半导体器件模拟试题一课件.ppt

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1、电子技术电子技术1/11/20231/11/20233 3半导体的导电能力随温度升高而半导体的导电能力随温度升高而_，金属导体的电，金属导体的电阻率随温度升高而阻率随温度升高而_。A A降低降低降低降低 B B降低升高降低升高 C C升高降低升高降低 D D升高升高升高升高1 1PNPN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是_。A A具有放大特性具有放大特性 B B具有改变电压特性具有改变电压特性 C C具有单向导电性具有单向导电性 D D具有增强内电场特性具有增强内电场特性C2 2PNPN结呈现正向导通的条件是结呈现正向导通的条件是_。A AP

2、P区电位低于区电位低于N N区电位区电位 B BN N区电位低于区电位低于P P区电位区电位 C CP P区电位等于区电位等于N N区电位区电位 D DN N区电位高于区电位高于P P区电位区电位B BD D4 4半导体的载流子随温度升高而半导体的载流子随温度升高而_，也就是说半导体，也就是说半导体的导电性能随温度升高而的导电性能随温度升高而_。A A减小增强减小增强 B B减小减弱减小减弱 C C增加减弱增加减弱 D D增加增强增加增强D D电子技术电子技术1/11/20231/11/20237 7P P型半导体中的多数载流于是型半导体中的多数载流于是_。A A电子电子 B B空穴空穴 C

3、C电荷电荷 D D电流电流5 5半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若_导电能力会减弱导电能力会减弱 A A掺杂非金属元素掺杂非金属元素 B B增大光照增大光照 C C降低环境温度降低环境温度 D D掺杂金属元素掺杂金属元素C6 6在在PNPN结的两端通过一块电流表短接，回路中无其它电源，结的两端通过一块电流表短接，回路中无其它电源，当用光照射该半导体时，电流表的读数是当用光照射该半导体时，电流表的读数是_。A A增大增大 B B减小减小 C C为零为零 D D视光照强度而定视光照强度而定B B8 8N N型半导体中的多数载流于是型半导体中的多数载

4、流于是_。A A自由电子自由电子 B B空穴空穴 C C电荷电荷 D D电流电流A AC C9 9在晶体硅锗中，参于导电的是在晶体硅锗中，参于导电的是_。A A离子离子 B B自由电子自由电子 C C空穴空穴 D DB B和和C CD D电子技术电子技术1/11/20231/11/20231212半导体的导电方式的最大特点是半导体的导电方式的最大特点是_。A A自由电子导电自由电子导电 B B离子导电离子导电 C C空穴导电空穴导电 D DA A和和C C1010关于关于P P型半导体的下列说法，错误的是型半导体的下列说法，错误的是_。A A在二极管中，由在二极管中，由P P型半导体引出的线是

5、二极管的阳极型半导体引出的线是二极管的阳极 B B空穴是多数载流子空穴是多数载流子 C C在在NPNNPN型晶体管中，基区是型晶体管中，基区是P P型半导体型半导体 D D在纯净的硅晶体中掺入五价元素磷可形成在纯净的硅晶体中掺入五价元素磷可形成P P型半导体型半导体D1111关于关于N N型半导体的下列说法，错误的是型半导体的下列说法，错误的是_。A A自由电子是多数载流子自由电子是多数载流子 B B在二极管中由在二极管中由N N型半导体引出的线是二极管的阴极型半导体引出的线是二极管的阴极 C C在纯净的硅晶体中掺入三价元素硼，可形成在纯净的硅晶体中掺入三价元素硼，可形成N N型半导体型半导体

6、 D D在在PNPPNP型晶体管中，基区是型晶体管中，基区是N N型半导体型半导体D DC C电子技术电子技术1/11/20231/11/20231313在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是_。A A自由电子电流自由电子电流 B B空穴电流空穴电流 C C离子电流离子电流 D DA A和和B BD 1414关于关于P P型、型、N N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是确的是_。A A无论是无论是P P型还是型还是N N型半导体，参与导电的都是自由电型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴子和空穴

7、B BP P型半导体中只有空穴导电型半导体中只有空穴导电 C CN N型半导体中只有自由电子参与导电型半导体中只有自由电子参与导电 D D在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电A A 1515N N型半导体中，主要靠型半导体中，主要靠_导电，导电，_是少数载是少数载流子。流子。A A空穴空穴空穴空穴 B B空穴自由电子空穴自由电子 C C自由电子空穴自由电子空穴 D D自由电子自由电子自由电子自由电子C C电子技术电子技术1/11/20231/11/20231616P P型半导体中，主要靠型半导体中，主要靠_导电，导电，_是少数载是少数载流子流子 A

8、A空穴空穴空穴空穴 B B空穴自由电子空穴自由电子 C C自由电子空穴自由电子空穴 D D自由电子自由电子自由电子自由电子B1717下列下列PNPN结两端的电位值，使结两端的电位值，使PNPN结导通的是结导通的是_。A AP P端接十端接十5 5V V，N N端经电阻接十端经电阻接十7 7V V B BN N端接十端接十2 2V V，P P端经电阻接十端经电阻接十7 7V V C CP P端接一端接一3 3V V，N N端经电阻接十端经电阻接十7 7V V D DP P端接十端接十1 1V V，N N端经电阻接十端经电阻接十6 6V VB B 1818在半导体在半导体PNPN结两端加结两端加_

9、就可使其导通就可使其导通 A A正向电子流正向电子流 B B正向电压正向电压 C C反向电压反向电压 D D反向电子流反向电子流B B 1919用万用表测二极管时，正反方向电阻都很大，说明用万用表测二极管时，正反方向电阻都很大，说明_ _ _ _。A A管子正常管子正常 B B管于短路管于短路 C C管于断路管于断路 D D都不对都不对 C C电子技术电子技术1/11/20231/11/2023 2020电路如图电路如图4141所示，设二极管正向压降忽略不计，二所示，设二极管正向压降忽略不计，二极管处于极管处于_状态，电流表的读数是状态，电流表的读数是_。A A导通导通1 18 8A BA B

10、导通导通0 06 6A A C C截止截止0 06 6A DA D截止截止0 0A A 2121电路如图电路如图4242所示，电压表的读数为所示，电压表的读数为_，二极管处，二极管处_状态。状态。A A18V18V导通导通 B B6V6V导通导通 C C6V6V截止截止 D D0V0V截止截止 BC C图41图42电子技术电子技术1/11/20231/11/20232222电路如图电路如图4343所示，输出电压所示，输出电压UoUo等于等于_。(设二极设二极管的正向压降为管的正向压降为0 07 7V)V)A A12V B12V B0 V C0 V C0 07V D7V D11113V3VB 2

11、323电路如图电路如图4444所示，设二极管正向压降为所示，设二极管正向压降为0 07 7V V，则输则输出电压出电压U0=U0=。A A12V B12V B0V C0V C0 07V D7V D11113V 3V D D图43图44电子技术电子技术1/11/20231/11/20232424关于二极管的功能，下列说法错误的是关于二极管的功能，下列说法错误的是_。A A整流整流 B B滤波滤波 C C钳位钳位 D D小范围稳压小范围稳压B2525二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一定范围时，二极管的反向电流是超过某一定范围时，

12、二极管的反向电流是_。A A随反向电压的增加而减少随反向电压的增加而减少 B B随反向电压的增加而增大随反向电压的增加而增大 C C随反向电压的增加而基本不变随反向电压的增加而基本不变 D D随反向电压的减小而减小随反向电压的减小而减小C C 2626二极管的反向电流随着温度的二极管的反向电流随着温度的_而而_。A A升高减小升高减小 B B降低减小降低减小 C C升高不变升高不变 D D升高基本不变升高基本不变B B电子技术电子技术1/11/20231/11/2023 2727对于晶体二极管来说，以下说法错误的是对于晶体二极管来说，以下说法错误的是_。A A正向电阻很小正向电阻很小 B B具

13、有单向导电性具有单向导电性 C C正向电压越大，流过二极管的电流越大正向电压越大，流过二极管的电流越大 D D无论加多大反向电压都不会导通无论加多大反向电压都不会导通D2828关于二极管的反向电流，下列说法错误的是关于二极管的反向电流，下列说法错误的是_。A A反向电流随温度的上升而增长很快反向电流随温度的上升而增长很快 B B在反向电压不超过一定范围时，反向电流基本不变在反向电压不超过一定范围时，反向电流基本不变 C C在反向电压不超过一定范围时，反向电流与反向电在反向电压不超过一定范围时，反向电流与反向电压的高低无关压的高低无关 D D反向电流随反向电压的增加而增加反向电流随反向电压的增加

14、而增加D D 2929硅二极管导通时的正向压降为硅二极管导通时的正向压降为_，死区电压在常，死区电压在常温下为温下为_。A A0 05V5V0 02V B2V B0 060607V7V0 02V2V C 0 C 020203V3V0 02V D2V D0 06 06 07V7V0 05V5VD D电子技术电子技术1/11/20231/11/2023 3131如图如图4646所示电路，设输入电压所示电路，设输入电压uiui10sin314t10sin314t，E E5V5V，二极管正向压降忽略不计，则输出电压二极管正向压降忽略不计，则输出电压u0u0介于介于_。A.0A.0与与1010V V之间

15、之间 B B一一5 5V V与与10 10 V V之间之间 C C十十5 5V V与十与十10 10 V V之间之间 D D十十10 10 V V与一与一5 5V V之间之间5 5V V 3030如图如图4545所示电路，设输入电压所示电路，设输入电压uiui为正弦电压，为正弦电压，uiui=1=1 sinosinot Vt V，二极管的正向压降为二极管的正向压降为0 06 6V V，则输出电压则输出电压u0u0介于介于_。A A0 0与与6 6V V之间之间 B B一一0 06 6V V与与0 06 6V V之间之间 C C一一0 06 6V V与与0 0之间之间 D D0 0与与1 1V

16、V之间之间BC C图45图46电子技术电子技术1/11/20231/11/2023 3232对于晶体二极管来说，以下说法错误的是对于晶体二极管来说，以下说法错误的是_。A A正向电阻很小正向电阻很小 B B反向电阻很大反向电阻很大 C C无论加多大的反向电压，都不会导通无论加多大的反向电压，都不会导通 D D所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通C3333用万用表欧姆挡测量二极管时，通常将量程选在用万用表欧姆挡测量二极管时，通常将量程选在_挡。挡。A AR1 BR1 BR10 CR10 CR100 DR100 DRRloklokC C3434稳

17、压管的稳压功能是利用稳压管的稳压功能是利用_特性实现的。特性实现的。A APNPN结的单向导电结的单向导电 B BPNPN结的反向击穿结的反向击穿 C C结电容使波形平滑结电容使波形平滑 D DPNPN结的正向导通结的正向导通B B 3535稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流幅度稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流幅度_，而电压，而电压_。A A 变化很大变化很小变化很大变化很小 B B变化大不变变化大不变 C C变化小变化很大变化小变化很大 D D变化小不变通变化小不变通A A电子技术电子技术1/11/20231/11/2023 3636稳压管在电路中作稳压时接法应是稳压管在电路中作稳压时

18、接法应是_。A A阳极接正，阴极接负阳极接正，阴极接负 B B阴极接正，阳极接负阴极接正，阳极接负 C C串接电阻后任意连接串接电阻后任意连接 D D串电容后任意连接串电容后任意连接B3737稳压管作稳压工作时，其两端应加稳压管作稳压工作时，其两端应加_。A A正向电压正向电压 B B零电压零电压 C C反向电压反向电压 D DA A或或B BC C3838晶体管有晶体管有_个个PNPN结。结。A A1 B1 B2 C2 C3 D3 D4 4B B 3939晶体三极管中的晶体三极管中的“”参数是指参数是指_。A A电压放大系数电压放大系数 B B电流放大系数电流放大系数 C C功率放大系数功率

19、放大系数 D D集电极最大功耗集电极最大功耗 4040晶体管具有放大作用主要体现在晶体管具有放大作用主要体现在_。A A电压放大电压放大 B B电流放大电流放大 C C正向放大正向放大 D D反向放大反向放大B BB B电子技术电子技术1/11/20231/11/20234242电路如固电路如固417417所示，该输入电压所示，该输入电压uiui12sin 314t V12sin 314t VDZDZ为双向限幅稳压管，其稳定电压为双向限幅稳压管，其稳定电压UZUZ6V6V，则输出电压则输出电压U0U0在在_之间。之间。A A一一1212V V与与+6+6V BV B+6V+6V与与+12+12

20、V V C C12V12V与与+12+12V DV D-6V-6V与与+6+6V V 4141图图416416所示电路中稳压管的稳定电压值所示电路中稳压管的稳定电压值UZUZ5V5V，硅二硅二极管正向压降为极管正向压降为0 07 7V V，由图可知由图可知U0U0_。A A20 V B20 V B10 V C10 V C5 57 V D7 V D1 14 V4 VCD D图16图17电子技术电子技术1/11/20231/11/2023 4545测得某个测得某个NPNNPN型晶体管型晶体管E E、B B、C C三个电极电位分别为三个电极电位分别为0 04 4V V、0 02V2V和和1 15 5

21、V V可判断该管处于可判断该管处于_工作状态。工作状态。A A完全截止完全截止 B B完全导通完全导通 C C线性放大线性放大 D D饱和导通饱和导通 4343已知一晶体管的已知一晶体管的E E、B B、C C三个极的电位分别为三个极的电位分别为0 05 5V V、1 12V2V、5.6V5.6V，此管工作于此管工作于_状态，此管属状态，此管属_型。型。A A饱和饱和NPN BNPN B放大放大NPN NPN C C饱和饱和PNP DPNP D放大放大PNPPNPB4444测得某测得某PNPPNP型晶体管三个极的电位分别为型晶体管三个极的电位分别为VcVc0 04V4V、VBVB1.5V1.5

22、V、VEVE1 12V2V，可判断该管工作于可判断该管工作于_状态。状态。A A截止截止 B B饱和导通饱和导通 C C线性放大线性放大 D D非线性放大非线性放大A AA A4646晶体管工作在什么状态，取决于晶体管工作在什么状态，取决于_。A A负载大小负载大小 B B电流放大系数的大小电流放大系数的大小 C C电压放大倍数的大小电压放大倍数的大小 D D基极电流的大小基极电流的大小D D电子技术电子技术1/11/20231/11/20234949晶体管处于饱和状态时，其集电结晶体管处于饱和状态时，其集电结_偏，发射结偏，发射结_偏。偏。A A正反正反 B B反正反正 C C正正正正 D

23、D反反反反 4747晶体管具有电流放大能力，而放大能源来自于放大电晶体管具有电流放大能力，而放大能源来自于放大电路中的路中的_。A A晶体管本身晶体管本身 B B信号源信号源 C C负载输入负载输入 D D直流电源直流电源D4848晶体管具有放大作用时，它的集电结晶体管具有放大作用时，它的集电结_偏，发射结偏，发射结_偏。偏。A A正反正反 B B反正反正 C C正正正正 D D反反反反B BC C5050晶体管处于截止状态时，其集电结晶体管处于截止状态时，其集电结_偏，发射结偏，发射结_偏。偏。A.A.正反正反 B B反正反正 C C正正正正 D D反反反反D D电子技术电子技术1/11/2

24、0231/11/20235353晶体管工作时，当温度升高其死区电压晶体管工作时，当温度升高其死区电压_，输入，输入特性曲线特性曲线_。A A减小右移减小右移 B B减小左移减小左移 C C增大右移增大右移 D D增大左移增大左移 5151NPNNPN型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为_。A AVCVCV EV EVB BVB BVCVCV BV BV EV E C CV EV EV BV BVC DVC DV BV BV EV EVCVCB5252晶体管作为开关管使用时，工作在晶体管作为开关管使用时，工作在_。A A放大区放大区 B B饱和区饱和区 C C截止区截止区 D DB B和和C C D DB B5454晶体管的特性曲线有晶体管的特性曲线有_，它反映出晶体管的性能，它反映出晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。是分析放大电路的重要依据。A A输入特性输入特性 B B输出特性输出特性 C C外特性外特性 D DA A和和B BD D