第三静态场及其边值问题的解.pptx
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1、会计学1第三第三(d sn)静态场及其边值问题的解静态场及其边值问题的解第一页,共151页。23.1 3.1 静电场分析静电场分析静电场分析静电场分析(fnx)(fnx)学习内容学习内容 静电场的基本方程和边界条件静电场的基本方程和边界条件 电位函数电位函数 导体系统导体系统(xtng)的电容与部分电容的电容与部分电容 静电场的能量静电场的能量 静电力静电力第1页/共151页第二页,共151页。32.边界条件边界条件微分形式:微分形式:本构关系:本构关系:1.基本基本(jbn)方程方程积分形式:积分形式:或或若分界若分界(fn ji)(fn ji)面上不存在面电荷,即面上不存在面电荷,即SS0
2、 0,则,则或或静电场的基本静电场的基本静电场的基本静电场的基本(jbn)(jbn)方程和边界条件方程和边界条件方程和边界条件方程和边界条件第2页/共151页第三页,共151页。4介质介质2 2介质介质1 1 在静电平衡的情况下,导体在静电平衡的情况下,导体(dot)(dot)内部的电场为内部的电场为0 0,则导体,则导体(dot)(dot)表面的边界条件为表面的边界条件为 或或 场矢量场矢量(shling)的折射关系的折射关系 导体导体(dot)表面的边界条件表面的边界条件 介质介质1 1导体第3页/共151页第四页,共151页。5由由即即静电场可以用一个标量函数的梯度来表示,静电场可以用一
3、个标量函数的梯度来表示,标量函数标量函数 称为静电场的标量电位或简称电位。称为静电场的标量电位或简称电位。1.电位电位(din wi)函数的定义函数的定义 电位电位电位电位(din wi)(din wi)(din wi)(din wi)函数函数函数函数第4页/共151页第五页,共151页。62.电位电位(din wi)的表达式的表达式对于连续对于连续(linx)的体分布电荷,由的体分布电荷,由面电荷面电荷(dinh)的电位:的电位:故得故得点电荷的电位:点电荷的电位:线电荷的电位:线电荷的电位:第5页/共151页第六页,共151页。7n3.电位差电位差两端点乘两端点乘 ,则有,则有将将上式两边
4、从点上式两边从点P到点到点Q沿任意路径沿任意路径(ljng)进行积分,得进行积分,得关于电位差的说明关于电位差的说明 P、Q 两点间的电位差等于电场力将单位正电荷从两点间的电位差等于电场力将单位正电荷从P点移至点移至Q 点点 所做的功,电场力使单位正电荷由高电位处移到低电位处;所做的功,电场力使单位正电荷由高电位处移到低电位处;电位差也称为电压,可用电位差也称为电压,可用U 表示;表示;电位差有确定值,只与首尾电位差有确定值,只与首尾(shuwi)两点位置有关,与积分路径无关。两点位置有关,与积分路径无关。P、Q 两点间的电位差两点间的电位差电场力电场力做的功做的功第6页/共151页第七页,共
5、151页。8 静电位不惟一,可以相差一个静电位不惟一,可以相差一个(y)(y)常数,即常数,即选参考点选参考点令参考点电位令参考点电位(din wi)为零为零电位电位(din wi)(din wi)确定值确定值(电位电位(din wi)(din wi)差差)两点间电位差有定值两点间电位差有定值 选择电位参考点的原则选择电位参考点的原则 应使电位表达式有意义;应使电位表达式有意义;应使电位表达式最简单。若电荷分布在有限区域,通常取无应使电位表达式最简单。若电荷分布在有限区域,通常取无 限远作电位参考点;限远作电位参考点;同一个问题只能有一个参考点。同一个问题只能有一个参考点。4.电位参考点电位参
6、考点 为使空间各点电位具有确定值,可以选定空间某一点作为参考点,且令参考点的电位为零,由于空间各点与参考点的电位差为确定值,所以该点的电位也就具有确定值,即为使空间各点电位具有确定值,可以选定空间某一点作为参考点,且令参考点的电位为零,由于空间各点与参考点的电位差为确定值,所以该点的电位也就具有确定值,即第7页/共151页第八页,共151页。9在均匀在均匀(jnyn)(jnyn)介质中,有介质中,有5.电位电位(din wi)的微分方程的微分方程在无源在无源(w yun)(w yun)区域,区域,标量泊松方程标量泊松方程拉普拉斯方程拉普拉斯方程第8页/共151页第九页,共151页。10n6.静
7、电静电(jngdin)位的边界条件位的边界条件 设设P1和和P2是介质分界面是介质分界面(jimin)两侧紧贴界面两侧紧贴界面(jimin)的相邻两点,其电位分别为的相邻两点,其电位分别为 1和和 2。当两点间距离。当两点间距离l0时时 若介质分界若介质分界(fn ji)面上无自由电荷,即面上无自由电荷,即导体表面上电位的边界条件:导体表面上电位的边界条件:由由 和和媒质媒质2媒质媒质1常数,常数,第9页/共151页第十页,共151页。11 例例 求电偶极子的电位求电偶极子的电位(din wi).解解 在球坐标系中在球坐标系中用二项式展开用二项式展开(zhn ki)(zhn ki),由于,得,
8、由于,得代入上式,得代入上式,得 表示电偶极矩,方向表示电偶极矩,方向(fngxing)由负电荷指向正电荷。由负电荷指向正电荷。+q电偶极子电偶极子zodq第10页/共151页第十一页,共151页。12将将 和和 代入上式,代入上式,解得解得E线方程为线方程为 由球坐标系中的梯度公式,可得到由球坐标系中的梯度公式,可得到(d do)电偶极子的远区电场强度电偶极子的远区电场强度等位线等位线电场线电场线电偶极子的场图电偶极子的场图电场线微分方程电场线微分方程(wi fn fn chn):等位等位(dn wi)线方程:线方程:第11页/共151页第十二页,共151页。13 解解 选定均匀电场空间中的
9、一点选定均匀电场空间中的一点(y din)o为坐标原点,而任意点为坐标原点,而任意点P 的位置矢量为的位置矢量为r,则,则若选择点若选择点o为电位参考点,即为电位参考点,即 ,则,则 在球坐标系中,取极轴与在球坐标系中,取极轴与 的方向一致,即的方向一致,即 ,则有,则有 在圆柱面坐标系中,取在圆柱面坐标系中,取 与与x轴方向一致,即轴方向一致,即 ,而,而 ,故,故 例例 求均匀电场的电位求均匀电场的电位(din wi)分布。分布。第12页/共151页第十三页,共151页。14xyzL-L 解解 采用圆柱面坐标系,令线电荷与采用圆柱面坐标系,令线电荷与 z 轴相重合,中点位于坐标原点。由于轴
10、对称性,电位与轴相重合,中点位于坐标原点。由于轴对称性,电位与 无关。无关。在带电线上位于在带电线上位于 处的线元处的线元 ,它,它到点到点 的距离的距离 ,则则 例例3.1.3 求长度为求长度为2L、电荷线密度为、电荷线密度为 的均匀带电线的电位。的均匀带电线的电位。第13页/共151页第十四页,共151页。15 在上式中若令在上式中若令 ,则可得到无限长直线电荷的电位。当,则可得到无限长直线电荷的电位。当 时,上式可写为时,上式可写为 当当 时,上式变为无穷大,这是因为电荷不是分布在有限区域内,而将电位参考点选在无穷远点之故。这时可在上式中加上一个任意常数,则有时,上式变为无穷大,这是因为
11、电荷不是分布在有限区域内,而将电位参考点选在无穷远点之故。这时可在上式中加上一个任意常数,则有并选择有限远处为电位并选择有限远处为电位(din wi)参考点。例如,选择参考点。例如,选择=a 的点为电位的点为电位(din wi)参参考点,则有考点,则有第14页/共151页第十五页,共151页。16 例例3.1.4 两块无限大接地导体平板分别置于两块无限大接地导体平板分别置于x=0和和 x=a 处,在两板之间的处,在两板之间的 x=b 处有一面密度为处有一面密度为 的均匀电荷分布,如图所示。求两导体平板之间的电位和电场。的均匀电荷分布,如图所示。求两导体平板之间的电位和电场。解解 在两块无限大接
12、地导体平板之间,除在两块无限大接地导体平板之间,除 x=b 处有均匀面电荷分布外,其余空间处有均匀面电荷分布外,其余空间(kngjin)均无电荷分布,故电位函数满足一维拉普拉斯方程均无电荷分布,故电位函数满足一维拉普拉斯方程方程方程(fngchng)的解为的解为obaxy两块无限大平行板两块无限大平行板第15页/共151页第十六页,共151页。17利用利用(lyng)边界条件,有边界条件,有 处,处,最后最后(zuhu)得得 处,处,处,处,所以所以(suy)由此解得由此解得第16页/共151页第十七页,共151页。18电容器广泛应用于电子设备的电路中:电容器广泛应用于电子设备的电路中:在电子
13、电路中,利用电容器来实现在电子电路中,利用电容器来实现(shxin)滤波、移相、隔直、旁滤波、移相、隔直、旁 路、选频等作用;路、选频等作用;通过电容、电感、电阻的排布,可组合成各种功能的复杂通过电容、电感、电阻的排布,可组合成各种功能的复杂 电路;电路;在电力系统中,可利用电容器来改善系统的功率因数,以在电力系统中,可利用电容器来改善系统的功率因数,以 减少电能的损失和提高电气设备的利用率;减少电能的损失和提高电气设备的利用率;导体导体导体导体(dot)(dot)系统的电容与部分电容系统的电容与部分电容系统的电容与部分电容系统的电容与部分电容第17页/共151页第十八页,共151页。19 电
14、容是导体系统的一种基本属性电容是导体系统的一种基本属性(shxng),是描述导体系统,是描述导体系统 储存电荷能力的物理量。储存电荷能力的物理量。孤立导体的电容定义为所带电量孤立导体的电容定义为所带电量q与其电位与其电位(din wi)的比值,即的比值,即1.电容电容(dinrng)孤立导体的电容孤立导体的电容 两个带等量异号电荷(两个带等量异号电荷(q)的导的导 体组成的电容器,其电容为体组成的电容器,其电容为 电容的大小只与导体系统的几何尺寸、形状和及周围电介质电容的大小只与导体系统的几何尺寸、形状和及周围电介质 的特性参数有关,而与导体的带电量和电位无关。的特性参数有关,而与导体的带电量
15、和电位无关。第18页/共151页第十九页,共151页。20(1)假定两导体上分别假定两导体上分别(fnbi)带电荷带电荷+q 和和-q;(2)计算两导体间的电场强度计算两导体间的电场强度E;计算电容计算电容(dinrng)的步骤:的步骤:(4)求比值求比值 ,即得出所求电容。,即得出所求电容。(3)由由 ,求出两导体间的电位差;,求出两导体间的电位差;第19页/共151页第二十页,共151页。21 解:设内导体的电荷为解:设内导体的电荷为q,则由高斯定理可求得内外,则由高斯定理可求得内外(niwi)导体间的电场导体间的电场同心导体同心导体(dot)(dot)间的电压间的电压球形电容球形电容(d
16、inrng)(dinrng)器的电容器的电容(dinrng)(dinrng)当当 时,时,例例 同心球形电容器的内导体半径为同心球形电容器的内导体半径为a、外导体半径为、外导体半径为b,其间填充介电常数为,其间填充介电常数为的均匀介质。的均匀介质。求此球形电容器的电容。求此球形电容器的电容。孤立导体球的电容孤立导体球的电容第20页/共151页第二十一页,共151页。22 例例 如图所示的平行双线传输线,导线半径为如图所示的平行双线传输线,导线半径为a,两导线的轴线距离,两导线的轴线距离(jl)为为D,且,且D a,求传输线单位长度的电容。,求传输线单位长度的电容。解解 设两导线单位长度带电量分
17、别为设两导线单位长度带电量分别为 和和 。由于。由于 ,故,故可近似地认为电荷分别均匀分布在两可近似地认为电荷分别均匀分布在两导线的表面上。应用高斯定理和叠加原导线的表面上。应用高斯定理和叠加原理,可得到两导线之间的平面上任一点理,可得到两导线之间的平面上任一点P 的电场强度为的电场强度为两导线两导线(doxin)间的电位差间的电位差故单位长度故单位长度(chngd)的电容为的电容为第21页/共151页第二十二页,共151页。23 例例 同轴线内导体同轴线内导体(dot)半径为半径为a,外导体,外导体(dot)半径为为半径为为b,内外导体,内外导体(dot)间填充的介电常数为间填充的介电常数为
18、 的均匀介质,求同轴线单位长度的电容。的均匀介质,求同轴线单位长度的电容。内外内外(niwi)导体间的电位差导体间的电位差 解解 设同轴线的内、外导体单位长度带电量分别为设同轴线的内、外导体单位长度带电量分别为 和和 ,应用高斯定理可得到内外导体间任一点的电场强度为应用高斯定理可得到内外导体间任一点的电场强度为故得同轴线单位长度故得同轴线单位长度(chngd)的电容为的电容为同轴线同轴线第22页/共151页第二十三页,共151页。242 部份电容部份电容(dinrng)在多导体系统中,任何两个导体间的电压都要受到其余导体在多导体系统中,任何两个导体间的电压都要受到其余导体 上的电荷的影响。因此
19、,研究多导体系统时,必须把电容的上的电荷的影响。因此,研究多导体系统时,必须把电容的 概念概念(ginin)加以推广,引入部分电容的概念加以推广,引入部分电容的概念(ginin)。在由在由N个导体组成的系统个导体组成的系统(xtng)中,由于电位与各导体所带的电荷之间成线性关系,所以,各导体的电位为中,由于电位与各导体所带的电荷之间成线性关系,所以,各导体的电位为式中:式中:自电位系数自电位系数 互电位系数互电位系数(1)电位系数电位系数第23页/共151页第二十四页,共151页。25 i j 在数值上等于第在数值上等于第i 个导体上的总电量为一个单位、而其余个导体上的总电量为一个单位、而其余
20、(qy)导体上的总电量都为零时,第导体上的总电量都为零时,第 j 个导体上的电位,即个导体上的电位,即i j 只与各导体的形状、尺寸、相互位置以及导体周围的介质只与各导体的形状、尺寸、相互位置以及导体周围的介质 参数参数(cnsh)有关,而与各导体的电位和带电量无关;有关,而与各导体的电位和带电量无关;具有具有(jyu)对称性,即对称性,即i j=j i。i j 0;电位系数的特点:电位系数的特点:第24页/共151页第二十五页,共151页。26若已知各导体的电位,则各导体的电量若已知各导体的电位,则各导体的电量(dinling)可表示为可表示为 式中:式中:自电容系数或自感应系数自电容系数或
21、自感应系数 互电容系数或互感应系数互电容系数或互感应系数(2)电容电容(dinrng)系数系数第25页/共151页第二十六页,共151页。27 i j 在数值上等于第在数值上等于第 j个导体上的电位为一个个导体上的电位为一个(y)单位、而其余导单位、而其余导 体接地时,第体接地时,第 i 个导体上的电量,即个导体上的电量,即 i j i j 只与各导体只与各导体(dot)(dot)的形状、尺寸、相互位置以及导体的形状、尺寸、相互位置以及导体(dot)(dot)周围的介质周围的介质 参数有关,而与各导体参数有关,而与各导体(dot)(dot)的电位和带电量无关;的电位和带电量无关;具有具有(jy
22、u)对称性,即对称性,即i j=j i。i i 0、;电容系数的特点:电容系数的特点:第26页/共151页第二十七页,共151页。28将各导体将各导体(dot)的电量表示为的电量表示为 式中:式中:(3)部分部分(b fen)电容电容 导体导体 i 与导体与导体 j 之间的部分电容之间的部分电容 导体导体 i 与地之间的部分电容与地之间的部分电容 第27页/共151页第二十八页,共151页。29 Ci i 在数值上等于全部在数值上等于全部(qunb)导体的电位都为一个单位时,第导体的电位都为一个单位时,第 i 个导个导 体上的电量;体上的电量;Ci j Ci j 只与各导体的形状、尺寸、相互只
23、与各导体的形状、尺寸、相互(xingh)(xingh)位置以及导体周围的介质位置以及导体周围的介质 参数有关,而与各导体的电位和带电量无关;参数有关,而与各导体的电位和带电量无关;具有具有(jyu)对称性,即对称性,即Ci j=Cj i。Ci j 0;Ci j 在数值上等于第在数值上等于第 j 个导体的电位为一个单位、其余个导体的电位为一个单位、其余 导体都接地时,导体都接地时,第第 i 个导体上的电量;个导体上的电量;部分电容的特点:部分电容的特点:第28页/共151页第二十九页,共151页。30 在多导体系统中,把其中任意两个导体作为电容器的两个电极,设在这两个电极间加上电压在多导体系统中
24、,把其中任意两个导体作为电容器的两个电极,设在这两个电极间加上电压U,极板上所带电荷分别为,极板上所带电荷分别为 ,则比值,则比值 称为这两个导体间的等效电容。称为这两个导体间的等效电容。(4)等效)等效(dn xio)电容电容如图所示,有三个部分电容如图所示,有三个部分电容导线导线 1 和和 2 间的等效电容为间的等效电容为导线导线 1 和大地间的等效电容为和大地间的等效电容为导线导线 2 和大地间的等效电容为和大地间的等效电容为1 12 2大地大地大地上空的平行双导线大地上空的平行双导线第29页/共151页第三十页,共151页。31 如果充电过程进行得足够缓慢,就不会有能量如果充电过程进行
25、得足够缓慢,就不会有能量(nngling)辐射,充电过程中外加电源所作的总功将全部转换成电场能量辐射,充电过程中外加电源所作的总功将全部转换成电场能量(nngling),或者说电场能量,或者说电场能量(nngling)就等于外加电源在此电场建立过程中所作的总功。就等于外加电源在此电场建立过程中所作的总功。静电场能量来源于建立电荷系统静电场能量来源于建立电荷系统(xtng)的过程中外源提供的能量的过程中外源提供的能量静电场最基本静电场最基本(jbn)的特征是对电荷有作用力,这表明静电场具有的特征是对电荷有作用力,这表明静电场具有 能量。能量。任何形式的带电系统,都要经过从没有电荷分布到某个最终电
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- 第三 静态 及其 边值问题
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