5压力检测及仪表.ppt
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1、 压力检测及仪表压力检测及仪表 一、概述一、概述 在工业生产过程中,经常要对压力进行检测,如熔炼炉、在工业生产过程中,经常要对压力进行检测,如熔炼炉、加热炉就要适当的控制炉膛压力及烟道压力,来获得良好的加热炉就要适当的控制炉膛压力及烟道压力,来获得良好的热工效果。又如许多冶金物化反应,对反应空间的压力有一热工效果。又如许多冶金物化反应,对反应空间的压力有一定的要求,某些在常压下不能发生反应,需要高压或一定的定的要求,某些在常压下不能发生反应,需要高压或一定的真空度下才能反应等等。另外,要测量某些流体的流量,也真空度下才能反应等等。另外,要测量某些流体的流量,也是通过压力来测量的,如孔板流量计。
2、因次,对压力的检测是通过压力来测量的,如孔板流量计。因次,对压力的检测是常见而非常重要的。是常见而非常重要的。压力检测的基本知识压力检测的基本知识压力的单位压力的单位(这里的压力指压强:单位面积所受的力)压力表示方法:压力表示方法:)绝对压力)绝对压力;)表压力(相对压力);)负压力(真空度)表压力(相对压力);)负压力(真空度)压力表分类:压力表分类:(按信号转换原理不同)分为以下四类:(按信号转换原理不同)分为以下四类:)液柱式压力计)液柱式压力计将被检测压力转换成液柱高度差进行测量的压力计将被检测压力转换成液柱高度差进行测量的压力计如:形管压力计,斜管压力计等如:形管压力计,斜管压力计等
3、)弹性式压力计)弹性式压力计将被测压力转换成弹性元件变形所引起的位移而进行测量的压力计将被测压力转换成弹性元件变形所引起的位移而进行测量的压力计如:弹簧管压力计,波纹管压力计,膜盒压力计如:弹簧管压力计,波纹管压力计,膜盒压力计)电气式压力计)电气式压力计 将被测压力转换成电量进行压力测量的压力计。将被测压力转换成电量进行压力测量的压力计。如:压电式压力计、应变片式压力计、霍尔压力计。如:压电式压力计、应变片式压力计、霍尔压力计。4)活塞式压力计)活塞式压力计 将被测压力转换成活塞上所加砝码重量进行测量的压力计。它是一将被测压力转换成活塞上所加砝码重量进行测量的压力计。它是一种标准型压力计,对
4、其它类型的压力计进行校验。种标准型压力计,对其它类型的压力计进行校验。一霍尔压力传感器一霍尔压力传感器 属于位移式压力传感器,是利用霍尔效应,是将属于位移式压力传感器,是利用霍尔效应,是将P作用下所产生的弹作用下所产生的弹性元件的位移信号转变成电势信号来测量压力。性元件的位移信号转变成电势信号来测量压力。P弹性元件(变形)弹性元件(变形)霍尔效应霍尔效应V(mv)显示显示1)霍尔效应)霍尔效应 霍尔片是一块锗半导体薄片。霍尔片是一块锗半导体薄片。当霍尔片中流过电流时,电子受磁场力(方向可由左手定则确定)的当霍尔片中流过电流时,电子受磁场力(方向可由左手定则确定)的作用,其运动方向(与电流方向相
5、反)将发生偏移,使得在作用,其运动方向(与电流方向相反)将发生偏移,使得在“X轴方向的轴方向的一个端面上造成电子积累而形成负的表面电荷,而在另一端面上则正电一个端面上造成电子积累而形成负的表面电荷,而在另一端面上则正电荷过剩,于是在荷过剩,于是在“X轴方向出现了电场。由于电场的建立,产生了电场轴方向出现了电场。由于电场的建立,产生了电场力,电场力阻止电子的偏移。当磁场力与电场力相平衡时,电子积累达力,电场力阻止电子的偏移。当磁场力与电场力相平衡时,电子积累达到了动态平衡,这时就建立了稳定的霍尔电势:到了动态平衡,这时就建立了稳定的霍尔电势:式中:RH霍尔常数(视霍尔片材料、结构而定)2)霍尔压
6、力传感器)霍尔压力传感器 基本结构(如图)基本结构(如图)a)压力)压力位移转换部分位移转换部分 霍尔片、弹簧管组成霍尔片、弹簧管组成 b)位移)位移电势转换部分电势转换部分 霍尔片、磁钢及引出线霍尔片、磁钢及引出线 c)稳压电源)稳压电源二压电式压力传感器二压电式压力传感器利用压电材料(功能材料)的压电效应做成的传感器利用压电材料(功能材料)的压电效应做成的传感器1)压电效应)压电效应压电材料在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变性,并在其表面上产生压电材料在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变性,并在其表面上产生电荷,去掉力时,又回到原不带电的状态。在蛋形范围内,电荷为:电荷,去掉力时,又
7、回到原不带电的状态。在蛋形范围内,电荷为:式中:S作用面积;K压电常数 常用压电材料:石英晶体、压电陶瓷(钛酸钡陶瓷;钛酸鉛系列陶瓷)常用压电材料:石英晶体、压电陶瓷(钛酸钡陶瓷;钛酸鉛系列陶瓷)2)压电式压力传感器)压电式压力传感器 结构结构:(如图)如图)压电元件夹于两弹性片之间,一膜片接地,另一膜片通过金属箔和引出线压电元件夹于两弹性片之间,一膜片接地,另一膜片通过金属箔和引出线 将电量引出。将电量引出。特点:特点:体积小,结构简单,工作可靠;动态质量小,固有频率高,不需外加电源;体积小,结构简单,工作可靠;动态质量小,固有频率高,不需外加电源;适应工作频率高的压力测量,范围适应工作频率
8、高的压力测量,范围070MPa;输出阻抗高;温度效应较大,输出阻抗高;温度效应较大,环境适应有限。环境适应有限。三电容式压力传感器三电容式压力传感器 1、原理、原理将被测压力通过弹性膜片的位移转换为平行板电容器的电容量将被测压力通过弹性膜片的位移转换为平行板电容器的电容量 平行板电容器电容量为平行板电容器电容量为式中:平行极板间的介电常数;s极板的面积;d平行极板间的距离电容变换器通常有:电容变换器通常有:a)变间隙式()变间隙式(d)b)变面积式()变面积式(s)c)变介电常数()变介电常数(E)2、变间隙式电容压力传感结构:、变间隙式电容压力传感结构:差动电容的活动极板差动电容的活动极板
9、感压元件:弹性膜片(弹性稳定性好特殊合金制成,如合氏合金、蒙耐尔合金等)可左右移动约0.1 mm的距离。固定电极供极板固定电极供极板 在弹性膜片左右有两个用玻璃绝缘体磨成的球形凹面,采用真空渡膜法在该表面镀上一层金属薄膜,作为差动电容的固定极板。弹性膜片位于两固定极板的中央,它与固定极板构成两个测压室,压室填充硅油。三、压阻式压力传感器三、压阻式压力传感器 1、原理、原理 基于单晶硅半导体的压阻效应而构成的基于单晶硅半导体的压阻效应而构成的。采用单晶硅平膜片为弹性元件,在单晶硅平膜片上利用集成电路工艺,采用单晶硅平膜片为弹性元件,在单晶硅平膜片上利用集成电路工艺,在单晶硅的特定方向制成在单晶硅
10、的特定方向制成扩散压敏电阻扩散压敏电阻。单晶硅平膜片在微小变形时有良好的弹性特性。当硅片受压后,膜片的单晶硅平膜片在微小变形时有良好的弹性特性。当硅片受压后,膜片的变形使扩散电阻的阻值发生变化。变形使扩散电阻的阻值发生变化。相对电阻变化为相对电阻变化为:式中 Ke 压阻系数;应力 2、压阻式压力传感器的结构、压阻式压力传感器的结构 单晶硅平膜片的扩散电阻通常做成桥式测量电路,相对的桥臂电阻对单晶硅平膜片的扩散电阻通常做成桥式测量电路,相对的桥臂电阻对称布量,电阻变化时,电桥输出电压与膜片所受压力成对应关系。称布量,电阻变化时,电桥输出电压与膜片所受压力成对应关系。平膜片在圆形硅杯的底部,硅杯内
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