4计算机组成原理第7章_存储器.ppt
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1、第三章第三章内部存储器内部存储器30 十二月 20222目录目录7.1 存储器概述存储器概述(理解)(理解)7.2 SRAM存储器存储器(理解)(理解)7.3 DRAM存储器存储器(掌握)(掌握)7.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器(理解)(理解)7.5 并行存储器并行存储器(理解)(理解)7.6 CACHE存储器存储器(掌握)(掌握)30 十二月 20223学习要求学习要求l理解存储系统的基本概念理解存储系统的基本概念l熟悉主存的主要技术指标熟悉主存的主要技术指标l掌握主存储器与掌握主存储器与CPUCPU的连接方法的连接方法l理解理解CacheCache的基本概念及工作原理的
2、基本概念及工作原理l掌握掌握Cache-Cache-主存地址映射方法主存地址映射方法 30 十二月 202247.1 存储器概述存储器概述l7.1.1 存储器分类存储器分类 l7.1.2 存储器的分级结构存储器的分级结构l7.1.3 存储器的技术指标存储器的技术指标30 十二月 202257.1.1存储器分类(存储器分类(1/3)l按存储介质分按存储介质分半导体存储器:用半导体器件半导体存储器:用半导体器件(MOS管管)组成的存储器;组成的存储器;磁表面存储器:用磁性材料磁表面存储器:用磁性材料(磁化作用磁化作用)做成的存储器;做成的存储器;光盘存储器:用光介质光盘存储器:用光介质(光学性质光
3、学性质)构成的存储器;构成的存储器;l按存取方式分按存取方式分随机存储器:存取时间和存储单元的物理位置无关;随机存储器:存取时间和存储单元的物理位置无关;顺序存储器:存取时间和存储单元的物理位置有关;顺序存储器:存取时间和存储单元的物理位置有关;半顺序存储器:存取时间部分地依赖于存储单元的物理位置;半顺序存储器:存取时间部分地依赖于存储单元的物理位置;系统主存、系统主存、Cache软盘软盘硬盘硬盘磁带磁带光盘光盘半导体半导体存储器存储器磁带磁带磁盘存储器磁盘存储器30 十二月 202267.1.1存储器分类(存储器分类(2/3)l按存储内容可变性分按存储内容可变性分只读存储器只读存储器(ROM
4、)u只能读出而不能写入的半导体存储器;只能读出而不能写入的半导体存储器;随机读写存储器随机读写存储器(RAM):u既能读出又能写入的半导体存储器;既能读出又能写入的半导体存储器;l按信息易失性分按信息易失性分易失性存储器:断电后信息即消失的存储器;易失性存储器:断电后信息即消失的存储器;非易失性存储器:断电后仍能保存信息的存储器;非易失性存储器:断电后仍能保存信息的存储器;半导体半导体存储器存储器半导体半导体存储器存储器磁盘磁盘光盘光盘30 十二月 202277.1.1存储器分类(存储器分类(3/3)l按在计算机系统中的作用分按在计算机系统中的作用分主存储器主存储器u能够被能够被CPU直接访问
5、,速度较快,用于保存系统当前运行直接访问,速度较快,用于保存系统当前运行所需的所有程序和数据;所需的所有程序和数据;辅助存储器辅助存储器u不能被不能被CPU直接访问,速度较慢,用于保存系统中的所有直接访问,速度较慢,用于保存系统中的所有的程序和数据;的程序和数据;高速缓冲存储器(高速缓冲存储器(Cache)u能够被能够被CPU直接访问,速度快,用于保存系统当前运行中直接访问,速度快,用于保存系统当前运行中频繁使用的程序和数据;频繁使用的程序和数据;控制存储器控制存储器uCPU内部的存储单元。内部的存储单元。半导体存储器半导体存储器磁盘、光盘存储器磁盘、光盘存储器半导体存储器半导体存储器半导体存
6、储器半导体存储器30 十二月 202287.1.2存储器的分级结构存储器的分级结构动画演示:动画演示:7-1.swf30 十二月 20229CPU缓存缓存主存主存辅存辅存缓存主存层次缓存主存层次主存辅存层次主存辅存层次7.1.2存储器的分级结构(存储器的分级结构(1/2)l系统对存储器的要求:系统对存储器的要求:大容量、高速度、低成本大容量、高速度、低成本l三级存储系统结构三级存储系统结构1 1、加上、加上cachecache的目的为提高速度的目的为提高速度2 2、内存包括、内存包括cachecache和主存和主存1 1、降低了成本,扩大了容量、降低了成本,扩大了容量2 2、虚存系统包括主存和
7、辅存、虚存系统包括主存和辅存在在CPUCPU看来,容量相当于辅存容量,速度相当于看来,容量相当于辅存容量,速度相当于CACHECACHE速度。速度。30 十二月 2022107.1.2存储器的分级结构(存储器的分级结构(2/2)l存储器分级结构中应解决的问题:存储器分级结构中应解决的问题:当需从辅存中寻找指定内容调入主存时,如何准确定位?当需从辅存中寻找指定内容调入主存时,如何准确定位?u依靠相应的辅助软硬件。依靠相应的辅助软硬件。当当CPU访问访问cache,而待访问内容不在,而待访问内容不在cache中时,应如何中时,应如何处理?处理?u从主存向从主存向cache中调入相应内容。中调入相应
8、内容。l以上过程均由操作系统管理。以上过程均由操作系统管理。30 十二月 2022117.1.3主存储器的技术指标主存储器的技术指标存储容量存储容量l存储容量:指存储器能存放二进制代码的总数。存储容量:指存储器能存放二进制代码的总数。存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数存储字长存储字长u用用ab表示表示存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数存储字长存储字长/8u单位为单位为B(字节)(字节)l要求:要求:已知存储容量,能计算出该存储器的地址线和数据线的根数。已知存储容量,能计算出该存储器的地址线和数据线的根数。l例如例如某机存储容量为某机存储容量为2K16,则该系统所需的地址线为,则
9、该系统所需的地址线为根,根,数据线位数为数据线位数为根。根。111630 十二月 2022127.1.3主存储器的技术指标主存储器的技术指标存储速度存储速度l存取时间存取时间(访问时间访问时间)从启动一次访问操作到完成该操作为止所经历的时间;从启动一次访问操作到完成该操作为止所经历的时间;以以ns为单位,存取时间又分读出时间、写入时间两种。为单位,存取时间又分读出时间、写入时间两种。l存取周期存取周期存储器存储器连续启动两次独立的访问操作连续启动两次独立的访问操作所需的最小间隔时间。所需的最小间隔时间。以以ns为单位,为单位,存取周期存取周期=存取时间存取时间+复原时间复原时间。l存储器带宽存
10、储器带宽每秒从存储器进出信息的最大数量;每秒从存储器进出信息的最大数量;单位为位单位为位/秒或者字节秒或者字节/秒。秒。30 十二月 202213求存储器带宽的例子求存储器带宽的例子l设某存储系统的存取周期为设某存储系统的存取周期为500ns,每个存取周期可,每个存取周期可访问访问16位,则该存储器的带宽是多少?位,则该存储器的带宽是多少?存储带宽存储带宽=每周期的信息量每周期的信息量/周期时长周期时长=16位位/(500 10-9)秒秒=7.2 107位位/秒秒=32 106位位/秒秒=32M位位/秒秒30 十二月 2022147.2SRAM存储器存储器l7.2.0主存储器的构成主存储器的构
11、成l7.2.1基本的静态存储元阵列基本的静态存储元阵列l7.2.2基本的基本的SRAM逻辑结构逻辑结构l7.2.3读读/写周期波形图写周期波形图30 十二月 2022157.2.0主存储器的构成主存储器的构成l静态静态RAM(SRAM)由由MOS电路构成的电路构成的双稳触发器双稳触发器保存二进制信息;保存二进制信息;优点:优点:访问速度快,只要不掉电可以永久保存信息;访问速度快,只要不掉电可以永久保存信息;缺点:缺点:集成度低,功耗大,价格高;集成度低,功耗大,价格高;l动态动态RAM(DRAM)由由MOS电路中的电路中的栅极电容栅极电容保存二进制信息;保存二进制信息;优点:优点:集成度高,功
12、耗约为集成度高,功耗约为SRAM的的1/6,价格低;,价格低;缺点:缺点:访问速度慢,电容的放电作用会使信息丢失,要长访问速度慢,电容的放电作用会使信息丢失,要长期保存数据必须期保存数据必须定期刷新定期刷新存储单元;存储单元;主要种类有:主要种类有:SDRAM、DDRSDRAM主要用于构成主要用于构成CacheCache主要用于构成系统主存主要用于构成系统主存30 十二月 202216主存和主存和CPU的联系的联系MDRMARCPU主存主存地址总线地址总线数据总线数据总线读读写写30 十二月 202217l基本存储元基本存储元6个个MOS管形成一位存储元管形成一位存储元;非易失性的存储元非易失
13、性的存储元l644位的位的SRAM结构图结构图存储体排列成存储元阵列,不一定以存储单元形式组织;存储体排列成存储元阵列,不一定以存储单元形式组织;l芯片封装后,芯片封装后,3种外部信号线种外部信号线地址线地址线:2n个单元,对应有个单元,对应有n根地址线;根地址线;u地址信号经过译码电路,产生每个单元的字线选通信号;地址信号经过译码电路,产生每个单元的字线选通信号;数据线数据线:每个单元:每个单元m位,对应有位,对应有m根数据线;根数据线;控制线控制线:读写控制信号:读写控制信号u=1,为读操作;,为读操作;=0,为写操作;,为写操作;7.2.1基本的静态存储元阵列基本的静态存储元阵列动画演示
14、:动画演示:7-2.swf7-2.swfR/WR/WR/W30 十二月 202218六六管管SRAM存存储储元元电电路路位线位线/D位线位线D30 十二月 20221930 十二月 202220l译码驱动方式译码驱动方式方法方法1:单译码:单译码u被选单元由字线直接被选单元由字线直接选定;选定;u适用容量较小的存储适用容量较小的存储芯片。芯片。方法方法2:双译码:双译码u被选单元由被选单元由X、Y两个两个方向的地址决定。方向的地址决定。7.2.2基本基本SRAM存储器逻辑结构存储器逻辑结构动画演示:动画演示:双地址译码器双地址译码器.swf30 十二月 202221SRAM存储器的组成(存储器
15、的组成(1/2)l存储体存储体存储单元的集合,按位将各存储元组织成一个存储单元的集合,按位将各存储元组织成一个存储矩阵存储矩阵;大容量存储器中,通常用大容量存储器中,通常用双译码方式双译码方式来选择存储单元。来选择存储单元。l地址译码器地址译码器将将CPU发出的地址信息转换成发出的地址信息转换成存储元选通信号存储元选通信号的电路。的电路。l译码驱动器译码驱动器X选择线上用于增强驱动能力的电路。选择线上用于增强驱动能力的电路。lI/O电路电路一般包括读写电路和放大电路。一般包括读写电路和放大电路。30 十二月 202222SRAM存储器的组成(存储器的组成(2/2)l片选片选用于决定当前芯片是否
16、被用于决定当前芯片是否被CPU选中,进行访问。选中,进行访问。l读读/写控制电路写控制电路决定对选中存储单元所要进行访问的类型决定对选中存储单元所要进行访问的类型(读读/写写)。l输出驱动电路输出驱动电路增强数据总线的驱动能力。增强数据总线的驱动能力。30 十二月 202223存储体存储体读读写写电电路路MDR数据总线数据总线驱动器驱动器译码器译码器MAR 地址总线地址总线 控制电路控制电路读读写写SRAM存储器的逻辑结构简图存储器的逻辑结构简图30 十二月 20222432K8位的位的SRAM逻辑结构图逻辑结构图动画演示:动画演示:3-3.swfX X方向:方向:8 8根地址线根地址线输出选
17、中输出选中256256行行Y Y方向:方向:7 7根地址线根地址线输出选中输出选中128128列列输入输出时输入输出时分别打开不分别打开不同的缓冲器同的缓冲器输入输出时输入输出时分别打开不分别打开不同的缓冲器同的缓冲器读写、读写、选通选通控制控制三维存储三维存储阵列结构阵列结构30 十二月 202225lIntel2114静态静态RAM芯片是芯片是1K4的存储器的存储器l外部结构外部结构地址总线地址总线10根(根(A0A9)数据总线数据总线4根(根(D0D3)片选信号片选信号/CS,写允许信号,写允许信号/WEu0写,写,1读读l内部存储矩阵结构内部存储矩阵结构6464方阵方阵,共有,共有40
18、96个六管存储元电路;个六管存储元电路;l采用采用双译码方式双译码方式A3A8(6根)用于行译码根)用于行译码64行选择线行选择线;A0A2,A9用于列译码用于列译码16条列选择线条列选择线;每条列选择线同时接每条列选择线同时接4个存储元(共个存储元(共164=64列)列)静态静态RAM芯片举例芯片举例Intel2114Intel2114ABA0A9DBD0D3CSWE30 十二月 2022262114逻逻辑辑结结构构图图30 十二月 2022277.3DRAM存储器存储器l动态动态RAM(DRAM)因为该存储器必须定时刷新,才能维持其中的信息不变;因为该存储器必须定时刷新,才能维持其中的信息
19、不变;lDRAM的存储元的存储元由由MOS晶体管和电容组成的记忆电路;晶体管和电容组成的记忆电路;u电容上的电量来表现存储的信息;电容上的电量来表现存储的信息;u充电充电1,放电,放电0。结构形式结构形式u四管存储元四管存储元u单管存储元单管存储元30 十二月 202228四四管管存存储储元元单管存储元单管存储元30 十二月 2022293.7.1 DRAM存储元的记忆原理存储元的记忆原理1.读出时位线有电流读出时位线有电流 为为“1”位线位线(数据线)(数据线)CsT行线(字线)行线(字线)0 12.写入时写入时CS 充电为充电为“1”放电放电 为为“0”T无电流无电流有电流有电流动画演示:
20、动画演示:3-6.swf30 十二月 2022303.7.2DRAM芯片的逻辑结构芯片的逻辑结构l外部地址引脚比外部地址引脚比SRAM减少一半减少一半;送地址信息时,分行地址和列地址分别传送;送地址信息时,分行地址和列地址分别传送;l内部结构:比内部结构:比SRAM复杂复杂刷新电路:用于存储元的信息刷新;刷新电路:用于存储元的信息刷新;行、列地址锁存器:用于保存完整的地址信息;行、列地址锁存器:用于保存完整的地址信息;u行选通信号行选通信号(RowAddressStrobe)u列选通信号列选通信号 (Columns Address Strobe)lDRAM的读写周期的读写周期与与SRAM的读写
21、周期相似,只是地址总线上的信号有所不同;的读写周期相似,只是地址总线上的信号有所不同;在同一个读写周期内发生变化,分别为行地址、列地址;在同一个读写周期内发生变化,分别为行地址、列地址;存储芯片集成存储芯片集成度高,体积小度高,体积小RASCAS30 十二月 202231DRAM控制电路的构成控制电路的构成l地址多路开关地址多路开关刷新时需要提供刷新地址,非刷新时需提供读写地址;刷新时需要提供刷新地址,非刷新时需提供读写地址;l刷新定时器刷新定时器间隔固定的时间提供一次刷新请求;间隔固定的时间提供一次刷新请求;l刷新地址计数器刷新地址计数器刷新按行进行,用于提供对所要刷新的行进行计数;刷新按行
22、进行,用于提供对所要刷新的行进行计数;l仲裁电路仲裁电路对同时产生的来自对同时产生的来自CPU的访问存储器的请求和来自刷新定时的访问存储器的请求和来自刷新定时器的刷新请求的优先权进行裁定;器的刷新请求的优先权进行裁定;l定时发生器定时发生器提供行地址选通提供行地址选通/RAS、列地址选通、列地址选通/CAS和写信号和写信号/WE。动画演示:动画演示:3-7.swf3-7.swf30 十二月 202232DRAMSRAM存储原理存储原理集成度集成度芯片引脚芯片引脚功耗功耗价格价格速度速度刷新刷新电容电容触发器触发器高高低低少少多多小小大大低低高高慢慢快快有有无无动态动态RAM和静态和静态RAM的
23、比较的比较30 十二月 2022337.7.4存储器容量的扩充存储器容量的扩充l单个存储芯片的容量有限,实际存储器由多个芯片扩展而成;单个存储芯片的容量有限,实际存储器由多个芯片扩展而成;l存储器(存储芯片)与存储器(存储芯片)与CPU的连接的连接数据、地址、控制三总线连接;数据、地址、控制三总线连接;多个存储芯片多个存储芯片CPUu不是一一对应连接不是一一对应连接l关注关注存储芯片与存储芯片与CPU的外部引脚的外部引脚l存储器容量扩充方式存储器容量扩充方式位扩展、字扩展、字位扩展位扩展、字扩展、字位扩展MDRMARCPU主存主存 地址总线地址总线数据总线数据总线读读写写SRAM、DRAM、R
24、OM均可进行容量扩展均可进行容量扩展30 十二月 202234存储芯片与存储芯片与CPU的引脚的引脚l存储芯片的外部引脚存储芯片的外部引脚数据总线数据总线:位数与存储单元字长相同,用于传送数据信息;:位数与存储单元字长相同,用于传送数据信息;地址总线地址总线:位数与存储单元个数为:位数与存储单元个数为2n关系,用于选择存储单元;关系,用于选择存储单元;读写信号读写信号/WE:决定当前对芯片的访问类型;:决定当前对芯片的访问类型;片选信号片选信号/CS:决定当前芯片是否正在被访问决定当前芯片是否正在被访问;lCPU与存储器连接的外部引脚与存储器连接的外部引脚数据总线数据总线:位数与机器字长相同,
25、用于传送数据信息;:位数与机器字长相同,用于传送数据信息;地址总线地址总线:位数与系统中可访问单元个数为:位数与系统中可访问单元个数为2n的关系,用于选择的关系,用于选择访问单元;访问单元;读写信号读写信号/WE:决定当前:决定当前CPU的访问类型;的访问类型;访存允许信号访存允许信号/MREQ:决定是否允许:决定是否允许CPU访问存储器;访问存储器;30 十二月 202235存储器容量的位扩展存储器容量的位扩展l存储单元数不变,每个单元的位数(字长)增加;存储单元数不变,每个单元的位数(字长)增加;l例如:由例如:由1K4的存储芯片构成的存储芯片构成1K8的存储器的存储器l存储芯片与存储芯片
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- 计算机 组成 原理 存储器
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