 ；2)2)画出微变等效电路；画出微变等效电路；3)3)求电压放大倍数求电压放大倍数A Au u，输入电阻，输入电阻R Ri i和输出电阻和输出电阻R Ro o；4)4)若改为若改为=100=100，则，则A Au u变为多大？变为多大？5.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？a）能）能b）不能，输入交流短路，）不能，输入交流短路

31、，输出无信号输出无信号c）不能，静态时晶体管）不能，静态时晶体管截止截止d）不能，输出交流短路，）不能，输出交流短路，输出无信号输出无信号e）不能，静态时晶体管）不能，静态时晶体管截止截止f）不能，静态时晶体管）不能，静态时晶体管截止（应采用正电源）截止（应采用正电源）6.基本共射极放大电路如图所示，NPN型硅管=80。1）估算静态工作点；2）求晶体管的输入电阻Rbe值；3）画出放大电路的微变等效电路；4）估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。6.基本共射极放大电路如图所示，NPN型硅管=80。1）估算静态工作点；2）求晶体管的输入电阻Rbe值；3）画出放大电路的微变等效电路；4）

32、估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。6.基本共射极放大电路如图所示，NPN型硅管=80。1）估算静态工作点；2）求晶体管的输入电阻Rbe值；3）画出放大电路的微变等效电路；4）估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。6.基本共射极放大电路如图所示，NPN型硅管=80。1）估算静态工作点；2）求晶体管的输入电阻Rbe值；3）画出放大电路的微变等效电路；4）估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。7.电路如图所示，、。1）计算电路的静态工作点；2）画出电路的微变等效电路；3）求电路中的 、。7.电路如图所示，、。1）计算电路的静态工作点；2）画出电路的微变等效电路

33、；3）求电路中的 、。7.电路如图所示，、。1）计算电路的静态工作点；2）画出电路的微变等效电路；3）求电路中的 、。8.电路如图所示，VT1的 ，VT2的 ，。要求：1）画出微变等效电路。2）求电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 。第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路一、填空题1、M0S管是由 、和 三种材料制造的。2、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有 和 两类，按有无原始沟道来分又可分为 和 两种。3、场效应管与晶体管比较，_为电压控制器件，_为电流控制器件，_的输入电阻高。4、场效应管有_种载流子参与导电，故场效应管又称_型元件。金属 氧化物 半导体 耗尽型

34、单极场效应管 N沟道P沟道增强型场效应管晶体管1 5 5、_MOS_MOS管开启电压管开启电压 0 0，_MOS_MOS管开启电压管开启电压 0 0。6 6、_MOS_MOS管的夹断电压管的夹断电压 0 0，_MOS_MOS管的夹断电压管的夹断电压 0 0。7 7、使用、使用MOSMOS管时应特别注意对管时应特别注意对_极的保护，极的保护，在不用时应将三个电极在不用时应将三个电极_ _ 。N沟道栅P沟道P沟道N沟道短接 8 8、某场效应管的转移特性如图、某场效应管的转移特性如图a a）所示，由此可知）所示，由此可知该管是该管是_沟道沟道_型的绝缘栅场效应管，型的绝缘栅场效应管，_V_V。9 9

35、、某场效应管的转移特性如图、某场效应管的转移特性如图b)b)所示，由此可知该所示，由此可知该管是管是_沟道沟道_型的绝缘栅场效应管，型的绝缘栅场效应管，_,_ _。P沟道耗尽型 增强型2V N沟道6mA6V 1010、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该管是管是_沟道沟道_型的绝缘栅场效应管，型的绝缘栅场效应管，_。1111、某场效应管工作在恒流区，当、某场效应管工作在恒流区，当 时，时，当，当 时，时，则该管的低，则该管的低频跨导频跨导 为为_。1212、自偏压电路只适用于、自偏压电路只适用于_型的场效应管放大型的场效应管放大电路。电路。N沟道3

36、 耗尽增强型2V 二、选择题二、选择题1 1、场效应管用（、场效应管用（）控制漏极电流。）控制漏极电流。A.A.基极电压基极电压 B.B.栅源电压栅源电压 C.C.基极电流基极电流 D.D.栅极电流栅极电流2 2、表征场效应管放大能力的重要参数是（、表征场效应管放大能力的重要参数是（）。）。A.B.C.D.A.B.C.D.3 3、N N沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。）。A.B.A.B.C.D.C.D.4 4、P P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。）。A.B.A.B.C.D.C.D.5 5、广义地说

37、，结型场效应管应该、广义地说，结型场效应管应该_。A.A.属于耗尽型管属于耗尽型管 B.B.属于增强型管属于增强型管 6 6图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是_。A.PA.P沟道结型管沟道结型管 B.NB.N沟道结型管沟道结型管 C.PC.P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管 D.ND.N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管管7.7.图示是某场效应管的特性曲线图示是某场效应管的特性曲线,据图可知，该管是据图可知，该管是_。A.PA.P沟耗尽型沟耗尽型MOSMOS管管 B.NB.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管 C.PC.P沟增强型沟增

38、强型MOSMOS管管 D.ND.N沟增强型沟增强型MOSMOS管管三、计算题三、计算题1.在图示电路中，已知场效应晶体管3DJ6的IDSS=9mA，UGS(off)=3V，gm=2mS，RG=2M，RD=5k，RL=5k，RS=2k，VDD=12V，试求静态工作点（ID、UDS和UGS），并画出放大电路的微变等效电路，求出电压放大倍数 、输入电阻Ri和输出电阻Ro。解：代入得：ID=1mA，UGS=-2V，UDS=5V；ID=2.25mA（舍去），UGS=-4.5V（舍去）Ri=RG=2M RoRD=5k2.在图示电路中，已知场效应晶体管的IDSS=8mA，UGS(off)=2V，如要求静态工

39、作点电压UGS=1V，试求源极电阻RS，并求出相应的ID。解：一、填空题一、填空题1差动放大电路对_信号具有良好的放大作用，对_信号具有很强的抑制作用。2差动放大电路的两个输入端电压分别 ，则该电路的差模输入电压为_mV，共模输入电压为_mV。3_耦合放大电路的零点漂移会被后级放大。采用差动放大电路的主要目的是为了克服_。4共模抑制比 等于_之比，电路的 越大，表明电路_能力越强。差模差模 0.02直接直接 AuD和和AuC共模共模 第四章第四章 集成运算放大器集成运算放大器1.99 零点漂移零点漂移 抑制共模信号抑制共模信号 5长尾电路的对称性越_，的值越_，则差动放大电路抑制零点漂移的能力

40、越好，它的 就越_。6差模电压增益AuD等于_之比，AuD越大，表示对 _信号的放大能力越大。7共模电压增益AuC等于_之比，AuC越大，表示对_信号的的抑制能力越弱。8双端输出时，差模电压增益_单管放大电路的增益，共模电压增益近似为_，共模抑制比趋于_。好好UOD和和UID UOC和和UIC 零零大大大大有用（差模）有用（差模）无用无用（共模）（共模）无穷大无穷大 等于等于9差动放大电路有_个信号输入端和_个信号输出端，因此有_种不同的连接方式。10差动放大电路的四种连接方式分别是_、_、_和_。11.理想运算放大器的开环差模电压放大倍数为，输入电阻为，输出电阻为。两两双端输入、双端输出双端

41、输入、双端输出 零零两两四四单端输入、双端输出单端输入、双端输出 无穷大无穷大 双端输入、单端输出双端输入、单端输出 单端输入、单端输出单端输入、单端输出 无穷大无穷大 二、选择题二、选择题1放大电路产生零点漂移的主要原因是（）。A电压放大倍数太大 B环境温度的变化引起的参数变化 C外界干扰2差动放大电路的主要作用是（）。A提高电压放大倍数 B.增大输入电阻 C.抑制零点漂移3差模输入信号是两个输入端信号的()。A差 B和 C比值 D平均值。4共模输入信号是两个输入端信号的()。A差 B和 C比值 D平均值。5在长尾式差动放大电路中，晶体管发射极的公共电阻的主要作用是（）。A提高差模输入电阻

42、B提高差模电压放大倍数C提高共模电压放大倍数 D提高共模抑制比6直接耦合放大电路的电压放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越（）。A.严重 B.轻微 C.与放大倍数无关7在相同条件下，多级阻容耦合放大电路的零点漂移（）。A.比直接耦合电路大 B.比直接耦合电路小 C.与耦合方式无关8集成运算放大器是一种采用（）方式的放大电路。A.阻容耦合 B.直接耦合 C.变压器耦合9假设多级直流放大器中各级自生的零漂大致相同，则抑制零点漂移的重点应放在（）。A.输入级 B.中间级 C.输出级 D.增益最高的那一级三、计算题三、计算题1.有一差动放大器，已知UI1=2V，UI2=2.001V，AuD=6

43、0dB，KCMR=100dB。试求输出UO中的差模成份 和共模成份 。解：AuD=60dB=103所以，2.双端输出差动放大电路如图4-15所示，已知两管的UBE=0.7V，=50，Rbe=1k，求：1）静态工作点ICQ、UCEQ；2）动态参数AuD、RiD、Ro。解：1）2）差模输入电阻：RiD2(RB+Rbe)=6k差模输出电阻：RO=2RC=4k第五章第五章 负反馈放大电路负反馈放大电路电压电压电流电流电压电压 电流电流减小减小一、填空题1在放大电路中为了减小输出电阻应引入 负反馈，为了增大输入电阻应引入 负反馈。2在放大电路中为了减小输入电阻应引入 负反馈，为了增大输出电阻应引入 负反

44、馈。3电压串联负反馈能稳定输出 ，并能使输入电阻 。4电流并联负反馈能稳定输出 ，并能使输入电阻 。串联串联并联并联增大增大并联并联（1+AF)12 5放大电路中若引入负反馈，如信号源为电流源，则应引入 负反馈；若要求稳定输出电压，则应引入 负反馈；若要求向信号源索取的电流尽可能小、输出电流稳定则应引入 负反馈。6深度负反馈的条件是 。7某负反馈放大电路的开环放大倍数为50，反馈系数为0.02，则反馈深度为 ，闭环放大倍数为 。电压电压串联电流串联电流25二、选择题1.反馈放大电路的含义是（）。A.输出与输入之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路以外，还有信号通路2.

45、串联负反馈的净输入量是（）。A.电压 B.电流 C.电压或电流3并联负反馈的净输入量是（）。A.电压 B.电流 C.电压或电流4要使放大器向信号源索取电流小，同时输出电压稳定，应引入（）负反馈。A.电流串联 B.电压并联 C.电压串联 D.电流并联5若放大电路放大的信号是传感器产生的电压信号（几乎不能提供电流），希望放大后的输出电压与信号电压成正比，应选（）负反馈。A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 6.负反馈能减小非线性失真是指（）。A.使放大器的输出电压的波形与输入信号的波形基本一致 B.不论输入波形是否失真，引入负反馈后，总能使输出为正弦波C.以上表述都不对7.在放大

46、电路中，为了稳定静态工作点，可以引入（）。A.直流负反馈 B.交流负反馈 C.交流正反馈 D.直流正反馈 8.在放大电路中，为了稳定电压放大倍数，可以引入（）。A.直流负反馈 B.交流负反馈 C.交流正反馈 D.直流正反馈 三、判断题：三、判断题：1.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）2.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（）3.在负反馈放大电路中反馈深度越大，闭环放大倍数就越稳定。（）4.在负反馈放大电路中，在反馈系数较大的情况下，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。（）5.在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数AF1/F，它与

47、负反馈有关，而与放大器开环放大倍数A无关，故此可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。（）6.负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路外无效。（）7.若放大电路负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。（）8.电压负反馈可以稳定输出电压，流过负载的电流也就必然稳定，因此电压负反馈和电流负反馈都可以稳定输出电流，在这一点上电压负反馈和电流负反馈没有区别。（）9.负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输入信号中混合的还是反馈环路内部产生的，加入负反馈后都能使输出端的信噪比得到提高。（）10.由于负反馈可展宽频带，所以只要负反馈足够深，就可

48、以用低频管代替高频管组成放大电路来放大高频信号。（）四、分析判断题四、分析判断题 1.电路如图所示，判别反馈的组态。电压并联负反馈电压并联负反馈 电流并联负反馈电流并联负反馈 2.判断图5-19所示电路的两级之间的反馈极性和反馈组态。电压并联正反馈电压并联正反馈 电压并联负反馈电压并联负反馈 电流串联负反馈电流串联负反馈3.欲将某放大电路的上限截止频率fH0.5MHz提高到不低于10MHz，要引入多深的负反馈？如果要求在引入上述负反馈后，闭环增益不低于60dB，问基本放大电路的开环增益应不低于多少倍？答：要使上限截止频率增加20倍，负反馈深度应大于20。引入20倍的负反馈后，闭环增益将下降到开

49、环增益的1/20，要求闭环增益不低于60dB，即1000倍，所以，开环增益应大于20000倍，即83dB。4图示电路中，设运算放大电路的最大输出电压为12V，其它参数可按理想情况考虑，若uI=+20mV，计算：（1）正常情况下的输出电压；（2）若反馈电阻RF断开，这时的输出电压是多大？（1）正常情况下的输出电压为-2V。（2）若反馈电阻断开，输出电压为-12V。第六章第六章 集成运算放大器基本应用电路集成运算放大器基本应用电路一、填空题：1.集成运算放大器有两个工作区，分别是 和 。2.理想运放工作在线性区时，有两个重要关系，它们是 ，即 ，和 ，即 。3.单值电压比较器有 个门限电压，迟滞电

50、压比较器有 个门限电压。4.迟滞电压比较器的回差电压等于 。1非线性区非线性区 虚短虚短 线性区线性区虚断虚断2两个门限电压的差值两个门限电压的差值二、选择题二、选择题1工作在线性区的运算放大器应置于（）状态。A.负反馈 B.开环 C.正反馈 D.无反馈2能将矩形波转变成三角波的电路是（）。A.比例运算电路 B.微分运算电路 C.积分运算电路 D.加法电路3.由理想集成运算放大电路构成的比例运算电路，其电路增益与运放本身的参数()。A.有关 B.无关 C.有无关系不确定4.如图所示电路，设uI0，若RF开焊，电路的输出uO=()。A.B.C.D.05如要求放大两个信号的差值，又能抑制共模信号，