液体电介质的击穿.ppt
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1、液体电介质的击穿液体电介质高度纯净去气液体电介质含气纯净液体电介质工程纯液体电介质一、高度纯净去气液体电介质的电击穿理论一、高度纯净去气液体电介质的电击穿理论(一)以碰撞电离开始作为击穿条件(一)以碰撞电离开始作为击穿条件1.击穿机理液体介质中由于阴极的场致发射或热发射的电子在电场中被加速而获得动能,与液体分子碰撞而导致碰撞电离.电子在碰撞液体分子的同时将能量传递给液体分子,电子损失的能量都用来激发液体分子的热振动。一次碰撞中,液体分子平均吸收的能量为一个振动能量子h。当电子在相邻两次碰撞间得到的能量大于h,电子就能在运动过程中逐渐积累能量,至电子能量大到一定值时,电子与液体相互作用时便导致碰
2、撞电离。2.定量分析设电子电荷为e,电子平均自由程为,电场强度为E则碰撞电离的临界条件为eE=Ch如果把这个条件作为击穿条件,则击穿场强可写为C-大于1的整数如何确定电子平均自由行程?以直链型碳氢化合物液体直链型碳氢化合物液体为例设液体分子浓度为N,分子由各种CH基团组成,Sj代表第j个基团的碰撞截面,设一个分子主链由m个原子构成,原子间有效距离为h0,线型分子的有效半径为a,则一个分子的总碰撞截面为S=Sj=2a(m-1)h0=s0(m-1)2h02a直链型碳氢化合物分子模型(m-1)h0已知电子平均自由程与碰撞截面的关系为液体分子浓度M-液体分子量 -密度 N0-阿佛伽德罗常数代入上式,得
3、 从而根据击穿场强的表达式得固有振动频率平均值(二)以电子崩发展至一定大小为击穿条件类似气体放电条件的处理定义为液体介质上一个电子沿电场方向行径单位距离平均发生的碰撞电离次数单位距离碰撞总数电离几率设击穿条件为电极距离其他参数一定时 Eb1/lnd二、含气纯净液体电介质的气泡击穿理论二、含气纯净液体电介质的气泡击穿理论两串联介质中电场强度与介质介电常数成反比气泡中电场强度高于液体而气体的击穿场强远低于液体气泡先发生电离气泡温度升高,体积膨胀,促进电离电离产生的高能电子碰撞液体分子,使液体分子电离产生更多气体,扩大气体通道,当气泡在两极间形成“气桥”时液体介质就能在此通道发生击穿(一)热化气击穿
4、夏博(Sharbaugh)提出,当液体中平均场强达到107108V/m时,阴极表面微尖端处的场强可能达到108V/m以上。由于场致发射,大量电子由阴极表面的微尖端处注入到液体中,估计电流密度可达105A/m2以上发热量可达1013J/sm3,足以使附近的液体气化。设温度为T0的m克液体加热至沸点Tm并气化 所需热量为H,则H=mc(Tm-T0)+lb液体比热液体气化热由于阴极场致发射电子,单位体积、单位时间内引起的能量损耗 u 可近似地用下列半经验公式表示,即u=AEnn-代表空间电荷影响的常数-液体在电极粗糙处场强区滞留的时间H=mc(Tm-T0)+lb当液体得到的能量等于电极附近液体气化所
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