3-2-1光电子发射探测器.ppt
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1、第三章光电探测器第三章光电探测器3.1 光电探测器的物理基础光电探测器的物理基础3.2 光电子发射探测器光电子发射探测器3.3 光电导探测器光电导探测器3.4 光伏探测器光伏探测器3.5 热电探测器热电探测器3.6 光电成像器件光电成像器件3.7 各类光电探测器的性能各类光电探测器的性能及应用比较及应用比较13.2光电子发射探测器光电子发射探测器真空光电器件是基于真空光电器件是基于外光电效应外光电效应的光电探测器。的光电探测器。滨淞光子滨淞光子(Hamamatsu)R3896光电倍增管光电倍增管 2真空光电器件光电管光电倍增管特点特点:灵敏度高、稳定性好、响应速度快:灵敏度高、稳定性好、响应速
2、度快和噪声小。和噪声小。缺点缺点:结构复杂,工作电压高,体积大。:结构复杂,工作电压高,体积大。33.2.13.2.1半导体的光电子发射半导体的光电子发射1.1.费米能级、真空能级、逸出功费米能级、真空能级、逸出功2.2.金属材料与半导体材料的光电子发射比较金属材料与半导体材料的光电子发射比较1 1)反射系数小,吸收系数大;)反射系数小,吸收系数大;2 2)光电子运动中能量损失小,补充容易;)光电子运动中能量损失小,补充容易;3 3)存在大量发射中心;)存在大量发射中心;4 4)逸出功小。)逸出功小。3.3.电子亲和势电子亲和势、半导体材料的逸出功(、半导体材料的逸出功(i i,n n,p p
3、)4.4.半导体光电发射的半导体光电发射的三个步骤三个步骤43.2.2光电阴极光电阴极一、一、光电阴极光电阴极的主要参数的主要参数1.灵敏度灵敏度光谱灵敏度光谱灵敏度:光电阴极对于一定波长辐射:光电阴极对于一定波长辐射光的灵敏度就称为光谱灵敏度。光的灵敏度就称为光谱灵敏度。光照灵敏度光照灵敏度:对于复合光:对于复合光(或称白光或称白光)的灵的灵敏度就称为积分灵敏度敏度就称为积分灵敏度(通常光照灵敏皮就通常光照灵敏皮就是指积分灵敏度是指积分灵敏度)。5.量子效率量子效率它它表示表示一定波长一定波长的光子入射到光电阴极时,该阴的光子入射到光电阴极时,该阴极所发射的极所发射的光电子数光电子数Ne()
4、与入射的与入射的光子数光子数Np()之比。也称量子产额之比。也称量子产额Q()。3.光谱响应曲线光谱响应曲线.热电子发射热电子发射:引起暗电流和暗噪声,从而限制探测灵敏度。引起暗电流和暗噪声,从而限制探测灵敏度。61.银氧铯银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极光电阴极峰值波长:350nm,800nm光谱响应范围约光谱响应范围约300-1000nm300-1000nm;量子效率约量子效率约0.50.5;使用温度使用温度100100C C;暗电流大。暗电流大。二、二、常规光电阴极常规光电阴极72.单碱锑化物光电阴极单碱锑化物光电阴极金属锑金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,能形与碱金属锂、钠
5、、钾、铷、铯中的一种化合,能形成具有稳定光电发射的发射体。成具有稳定光电发射的发射体。最常用的是锑化铯(最常用的是锑化铯(CsSb),其阴极灵敏度最高,量子效),其阴极灵敏度最高,量子效率为率为1525,长波限为:,长波限为:600nm。广泛用于。广泛用于紫外紫外和和可见可见光区光区的光电探测器中。的光电探测器中。3.多碱锑化物光电阴极多碱锑化物光电阴极当锑和当锑和几种碱金属形成化合物时,具有更高的响应率。几种碱金属形成化合物时,具有更高的响应率。长波限可达长波限可达930nm,扩展到近红外扩展到近红外。84.紫外光电阴极紫外光电阴极通常来说对可见光灵敏的光电阴极对紫外光也有较通常来说对可见光
6、灵敏的光电阴极对紫外光也有较高的量子效率。有时,为了消除背景辐射的影响,要高的量子效率。有时,为了消除背景辐射的影响,要求光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对可求光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对可见光无响应。见光无响应。紫外光电阴极紫外光电阴极碲化铯碲化铯(CsTe,320nm,峰值波长,峰值波长250nm,量子效率:,量子效率:12.4)碘化铯碘化铯(CsI,200nm,峰值波长,峰值波长120nm,量子效率:,量子效率:20)9三、负电子亲和势光电阴极三、负电子亲和势光电阴极常规的光电阴极属于常规的光电阴极属于正电子亲和势正电子亲和势(PEA)类型,类型,即表面的真空能级位
7、于导带之上。即表面的真空能级位于导带之上。如果给半导体的表面作特殊处理,使表面区域能如果给半导体的表面作特殊处理,使表面区域能带弯曲,真空能级降低到导带之下,从而使有效的电带弯曲,真空能级降低到导带之下,从而使有效的电子亲和势为负值,经过特殊处理的阴极称作子亲和势为负值,经过特殊处理的阴极称作负电子亲负电子亲和势光电阴极和势光电阴极(NEA)。10EA1Eg1Eg2EA2Ev1Ec1E0Ec2Ev2SiCs2O对于对于P型型Si的发射阈值是的发射阈值是Ed1=EA1+Eg1,电子进入导电子进入导带后需要克服亲和势带后需要克服亲和势EA1才能逸出表面。由于表才能逸出表面。由于表面存在面存在n型薄
8、层,使耗尽区的电位下降,表面电型薄层,使耗尽区的电位下降,表面电位降低位降低Ed。光电子在表面受到耗尽区电场的作用。光电子在表面受到耗尽区电场的作用。1.1.原理原理11Ev1EC1EfEAeE0EdEA2Ev2+-Si-CsO2光电阴极:在光电阴极:在p型型Si基上涂一层金属基上涂一层金属Cs,经过特经过特殊处理而形成殊处理而形成n型型Cs2O。在交界区形成耗尽层,耗尽在交界区形成耗尽层,耗尽区的电位下降区的电位下降Ed,造成能带弯造成能带弯曲。曲。从从Si的导带底部漂移到表面的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时,的导带底部。此时,电子只需克服电子只需克服EA2就能逸出表面。对于就能
9、逸出表面。对于P型型Si的光电子需的光电子需克服的有效亲和势为克服的有效亲和势为EAe=EA2-Ed由于能级弯曲,使由于能级弯曲,使EdEA2,这样就形成了负电子亲和势。这样就形成了负电子亲和势。122.与正电子亲和势阴极的与正电子亲和势阴极的区别区别1)参与发射的电子是导带的热化电子,或)参与发射的电子是导带的热化电子,或称为称为“冷冷”电子;电子;)NEA阴极中导带的电子逸入真空不需阴极中导带的电子逸入真空不需作功。作功。133.特点特点1)高吸收,低反射性质;)高吸收,低反射性质;2)高量子效率,)高量子效率,50%60%,长波到达长波到达9%;3)光谱响应可以达到)光谱响应可以达到1m
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