(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结.pdf
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1、(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2。特性光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子.5。杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N 型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6.杂质半导体的特性载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓
2、度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7。PN 结 *PN 结的接触电位差硅材料约为 0.60。8V,锗材料约为 0.20.3V。*PN 结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。8。PN 结的伏安特性(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结二.半导体二极管 *单向导电性-正向导通,反向截止。二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管 0.60.7V,锗管 0.20。3V。死区电压-硅管 0。5V,锗管 0。1V。3。分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 V阴(正偏),二极管导通
3、(短路);若 V阳 V阴(反偏),二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q.2)等效电路法直流等效电路法总的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结若 V 阳 V 阴(正偏),二极管导通(短路);若 V 阳 u时,uo=+Uom当u+u-时,uo=Uom两输入端的输入电流为零:i+=i-=0(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结第七章放大电路中的反馈一.反馈概念的建立开环放大倍数*闭环放大倍数*反馈深度*环路增益:1当时,下降,这种反馈称为负反馈。2当时,表明反馈效果为零。3当时,升高,这种反馈称为正反馈.4当时,
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