低噪声放大器讲解.pptx
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1、低噪声放大器的特点低噪声放大器的特点位于接收机的最前端位于接收机的最前端噪声噪声越小越好越小越好,且要求有,且要求有适当适当的的稳定稳定的增益的增益接收的信号很微弱且变化接收的信号很微弱且变化 属于属于小信号小信号线性放大器,线性放大器,线性范围大线性范围大,自动增益控制自动增益控制与天线或滤波器相连接与天线或滤波器相连接要有良好的要有良好的匹配匹配特性特性具有一定的选频功能具有一定的选频功能有效有效抑制抑制带外干扰和镜像频率干扰带外干扰和镜像频率干扰第1页/共85页对晶体管的描述方法对晶体管的描述方法物理等效电路模型物理等效电路模型网络参数模型网络参数模型模型中的每个参数均对应一定的物理意义
2、模型中的每个参数均对应一定的物理意义,与工作点有关,与工作点有关适用的频率范围较宽适用的频率范围较宽,适用于交流小信号输入适用于交流小信号输入把晶体管视为一个双端口黑盒子,分析其端口参数把晶体管视为一个双端口黑盒子,分析其端口参数线性网络可以用端口参数来描述其特性,如线性网络可以用端口参数来描述其特性,如H参数、参数、Y参数等参数等适用于特定频率、线性参数适用于特定频率、线性参数,在射频与微波波段,多用在射频与微波波段,多用S参数参数第2页/共85页根据制造工艺,根据制造工艺,RF/MWRF/MW有源电路可以分为:有源电路可以分为:印刷电路印刷电路(PCB)(PCB)混合微波集成电路混合微波集
3、成电路(HMIC)(HMIC)单片微波集成电路单片微波集成电路(MMIC)(MMIC)在印刷电路中,元器件是被焊接到印刷板上,印刷板作为连在印刷电路中,元器件是被焊接到印刷板上,印刷板作为连线和支撑媒质。这种电路线和支撑媒质。这种电路 成本低,多数应用于成本低,多数应用于3 GHz以下。以下。第3页/共85页 混合混合MIC由分布参数电路元件和集总电路元件混合而成。由分布参数电路元件和集总电路元件混合而成。混合混合MIC电路尺寸较电路尺寸较PCB小,并可工作至毫米波频率。小,并可工作至毫米波频率。第4页/共85页 MMIC中的所有有源和无源电路元件及其互连是在一块半导中的所有有源和无源电路元件
4、及其互连是在一块半导体绝缘基片上形成的。目前生产体绝缘基片上形成的。目前生产 的的MMIC多数工作于多数工作于0.5100 GHz的频段。单片集成技术特别适用于毫米波应用。的频段。单片集成技术特别适用于毫米波应用。MMIC 的优的优点是成本低、尺寸小、可批量生产。点是成本低、尺寸小、可批量生产。第5页/共85页低噪声放大器的指标低噪声放大器的指标0.5mm GaAs FET0.8mm Si Bipolar电源电压电源电压(V)(V)3.01.9电源电流电源电流(mA)(mA)4.02.0频率频率(GHz)(GHz)1.91.9噪声系数噪声系数NF(dB)NF(dB)2.82.8增益增益(dB)
5、(dB)18.19.5IIP3(dBm)IIP3(dBm)-11.1-3Input VSWRInput VSWR1.51.2Output VSWROutput VSWR3.11.4隔离隔离(dB)(dB)2121低噪放(低噪放(LNA)高频、小信号、线性、选频放大高频、小信号、线性、选频放大教材表教材表5.5.1给出了两个不同工艺的低噪声放大器的指标。给出了两个不同工艺的低噪声放大器的指标。第6页/共85页分析这些指标,主要有:分析这些指标,主要有:低功耗低功耗工作频率工作频率噪声系数噪声系数增益增益增益控制增益控制输入阻抗匹配输入阻抗匹配线性范围线性范围隔离度与稳定性隔离度与稳定性采用低电源
6、电压,低偏置电流采用低电源电压,低偏置电流与特征频率有关与特征频率有关用网络的等效噪声源方法进行分析用网络的等效噪声源方法进行分析要适中要适中根据接收信号的强弱自动控制增益根据接收信号的强弱自动控制增益功率匹配,噪声匹配功率匹配,噪声匹配三阶互调截点、三阶互调截点、1dB压缩点压缩点本振泄露本振泄露第7页/共85页低噪声放大器的指标低噪声放大器的指标分析分析低功耗低功耗移动通信的必然要求移动通信的必然要求低电源电压低电源电压小的静态电流小的静态电流跨导跨导工作频率工作频率取决于晶体管的特征频率取决于晶体管的特征频率与工作点有关与工作点有关取决于半导体工艺取决于半导体工艺第8页/共85页噪声系数
7、噪声系数线性网络:线性网络:共射极单管双极型晶体管:共射极单管双极型晶体管:单管共源单管共源MOS管(若仅考虑沟道噪声):管(若仅考虑沟道噪声):第9页/共85页增益增益增益增益大大可降低可降低后级对系统噪声系数的影响后级对系统噪声系数的影响后级易产生非线性后级易产生非线性失真失真增益增益取决于取决于跨导跨导 由工作点决定由工作点决定负载负载控制方法控制方法:放大器:放大器工作点工作点、负反馈量负反馈量、回路回路Q值值增益控制增益控制LC谐振回路谐振回路 Q值、谐振阻抗值、谐振阻抗集中参数选频滤波器集中参数选频滤波器注意阻抗匹配注意阻抗匹配第10页/共85页输入阻抗匹配输入阻抗匹配类型:类型:
8、纯电阻纯电阻 宽带,有耗,噪声大宽带,有耗,噪声大纯电抗纯电抗 窄带,无耗,噪声小窄带,无耗,噪声小匹配方式:匹配方式:共源共源(共射共射)方式方式共栅共栅(共基共基)方式方式输入阻抗大,并联所需电阻即输入阻抗大,并联所需电阻即可达到匹配。但会增加噪声。可达到匹配。但会增加噪声。输入阻抗输入阻抗1/gm较小,改变偏置较小,改变偏置就可以改变就可以改变gm,达到匹配。,达到匹配。第11页/共85页电阻负反馈方式电阻负反馈方式电感负反馈方式电感负反馈方式电阻串并联负反馈方式以达到阻抗电阻串并联负反馈方式以达到阻抗匹配的目的。适用于宽带放大,但匹配的目的。适用于宽带放大,但功耗大,且需要集成较多的电
9、阻,功耗大,且需要集成较多的电阻,不适合不适合CMOS技术。技术。源源(射射)极采用电感负反馈,与输极采用电感负反馈,与输入电容调谐后实现匹配,适用于入电容调谐后实现匹配,适用于窄带放大,有较好的噪声性能。窄带放大,有较好的噪声性能。第12页/共85页线性范围线性范围隔离度与稳定性隔离度与稳定性取决于取决于器件器件、电路结构电路结构、阻抗变换网络阻抗变换网络正向正向传输传输压控电流源压控电流源反向反向传输传输极间电容极间电容引起不稳定引起不稳定的原因的原因改进措施:改进措施:中和法中和法用用中和电容中和电容抵消抵消失配法失配法采用采用共射共基共射共基(共源共栅)组态(共源共栅)组态降低增益降低
10、增益第13页/共85页(a)加中和电容加中和电容输出点输出点+输出点输出点-输入输入 CN的一端接输出,一端接输入,的一端接输出,一端接输入,由它引入的反馈来抵消晶体管内由它引入的反馈来抵消晶体管内部反馈电容部反馈电容Cbc引起的反馈。引起的反馈。(b)采用共发共基采用共发共基(共源共栅共源共栅)结构结构 利用共基放大器输入电阻很小利用共基放大器输入电阻很小的特点,作为共发放大器的负载的特点,作为共发放大器的负载电阻,可以大大拓展共发放大器电阻,可以大大拓展共发放大器的上限频率,同时又具备很好的的上限频率,同时又具备很好的电流、电压增益。电流、电压增益。第14页/共85页晶体管高频等效电路晶体
11、管高频等效电路射频集成电路主要工艺射频集成电路主要工艺 砷化钾砷化钾 GaAs双极双极 Bipolar(一种化合半导体材料)(一种化合半导体材料)具有最高的工作频率:具有最高的工作频率:50100GHz;在超高速微电子学在超高速微电子学和光电子学中应用广泛和光电子学中应用广泛 纯双极、纯双极、BiCMOS和和SiGeHBT(异质结)(异质结)三种双极工艺器件的截止频率:三种双极工艺器件的截止频率:工艺技术工艺技术截止频率截止频率(GHZ)Bipolar25 50BiCMOS10 20SiGe HBT40-80第15页/共85页CMOS噪声低、线性好、与数字集成电路兼容,噪声低、线性好、与数字集
12、成电路兼容,工作频率工作频率3GHz以上以上双极晶体管较之双极晶体管较之CMOS晶体管的优点:晶体管的优点:1、在相同的偏置电流下跨导大、在相同的偏置电流下跨导大2、有较高的增益带宽积、有较高的增益带宽积由于跨导与偏置电流成正比,结果:在较小的功耗下可由于跨导与偏置电流成正比,结果:在较小的功耗下可获得大增益;提高工作频率(低于获得大增益;提高工作频率(低于10GHz)第16页/共85页双极型晶体管共射小信号等效电路双极型晶体管共射小信号等效电路共射放大器原理图共射放大器原理图 共同决定共同决定工作点工作点Q基极偏置基极偏置VBEQ集电极电源集电极电源 VCC决定基极偏置电流决定基极偏置电流
13、IBQ负载电阻负载电阻 RL输入信号输入信号为 ,输出电流输出电流公式公式当当晶体管可用其晶体管可用其等效电路等效电路代替代替第17页/共85页注意:注意:电路中的所有电路中的所有参数均与工作点参数均与工作点Q有关有关 该电路是该电路是交流小信号交流小信号等效电路等效电路 从两个层次上加强对等效电路的理解:从两个层次上加强对等效电路的理解:理解电路中理解电路中各元件的物理意义各元件的物理意义理解晶体管作为理解晶体管作为放大器的本质放大器的本质第18页/共85页晶体管作为放大器的本质晶体管作为放大器的本质一个一个电压控制的电流源电压控制的电流源放大器的放大器的输入输入阻抗,电阻和电容阻抗,电阻和
14、电容放大器放大器输出输出电阻电阻 (很大)(很大)由等效电路中的电容引起由等效电路中的电容引起 反向反向传输器件传输器件引起放大器引起放大器不稳定不稳定正向传输正向传输极限极限工作频率工作频率(特征频率特征频率)第19页/共85页场效应管小信号模型场效应管小信号模型饱和区(恒流区)饱和区(恒流区)可变电阻区可变电阻区场效应管工作的场效应管工作的两个区两个区以以 大小划分大小划分可变电阻区可变电阻区很小很小理解:理解:和和 成成线性关系线性关系电导值为电导值为 此电阻此电阻受栅源电压受栅源电压 的控制(可变电阻)的控制(可变电阻)恒流区恒流区场效应管等效为一个理想的电压控制电流源场效应管等效为一
15、个理想的电压控制电流源第20页/共85页小信号等效电路小信号等效电路恒流区恒流区伏安特性为:伏安特性为:成成平方律平方律关系关系转移跨导:转移跨导:小信号跨导与管子特性及工作点偏置有关小信号跨导与管子特性及工作点偏置有关由等效电路中的电容引起由等效电路中的电容引起 极限极限工作频率工作频率(特征频率特征频率)第21页/共85页低噪声放大器设计低噪声放大器设计采用晶体管的采用晶体管的等效电路模型等效电路模型设计、分析低噪声放大器设计、分析低噪声放大器电路电路组成组成:晶体管、偏置、输入匹配和负载四大部分:晶体管、偏置、输入匹配和负载四大部分 单管小信号选频放大器典型电路:单管小信号选频放大器典型
16、电路:Q晶体管晶体管 Q偏置电阻偏置电阻输入匹配输入匹配网络网络负载负载:选频回路:选频回路负载电阻负载电阻晶体管、负载部分接入晶体管、负载部分接入交流旁路交流旁路电容电容第22页/共85页(2)画出放大器的交流通路图画出放大器的交流通路图(3)代入晶体管的小信号等效电路及参数,代入晶体管的小信号等效电路及参数,计算放大器的各项指标计算放大器的各项指标(1)分析直流偏置,决定直流工作点,得出对应工作点的参数分析直流偏置,决定直流工作点,得出对应工作点的参数 直流电源是直流电源是交流地交流地 大电容(交流旁路电容)大电容(交流旁路电容)短路短路 大电感(扼流圈大电感(扼流圈)开路开路 仅做偏置用
17、的直流电阻仅做偏置用的直流电阻可不画可不画分析电路步骤:分析电路步骤:画交流通路图的原则:画交流通路图的原则:第23页/共85页Q完整电路完整电路 画交流图画交流图电源是交流地电源是交流地去掉偏置去掉偏置大电容短路大电容短路代入晶体管代入晶体管 等效电路等效电路设晶体管设晶体管为单向传输为单向传输第24页/共85页计算增益(单向传输)计算增益(单向传输)对线圈部分接入进行折合对线圈部分接入进行折合电流源电流源 和和 接入系数接入系数负载负载接入系数接入系数第25页/共85页 选择回路电抗元件:选择回路电抗元件:谐振频率,即谐振频率,即工作频率工作频率为为 回路谐振阻抗:回路谐振阻抗:设设LC回
18、路的空载回路的空载Q为为Q0回路回路谐振阻抗谐振阻抗(其中(其中 )输出电压:输出电压:回路谐振回路谐振 电压增益电压增益 第26页/共85页低噪放回路带宽低噪放回路带宽其中其中()增加稳定性增加稳定性抵消极间电容抵消极间电容 的影响的影响添加添加中和电容中和电容注意反馈的注意反馈的极性极性第27页/共85页1GHZ CMOS 低噪声放大器低噪声放大器 COCO电路结构:电路结构:场效应管场效应管M1和和 M2、共栅组态共栅组态接成双端输入双端输出接成双端输入双端输出差动放大器差动放大器 输入输入端采用电感端采用电感L1和和 L2组成组成匹配匹配网络网络 输出输出端采用端采用LC回路回路选频选
19、频 电感电感L3(L4)下级输入电容)下级输入电容CO M3 交流短路(作用见后分析)交流短路(作用见后分析)偏置偏置为为VG(偏置电路(偏置电路省略省略),),电感电感L1和和 L2同时提供了各管子同时提供了各管子直流通路直流通路 第28页/共85页电路电路分析分析:画画交流通路图交流通路图(以以M1为例)为例)共栅共栅、栅源栅源电容电容Cgs漏极漏极电容电容Cd(包括栅漏电容(包括栅漏电容Cgd)杂散杂散及分布电容及分布电容 CP 杂散杂散电容电容C0(包括下级混频器的包括下级混频器的输入输入电容电容)第29页/共85页(1)输入匹配网)输入匹配网外接电感线圈外接电感线圈 L1 栅源电容栅
20、源电容Cgs杂散及分布电容杂散及分布电容CP并联回路并联回路谐振频率谐振频率工作频率工作频率1GHz回路回路谐振阻抗谐振阻抗共栅极输入阻抗共栅极输入阻抗为为1/gm调节匹配方法:调节匹配方法:调节调节M1和M2 的的偏置电压偏置电压VG 改变改变 M1 M2 的的跨导跨导 gm,使使1/gm=Rs,完成与源阻抗匹配。,完成与源阻抗匹配。第30页/共85页(2 2)输出回路)输出回路电感电感线圈线圈L3漏极漏极电容电容Cd杂散杂散电容电容C0(包括(包括下级输入下级输入电容)电容)并联并联谐振回路谐振回路已知管子电容已知管子电容Cd和和C0,得:,得:谐振于工作频率谐振于工作频率第31页/共85
21、页性能性能指标指标:(1)增益增益代入代入MOS管管共栅共栅等效电路等效电路增益增益管子管子跨导跨导gm负载负载回路谐振阻抗回路谐振阻抗Rp设线圈设线圈L3 的的串联损耗电阻串联损耗电阻是是r折算到输出回路并联为折算到输出回路并联为Rp单管增益:单管增益:比值比值 取决于电感的制作方式取决于电感的制作方式 芯片内集成电感或外接电感芯片内集成电感或外接电感第32页/共85页放大器放大器总增益总增益总输出总输出总输入总输入差分放大器总增益与单管相同差分放大器总增益与单管相同第33页/共85页(2)带宽)带宽电路特点:电路特点:输入输入并联回路并联回路选频选频阻抗变换阻抗变换输出输出 当两个回路当两
22、个回路Q值相同时值相同时设每个回路带宽为设每个回路带宽为BW1称称 为缩减因子。为缩减因子。当两回路当两回路 Q相差很大时相差很大时带宽取决于带宽取决于 高高Q回路回路输出回路输出回路Q值高值高第34页/共85页放大器放大器噪声源噪声源所以等效输入噪声源所以等效输入噪声源放大器放大器噪声系数噪声系数电路变形,将噪声源分裂成两个电路变形,将噪声源分裂成两个输出端输出端 折合到输入端:折合到输入端:(3)放大器噪声)放大器噪声其中其中g是工艺参数,长沟道是工艺参数,长沟道MOS g=2/3,F=1.67,NF=2.2dB第35页/共85页(4)线性度)线性度差动输入差动输入方式方式输入信号动态范围
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