模拟电子技术基础复习资料与答案.pdf

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1、模拟电子技术模拟电子技术复习资料答案模拟电子技术复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分别受 杂质、温度、光照的增加而 下降。2.用于制造半导体器件的材料通常是硅、锗和砷化镓。3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。4.5.6.7.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B、Al，得到 P 型半导体。本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子，掺杂越多，则其数量一定越 多，而少数载流子应

2、是空穴，掺杂越多，则其数量一定越 少。8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的电子9.N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是 空穴。10.杂质半导体分N 型（电子）和P 型（空穴）两大类。11.N 型半导体多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P 型半导体多数载流子是空穴少数载流子是电子。，12.杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度，而少数载流子则与 温度 有很大关系。13.PN 结的主要特性是单向导电性。14.PN 结是多数载流子的 扩散运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称为 空间电荷区（势垒区）或 耗尽区（阻挡层）。15.PN 结加

3、正向电压时，空间电荷区变 窄；PN 结加反向电压时，空间电荷区变宽。16.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。17.PN 结两端电压变化时，会引起PN 结内电荷的变化，这说明PN 结存在电容效应。18.二极管是由 一 个 PN 结构成，因而它同样具有PN 结的 单向导电特性。19.二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 I=IS(eU/UT-1)，其曲线又可分三部分：正向特 性、反向特性、击穿特性。20.晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低，击穿区的交流电阻又比正向区的 小。21.有两个晶体二极管 A 管的=200，ICEO=

4、200A；B 管的=50，ICEO=10A，其他参数大致相同，相比之下 B 管的性能较好。22.点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流及小功率开关电路。23.稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在击穿区，所以当反向电压大于稳定电压 UZ时，它才能产生稳压作用。24.变容二极管是利用PN 结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。25.双极型三极管有 两种极性的载流子参与导电；场效应管有 一种极性的载流子参与导电。26.三极管有两个 PN 结，即 发射 结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏，集电结必须反偏。27.三极管个电极电流的分配关系是IE=IB+

5、IC。28.三极管有NPN型和PNP型，前者在电路中使用的符号是，后者在电路中使用的符号是。29.晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需重掺杂，基区宽度要窄；外部条件是：发射结要正向偏置，集电结要反向偏置。30.处于放大状态的三极管IC与 IB的关系是IC=IB，处于饱和状态的三极管IC不受 IB的控制，失去1模拟电子技术了放大作用，处在截止状态的三极管IC0。2模拟电子技术31.电流放大系数的定义是 IC/IB。32.当 NPN 锗管工作在放大区时，在E、B、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，发射极的电位最低；UBEQ约等于 0.2V。33.当 PNP 型硅三极管处于放大状态时

6、，在E、B、C 三个电极中，以发射极电位最高，集电极的电位最低。34.三极管的反向饱和电流 ICBO随温度的升高而升高，穿透电流 ICEO随温度升高而增加，UBE随温度的升高而下降，值随温度的升高而增加。35.三极管的三个主要极限参数是PCM、ICM和反向击穿电压。36.从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区、饱和区、截 止区和击穿区四个工作区域。当三极管工作在放大区时，关系式 IC=IB才成立；当三极管工作在截止区时，IC0；当三极管工作在饱和区时，UCE0。37.三极管有三个电极，分别是集电极、发 射极和基极。38.用直流电压表测得某放大器中NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为

7、VB=+10.7V,VC=+10.3V,VE=+10V，则该管工作在饱和 区。39.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V,VB=+2.9V,VC=-2V，则从材料看为 锗 管，从结构上看为PNP 型管，且A 为发射极，B 为基 极，C 为集电极。40.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V,VB=+1.8V,VC=+6.3V，则从材料看为 硅管，从结构上看为 PNP 型管，且 A 为发射极，B 为集电极，C 为基极极。41.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V,VB=+1.8V,VC=+2.

8、5V，则从材料看为 硅管，从结构上看为 NPN 型管，且 A 为集电极，B 为发射极，C 为基极极。42.在放大状态下，三极管的1，2，3三个电极的电流分别为I1=1.5mA，I2=30A，I3=1.53mA，则电极 1为集电极，电极2为基极，电极3为发射极。=50，=0.98。43.从输出特性上分析单级PNP 管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致饱和失真，从示波器上看输出电压波形是顶部失真；工作点设置偏低，则有可能导致 截止失真。44.交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变

9、化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波）。45.如图一(a)是 NPN 管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是饱和失真，解决办法是将基极偏置电流调小；图一(c)是 截止失真，解决办法是将基极偏置电流调大。+VCCRbRCUORLUOUOUi0t0t(c)(a)(b)图一46.放大电路有两种工作状态，Ui=0 时的直流状态称为静态；当有交流信号 Ui输入时，放大电路的工作状态称为动态，此时，三极管各极电压、电流均有直流分量和交流分量两部分叠加而成。47.在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的电容 和 直流电源视为短路。3模拟电子技术48.交流放大电路的基本

10、分析方法有图解法和微变等效电路法两种。49.对于电压放大电路，输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越 小，放大电路带负载的能力越强。50.影响放大电路工作点稳定的主要因素是温度的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入直流负反馈。51.在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现饱和失真，常通过调整基极偏置电阻元件来消除失真。52.在单级共射放大电路中（如图一(a)电路所示），如果输出信号的波形产生了截止失真，常通过调整基极偏置电阻 Rb元件来消除失真，且应减小其阻值。53.在单级共射放大电路中，无论是NPN 型还是 PNP 型晶体三极管，当静态工作点

11、在负载线上设置偏高时，容易出现饱和失真，过低时容易产生截止失真。若采用基极上偏置电阻Rb来消除失真，对于前者应使Rb增大，对于后者应使 Rb减小。54.反映双极型晶体三极管（BJT 管）放大能力的参数是，反映场效应管（FET 管）放大能力的参数是跨导 gm。55.BJT 管是电流控制器件，而 FET 管则是电压控制器件。56.当 BJT 管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在放大 区；当 BJT 管发射结和集电结均正偏时，放大电路工作在 饱和 区；当 BJT 管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在 截止 区。57.双极型晶体三极管放大电路有共基、共集和共射三种连接方式。58.放大电路中的

12、三极管有共基、共集和共射三种接法，其中电压、电流放大倍数都比较大的是共射接法。所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以 发射极作为输入输出信号的共同参考点。59.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共射 放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数；共集放大电路的电压放大倍数最低。60.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共射放大电路既有电压放大，又有电流放大；共集放大电路只有电流放大，而无电压放大；共基放大电路只有电压放大，而无电流放大。61.在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选共集电路，欲要电压放大且频率响应好的应选 共基 电路。62.共集电极

13、电路的特点是：输入电阻 很大，输出电阻很小，电压放大倍数 小于近似等于 1，动态范围 较大。63.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共集 放大电路的输入电阻最高；共集 放大电路的输出电阻最低。64.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，共集和共基 电路输入输出电压同相，共射 电 路输入输出电压反相。65.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，当待处理的信号是电流时，可采用共基 放大电路，利66.67.68.69.70.用的是该电路的 输入电阻小、输出电阻大的特点。直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是：各级静态工作点相互影响、需要电平配置和 零点漂移。零

14、点漂移一般都是折合到 输入端来衡量的。若 Au=1000，输出端最大漂移为 50mV，则该放大电路的漂移为 50V。多级放大器的耦合方式有：直接耦合、阻容耦合和 变压器耦合三种。多级交流放大电路的极间耦合方式有直接耦合、阻容耦合和变压器耦合三种，在低频电压放大电路中常采用阻容耦合方式，直接耦合电路存在零点漂移问题。多级放大电路中，第一级电压增益为 40dB，第二级电压增益为 20dB，则总电压增益为60dB，折算为电压放大倍数为1000倍。71.多级放大电路中，第一级电压放大倍数为 100 倍，第二级电压放大倍数为 1000 倍，则总电压放大倍数为105倍，折算为电压增益为100dB。4模拟电

15、子技术72.一般而言，多级放大电路的输入电阻等于 第一级的输入电阻；输出电阻等于 末级的输出电阻。73.场效应管从结构上可分为 结型场效应管 和 绝缘栅场效应管 两大类；从其导电沟道上可分为N 沟道和P 沟道两大类。74.场效应管在其输出特性上可分为 饱和（或线性放大，或恒流）区、截止 区、可变电阻区和击穿 区四个区域。75.场效应管放大电路中，其输入电阻 很高，故栅流 IG 0。76.场效应管的共漏组态电路通常称为 源极跟随器，它和双极型晶体三极管的共集组态电路具有相似的特性，即输入电阻 很高，输出电阻很低，电压放大倍数小于近似等于1，且输入电出电压的相位 相同。77.场效应管放大电路有共栅

16、、共源和共漏三种连接方式。78.在如图二所示的电路中，VT1、VT2组成两级阻容耦合放大电路。其中VT1管组成共射电路，VT2管组成共集电路，又称射随器电路；电路中C1、C3、C4称为隔直耦合电容，其作用是 隔断晶体三极管与信号源或负载之间的直流联系，并使信号能顺利通过，即起到耦合信号（传送交流）的作用，C2称 为 旁路电容，其作用是为发射极电流中的交流成分提供通路，使发射极电阻（如图二中的R4）两端的交流压降为零。R1C1+UiR2R4R3C3VT1R5+VccVT2C4R6RL+Uo-C2图二-79.在晶体三极管放大电路中，当 f=f时，值为0（低频时的数值）的2倍；当 f=fT时，值为=

17、1，fT称为 特征频率，f称为 共射截止频率。单级共射放大电路高频特性的斜率为-20 dB/十倍频程，若中频区的Au=100，折合 40 dB；当f=fh时，折合为 37 dB，其附加相移为-45 度。*含有两个极点频率的放大电路，其高频区对数幅频特性的最大斜率（指绝对值）为40dB/十倍频程。*由两级相同的放大器组成的多级放大电路，已知每级电压增益为20dB，上限频率为 10kHz，下限频率为 50Hz，则多级放大电路总电压增益为40 dB，总上限频率 fh 10/21/2kHz，总下限频率 fL21/250 Hz，总的带宽 fbw fh10/21/2 kHz。为了使输出电流稳定，应引入 交

18、流电流负 反馈，其输出电阻将 增大。为了使输出电压稳定，应引入交流电压负反馈，其输出电阻将减小。若希望负载变化时，放大器的输出电压稳定，应引入交流电压负 反馈，此时输出电阻将 减小。为了使放大器的输入电阻提高，应引入交流串联负反馈。为了使放大器的静态工作点稳定，应引入直流电流负反馈。若要减小放大器从信号源索取电流，应引入交流串联负反馈。若要提高放大器的带负载能力，应引入交流电压负反馈。若信号源的内阻大，应引入交流并联负反馈，效果才显著。580.81.82.83.84.85.86.87.88.89.90.模拟电子技术91.交流串联负反馈只有信号源内阻较小时，效果才显著。92.负反馈有四种类型：电

19、压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。93.电路引入负反馈可以改善放大电路的性能，如提高增益的稳定性、展宽通频带、减小非线性失真、根据需要改变输入输出电阻等等。94.某放大器无反馈时，输入信号为 20mV，输出电压为 10V。而引入负反馈后，欲使输出电压不变，则输入信号应增大为 200mV，故所引入的反馈深度为10。F F95.负反馈放大器产生自激振荡的条件为开环增益与反馈系数的乘积A A=-1。96.某放大器的闭环增益为 40dB，当基本放大器的增益的相对变化量变化了 10%时，闭环增益的相对变化量变化 1%，则开环增益为60dB。97.*欲使负反馈放大电路稳定可靠地

20、工作，应要求增益裕度Gm-10dB，相位裕度m45 度。98.在低频功率放大器中，集电极电流的导通角=180为甲类；导通角=90为乙类；90uGS-UGS(th)放大区（或恒流区）；uDS=uGS-UGS(th)预夹断；uDSuGS-UGS(th)放大区；uDS=uGS-UGS(th)预夹断；uDSUGS(th)时才有 Id。图(c)，uiBS=-5VUGS(th)，沟道已开启，管子导通；但 uDSuGS-UGS(th)，8UGS(th)，沟道已开启，管子导通；且 uDSuGS-UGS(th)，18(18-3)，所以工作在放大区。14.对于单管 CE 电路，测得电源电压UCC=12V，集电极对

21、地电位为0.2V，则该管处于（1）。（1）饱和区（2）放大区（3）截止区（4）击穿区15.一共发射极放大电路，UCC=9V，UC（集电极对地）=0.2V，则其管子处于（2）。（1）放大区（2）饱和区（3）截止区（4）击穿区16.对于单管 CE 电路，若输出电压出现饱和失真，消除它应使（1）。（1）Rb（2）Rb（3）选大的管（4）RL17.由输出特性分析单级PNP 型管组成的放大电路，若从示波器上看输出电压波形的顶部被削波这属于（2）失真。18.（1）截止（2）饱和（3）线性（4）交越为使放大器输出电压动态范围最大，应调整工作点Q 位于（3）。（1）直流负载线的中点（2）直流负载线的最低点（3

22、）交流负载线的中点（4）交流负载线的最低点放大电路的图解分析方法（B）。A只能分析直流状态B既能分析直流状态，也能分析交流状态C只能分析交流状态D只能分析小信号交流状态在放大电路中，适当使ICQ减小，则晶体管的（C）将会明显增加。(hfe)ICEOrbe(hie)BUCEO在放大电路中，适当使ICQ增大，则放大器的（D）。RiRofhAu719.20.21.22.基本共射放大电路中，ICQ=1mA，当更换晶体三极管时，从 50 增大为 100，则该放大器的电压模拟电子技术放大倍数Au（D）。约为原来的 1/2约为原来的 2 倍 约为原来的 4 倍 基本不变23.对于电压放大电路的输入电阻、输出

23、电阻，说法正确的是（C）A 输入电阻愈小愈好，输出电阻愈小愈好B输入电阻愈大愈好，输出电阻愈大愈好C输入电阻愈大愈好，输出电阻愈小愈好D输入电阻愈小愈好，输出电阻愈大愈好24.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（C）。A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响D电源电压不稳定25.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（C）。A便于设计B放大交流信号C不易制作大容量电容D克服温漂26.直接耦合放大电路（A）。既能放大直流信号也能放大交流信号只能放大直流信号只能放大小信号交流信号只能放大交流信号27.一个多级放大器的电压放大倍数为（B）。A各级电压放大倍数之代数和B各级对数放大倍

24、数之代数和C各级电压放大倍数之差D各级对数放大倍数之乘积28.两级级联放大电路，其后级的输入电阻是前级的（D）A输出电阻B输入电阻C信号源内阻D负载电阻29.单级放大器的增益带宽积比多级放大器的增益带宽积（）。大小相等不能确定30.某放大器输出端开路电压为4V，接入3k负载电阻后，输出电压为3V，则放大器的输出电阻为（C）。A10 kB2 kC1 kD0.5 k31.为了使高阻信号源于低阻负载能很好地匹配，可以在二者之间接入（C）。A共射放大电路B共基放大电路C共集放大电路D共射共基级联放大电路32.为了使信号电压能有效地放大，且带负载能力强，在信号源与负载间接入（D）。A共射放大电路B共基放

25、大电路C共集放大电路D共射共集级联放大电路33.为了把一个内阻小的电压源转变为内阻尽可能大的电流源，可以在信号源后接入（B）。A共射放大电路B共基放大电路C共集放大电路D共射共集级联放大电路34.在放大电路中，既要能放大电压，由要能放大电流，应选用（2）35.36.37.38.（1）共集电路（2）共射电路（3）共基电路（4）不能确定对于单管放大器，若输入耦合电容C1增大，其他参数不变，则下限频率fL（B）。A变大B变小C基本不变D不能确定对于单管 CE 放大器，若发射极旁路电容Ce增大，其他参数不变，则下限频率fL（B）。A变大B变小C基本不变D不能确定对于单管 CE 放大器，若集电极电阻RC

26、减小，其他参数不变，则上限频率fH（A）。A变大B变小C基本不变D不能确定为了提高放大器的上限频率，除了减小中频电压放大倍数外，还应选发射结等效电容（C或Cbe）和集电结等效电容（C或 Cbc）（B）。A大B小C任意D不能确定8模拟电子技术39.直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应（1）（1）好（2）差（3）差不多（4）从差到好40.当一级放大器的 f=fL时，其 uo的附加相移要比中频区（B）。A 超 前 90B超前 45C滞后 45D滞后 9041.当一级放大器的 f=fh时，其 uo的附加相移要比中频区（C）。A 超 前 90B超前 45C滞后 45D滞后 9042.

27、由三级 fh相同的放大器组成多级电路时，则在f=fh处，uo的附加相移要比中频区时（C）。A 超 前 270B超前 135C滞后 135D滞后 27043.由三级 fh相同的放大器组成多级电路时，则在f=fh处，其 Au要比中频区时（B）。A高9 dBB低 9 dBC高 3 dBD低 3dB44.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（D），则说明引入的反馈是负反馈。A输入电阻增大B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小45.与无反馈放大电路相比，负反馈放大电路的（B）。AAuf，fbwBAuf，fbwCAuf，fbwDAuf，fbw46.为稳定放大电路的输出电流，提高输入电阻，应在电路中引入以下

28、哪种类型的负反馈（D）A电压并联B电压串联C电流并联D电流串联47.为了使放大电路的输出电压稳定，且输入电阻提高，应引入（A）。A电压串联负反馈B电流串联负反馈C电压并联负反馈D电流并联负反馈48.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（B）。A电流串联正反馈B电流串联负反馈C电流并联正反馈D电流并联负反馈49.欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入（C）。A电压串联负反馈B电流串联负反馈C电压并联负反馈D电流并联负反馈50.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（A）。A电压串联负反馈B电流串联负反馈C电压并联负反馈D电流并联负反馈51.欲从

29、信号源得到更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（D）。A电压串联负反馈B电流串联负反馈C电压并联负反馈D电流并联负反馈52.引入负反馈后，说法正确的是（1）（1）放大倍数为原来的1/(1+AF)，通频带变宽（2）放大倍数为原来的（1+AF），通频带变宽（3）放大倍数为原来的1/(1+AF)，通频带变窄（4）放大倍数为原来的（1+AF），通频带变窄53.串联负反馈放大器的输入端的比较环节具有（C）。AI+If=IiBIi+If=ICU+Uf=UiDUi+Uf=U注意：下标中“i”原输入；“”净输入；“f”反馈。（下同）54.并联负反馈放大器的输入端的比较环节具有（A）。AI+If=Ii

30、BIi+If=ICU+Uf=UiDUi+Uf=U55.负反馈放大器的闭环增益为40dB，要求 Uo=1V，则 Ui应为（A）。A10mVB20mVC25mVD100mV56.某深负反馈放大电路，若开环放大倍数A 增大一倍，则闭环放大倍数Auf（D）。约增大一倍约增大二倍约减小一半基本不变9模拟电子技术F F应（A）57.某深负反馈放大电路中，其反馈深度 1+A A。111158.在深负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af（C）。F F)1/(1+A AF F1+A A1/F FF F59.在深度串联负反馈放大电路中，其输入回路应具有（C）。AIfIiBIf ICUfUiDUfU60.在深度串联负反

31、馈放大电路中，其输入回路应具有（A）。AIfIiBIf ICUfUiDUfU61.在深负反馈放大电路中，理论上两级负反馈放大电路（B）产生自激振荡。A 很 容易B较容易C不会D 不能确定62.放大电路产生零点漂移的原因，主要是由于温度变化对电路中的（D）有影响。A电阻B电容C电感D晶体管参数63.理想情况下，双端输出方式的差分放大器的共模抑制比KCMR应（B）。A 等 于零B等于无穷大C等于 1D小于 164.理想情况下，双端输出方式的差分放大器的共模电压放大倍数应（A）。A 等 于零B等于无穷大C等于 1D小于 165.选用差分放大电路的原因是（A）。A克服温漂B提高输入电阻C稳定放大倍数D

32、便于设计66.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（A），共模信号是两个输入端信号的（C）。A差B和C平均值D比值67.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的公共发射极电阻Re，将使单端输出电路的（B）。A差模放大倍数数值增大B抑制共模信号能力增强C差模输入电阻增大D共模输出电阻减小68.差分放大器的差模输入是指两输入端信号（D）A 大小不等，相位相同B 大小不等，相位相反C 大小相等，相位相同D 大小相等，相位相反69.差分放大器的共模输入是指两输入端信号（C）A 大小不等，相位相同B 大小不等，相位相反C 大小相等，相位相同D 大小相等，相位相反70.差分放大电路中，用恒流源替代长尾电阻R

33、e的好处是对共模信号而言（B）。A 直流电阻大，交流电阻小B 直流电阻小，交流电阻大C 直流电阻大，交流电阻大D 直流电阻小，交流电阻小71.理想运算放大器工作在线性区的特点是：同相和反相输入端的电压及同相和反相端的电流分别是（3）+8V（1）等于零；相等（2）等于零；等于零（3）相等；等于零（4）相等；不等于零72.电路如图四所示，最大输出功率为（3）（1）1W(2)2W(3)4W(4)8W73.欲要使互补推挽功率放大电路的输出功率为50W，则需选两个异型管，每管的最大允许功耗PCM应不小于（A）。A10WB25WC50WD100W74.理想情况下，OTL 功率放大电路的输出电压最大值Uom

34、（）。A 等 于 UCCB大于 UCCC等于 UCC/2D大于 UCC/2UiVT1VT2RL8-8V图四10模拟电子技术75.理想情况下，OCL 功率放大电路的输出电压最大值Uom（A）。A等于 UCCB大于 UCCC等于 UCC/2D大于 UCC/276.图五所示复合管型和值是（4）（1）NPN 型，=2(2)NPN 型，=12（3）PNP 型，=1(4)PNP 型，=1277.两个晶体三极管的电流放大倍数分别为 1和2，将它们接成复合管后，则其等效约为（C）。A1+2B1-2C12D1/278.乙类互补对称功率放大电路会产生（1）（1）交越失真（2）饱和失真（3）截止失真（4）相频失真7

35、9.随着输出功率 PO的提高，互补功放输出级的电源供给功率（C）。A 等 于 POB减小C增大D不变80.在集成运放中，第一级采用差分放大电路的目的，主要是有助于（C）。A提高输入电阻B提高差模电压放大倍数C减小零点漂移D起匹配作用81.与反相比例运算放大器相比，同相比例运算放大器的主要优点是（A）。A输入电阻高B电压增益大C零点漂移小D不易自激VT1VT2图五82.理想运算放大器应用电路中，若有Uid=0，则运放（B）。A处于开环状态B引入了负反馈C有正反馈D不能确定83.在集成运放的同相跟随器中，引入了（A）。A串联电压负反馈B并联电压负反馈C串联电流负反馈D并联电流负反馈84.设电源变压

36、器次级电压有效值为U2，则桥式整流电容滤波电路的输出电压Uo（C）。A0.45U2B0.9 U2C1.2 U2D1.4 U285.设电源变压器次级电压有效值为U2，则纯阻负载时，桥式整流电路的输出电压Uo（B）。A0.45U2B0.9 U2C1.2 U2D1.4 U286.设电源变压器次级电压有效值为U2，则桥式整流电路中的二极管所承受的最大反向峰值电压UDRmax（B）。AU2B2 2U2C22 2U2DU2/2 287.在整流电路的后面接入电容滤波电路可以（B）。A稳定 UO B使 UO提高且使脉动成分减小C 减小 UO D 将交流电压变成单向脉动电压88.在桥式整流电容滤波电路中，滤波电容C 的选择可根据（D）。AC1 1R RL LC C(35)T/2B1 1R RL LC C(35)T/2RLC (35)T/2DRLC (35)T/211