模拟电子技术基础第一章答案.pdf

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1、1.31.3 电路如图所示，已知电路如图所示，已知ui 5sint(V)，二极管导通电压，二极管导通电压 U UD D=0.7V=0.7V。试画出。试画出 u ui i与与 u uo o的波形，并标出幅值。的波形，并标出幅值。解：当解：当ui 3.7V V 时，时，D D1 1导通，将导通，将 u uo o钳位在钳位在3.7V3.7V；当当ui 3.7V V 时，时，D D2 2导通，导通，将将 u uo o钳位在钳位在-3.7V-3.7V；当当3.7V ui 3.7V V 时，时，D D1 1、D D2 2均截止，均截止，u uo o=u ui i。1.41.4 电路如图所示，二极管导通电压

2、电路如图所示，二极管导通电压 U UD D=0.7V=0.7V，常温下，常温下 U UT T26mV26mV，电容，电容 C C 对交流信号可视为短路；对交流信号可视为短路；u ui i为为正弦波，有效值为正弦波，有效值为 10mV10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管中的直流电流为解：二极管中的直流电流为ID(V UD)/R 2.6mV其动态电阻其动态电阻 r rD D U UT T/I ID D=10=10。故动态电流有效值为故动态电流有效值为 I ID D=U Ui i/r rD D 1mA1mA。1.61.6 已知稳压管的

3、稳定电压已知稳压管的稳定电压 U UZ Z=6V=6V，最小稳定电流，最小稳定电流 I IZminZmin=5mA=5mA，最大稳定电流，最大稳定电流 I IZmaxZmax=25mA=25mA。(1)(1)分别计算分别计算 U UI I为为 10V10V、15V15V、35V35V 三种情况三种情况下输出电压下输出电压 U UO O的值；的值；(2)(2)若若 U UI I=35V=35V 时负载开路，时负载开路，则会出现什么现则会出现什么现象？为什么？象？为什么？解：解：（1 1）稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为）稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为UImin(UZ/RL IZ

4、min)RUZ(6/0.55)16 23VUImax(UZ/RL IZmax)RUZ(6/0.525)16 43V故故 23V23VU Ui i43V43V。因此，因此，U UI I为为 10V10V 和和 15V15V 时稳压管未工作在稳压状态下。所以时稳压管未工作在稳压状态下。所以RLUO|UI10VUI 3.33VR RLRLUO|UI15VUI 5VR RLU UI I为为 35V35V 时稳压管工作在稳压状态下，所以时稳压管工作在稳压状态下，所以UO|UI35VUZ 6V（2 2）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻中的电流，即）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻中的电流，即I

5、DZ(UIUZ)/R 29mA IZmax稳压管将因功耗过大而损坏。稳压管将因功耗过大而损坏。1.71.7 电路如图所示，发光二极管导通电压电路如图所示，发光二极管导通电压 UD=1.5VUD=1.5V，正向电流在，正向电流在 515mA515mA 时才能正常工作。试问：时才能正常工作。试问：（1 1）开关）开关 S S 在什么位置时发光二极管才能发光？在什么位置时发光二极管才能发光？（2 2）R R 的取值范围是多少？的取值范围是多少？解：解：（1 1）S S 闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光。闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光。（2 2）发光二极管的正向电流过小将不发

6、光，过大将可能损坏。）发光二极管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏。R R 是是限流电阻，其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。因此，限流电阻，其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。因此，R R的范围为的范围为Rmin(V UD)/IDmax 233Rmax(V UD)/IDmin 700即即233 R7001.91.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗并分别说明它们是硅管还是锗管。管。解：因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个电极

7、分别为发射解：因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个电极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPNNPN 型管，电位最低的为发射极，电位居中的是型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为基极；若集电极电位最低，则为NPNNPN 型管，电位最高的为发射极，电位居中的是基极。若型管，电位最高的为发射极，电位居中的是基极。若b-eb-e 间电压在间电压在0.10.3V0.10.3V 之间，则为锗管；若之间，则为锗管；若 b-eb-e 间电压在间电压在 0.60.8V0.60

8、.8V 之间，则为硅管。之间，则为硅管。设晶体管三个极分别为上、中、下管脚，根据上述原则判断，得出结论如下表：设晶体管三个极分别为上、中、下管脚，根据上述原则判断，得出结论如下表：管号管号上上中中下下管型管型材料材料T T1 1e eb bc cPNPPNPSiSiT T2 2c cb be eNPNNPNSiSiT T3 3e eb bc cNPNNPNSiSiT T4 4b be ec cPNPPNPGeGeT T5 5c ce eb bPNPPNPGeGeT T6 6b be ec cNPNNPNGeGe1.111.11电路如图所示，晶体管的电路如图所示，晶体管的=50=50，|U Ub

9、ebe|=0.2V|=0.2V，饱和管压降，饱和管压降|U UCESCES|=0.1V|=0.1V；稳压管的稳定电压；稳压管的稳定电压U UZ Z=5V=5V，正，正向导通电压向导通电压 U UD D=0.5V=0.5V。试问：当。试问：当 u uI I=0=0 时时 u uO O=?=?当当 u uI I=-5V=-5V 时时 u uO O=?=?解：当解：当 u uI I=0=0 时晶体管截止，稳压管击穿，时晶体管截止，稳压管击穿，u uO O=-=-U UZ Z=-5V=-5V。当当 u uI I=-5V=-5V 时，基极电流时，基极电流|IB|uI|UBE|0.48mARB临界饱和时的

10、基极电流临界饱和时的基极电流|IBS|VCC|UCES|0.238mARc|IB|IBS|，说明晶体管饱和，故，说明晶体管饱和，故 u uO O=-0=-01.121.12 分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。解：解：因为图因为图(a)(a)中，中，T T 的发射结正偏，的发射结正偏，集电结有可能集电结有可能反偏，所以反偏，所以 T T 有可能工作在放大状态。有可能工作在放大状态。同理可得，图同理可得，图(b)(b)和和(e)(e)中的晶体管均可能工作中的晶体管均可能工作在放大状态。在放大状态。因为图因为图(c)(c)中中 T

11、 T 的发射结反偏，所以的发射结反偏，所以 T T 截止。截止。因为图因为图(d)(d)中中 T T 的发射结会因电流过大而损坏，所以的发射结会因电流过大而损坏，所以 T T 不可能工作在放大状态。不可能工作在放大状态。结论：结论：(a)(a)可能；可能；(b)(b)可能；可能；(c)(c)不能；不能；(d)(d)不能；不能；(e)(e)可能。可能。1.161.16 分别判断图示各电路中的场效应管是否可能工作在恒流区。分别判断图示各电路中的场效应管是否可能工作在恒流区。解：图解：图(a)(a)中的中的 T T 为为 N N 沟道结型场效应管，夹断电压沟道结型场效应管，夹断电压U UGS(off

12、)GS(off)000。因为它们的栅极电位均为。因为它们的栅极电位均为0 0，栅，栅-源电压源电压不可能大于不可能大于 U UGS(th)GS(th)，所以它们均处于截止状态。，所以它们均处于截止状态。图图(a)(a)中的中的 T T 为为 P P 沟道结型场效应管，夹断电压沟道结型场效应管，夹断电压 U UGS(off)GS(off)00。因为其栅。因为其栅-源电压有可能是源电压有可能是 00 U UGS(off)GS(off)的某的某值，且值，且 V VDDDD有可能使有可能使 U UDSDSU UGSGS-U UGS(off)GS(off)，所以，所以 T T 有可能工作在恒流区。有可能工作在恒流区。