变频器知识学习.pptx
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1、主要的公式公式:R为电枢绕组内阻,e为旋转电动势Km:系数;:磁通;:电枢电流f:旋转速度;N:线圈匝数;:磁通第1页/共60页晶闸管的结构与工作原理常用常用晶闸管的结构晶闸管的结构螺栓型晶闸管晶闸管模块平板型晶闸管外形及结构(C)第2页/共60页1.4典型全控型器件引言常用的常用的典型全控型器件典型全控型器件(B)GTR、电力 MOSFET 和 IGBT 等器件的常用封装形式。第3页/共60页电力场效应晶体管电力电力MOSFET的结构的结构 是单极型晶体管单极型晶体管。导电机理与小功率 MOS 管相同,但结构上多采用垂直垂直 导电结构导电结构,又称为 VMOSFET。采用多元集成结构多元集成
2、结构,不同的生产厂家采用了不同设计。图 a)为垂直导电双扩散结构,即 VDMOSFET。图1-19 电力 MOSFET 的结构和电气图形符号(B)a)b)第4页/共60页绝缘栅双极晶体管1)IGBT的结构和工作原理三端器件:栅极G、集电极C和发射极E。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,具有很强的通流能力。图1-22 IGBT 的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图 b)等效电路 c)简化等效电路 d)电气图形符号(B)第5页/共60页功率模块与功率集成电路例:部分功率模块、例:部分功率模块、IPM、电力半导体器件及驱动电路、电力半导体器件及驱动电路(A)第6页/共6
3、0页7逆变电路最基本的工作原理改变两组开关切换频率,可改变输出交流电频率。图5-1 逆变电路及其波形举例a)b)tuoiot1t2电电阻阻负负载载时,负载电流 io 和 uo 的波形相同,相位也相同。阻阻感感负负载载时,io 相位滞后于 uo,波形也不同。单相桥式逆变电路单相桥式逆变电路 S1 S4 是桥式电路的 4 个臂,由电力电子器件及辅助电路组成。(B B)第7页/共60页86.1PWM控制的基本思想重要理论基础重要理论基础面积等效原理面积等效原理 采样控制理论中的一个重要结论:采样控制理论中的一个重要结论:冲量冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同效果基本相同
4、。冲量冲量窄脉冲的面积效果基本相同效果基本相同环节的输出响应波形基本相同t)t)f(d(tOtOf(t)图6-1 形状不同而冲量相同的各种窄脉冲d)单位脉冲函数a)矩形脉冲b)三角形脉冲c)正弦半波脉冲tOtOf(t)f(t)(B B)第8页/共60页9PWM控制的基本思想 若要改变等效输出正弦波幅值幅值,按同一比例改变各脉冲宽度脉冲宽度即可。Ou 如何用一系列等幅不等宽的脉冲等幅不等宽的脉冲来代替一个正弦半波SPWM 波Ou(C C)ttOut第9页/共60页 V1 和 V2、V3 和 V4 的通断彼此互补互补。在 ur 和 uc 的交交点点时刻控制 IGBT 的通断。计算法和调制法ur 正
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