模拟电子技术基础简明教程复习(1).doc.pdf

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1、模拟电子技术基础简明教程复习（1）一、单项选择题1、三极管处于放大状态，除了内部结构条件外，外部条件必需是（C）（a）发射结正向偏置，集电结正向偏置（b）发射结反向偏置，集电结反向偏置（c）发射结正向偏置，集电结反向偏置2指出下列哪个是场效应管（R）、DIG1 ICQ（C）3、造成集成运放温漂过于严重的原因可能是（A（a）负反馈开环大)o（b）存在虚焊点（c）输入信号过)o4、RC桥式正弦波振荡电路山两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路D）。B、P沟道结型场效应管D、N沟道耗尽型MOS管5、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（A.P沟道增强型MOS

2、管CN沟道增强型MOS管、6、当温度升高时,ICEO（A）,半导体三极管的B（Vbe（a:变大B）b:变小二、填空题1、二极管最主要的特性是具有单向导电性特性。2、三极管输出特性有三个工作区，分别是 放大、具有开关和放大特性。截止、饱和，故三极管3、下列图所示为某个型号三极管的各电极实测对地电压数据，试判断下图情况,是 PNP型三极管 管，工作在 截止 状态；3.5V3.5V3AK2O3AK2O整理、滤波、稳压-6V-6V等四4、半导体直流电源由电压变压器、-个主要环节组成。5、正弦波振荡器主要由三部分主成 放大电路、选频电路、反馈网络 三、判断题1、稳压管工作在反向击穿区时，管子将损坏。（X

3、）2、MOS 管在储存时必须将三个电极短接，以免 MOS 管损坏。（V）3、增强型 MOS管在栅极与源极未加电压时，就存在导通的沟道（X）4、射极输出器电压放大倍数不为 1,具有电压放大作用（X）5、为了消除交越失真，功率放大电路工作在甲类放大工作状态（X）6、当输入信号为一个失真的正弦波时，加入负反馈后能使失真得到改善。（X）7、电流反馈一定可以稳定输出电流，电压反馈一定可以稳定输出电压。（V）四、分析计算与作图1、在图示电路中，设比、42、知均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为12V。（1）试说明川、人2、為各组成什么电路？（2丿如、人2、為分别工作在线形区还是非线形区？（3）若输入为IV的直流电压，则各输出端“1、“02、“03的电压为多大？（10分）R2解:1.Ai组成反相比例电路，也组成单值比较器，A3组成电压跟随器；“2.Ai和 A3工作在线性区，摄工作在非线性区；“3.woi=-10V,UQ2=12V,2、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。（1）试判断级间反馈的极性和组态;（2）试求其闭环电压放大倍数人就。电路如图所示，设满足深度负反馈条件。解：为电流串联负反馈R、uf+顾3、如图所示电路中D为理想元件,解: