模拟电子技术基础试卷及答案期末.pdf
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1、模拟电子技术基础试卷及答案(期末)1/4 模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(18 分)1二极管最主要的特性是单向导电性。2如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为9 V,经过电容滤波后为12 V,二极管所承受的最大反向电压为14V。3差分放大电路,若两个输入信号uI1uI2,则输出电压,uO0;若 u I1=100V,u I 2=80V则差模输入电压uId=20 V;共模输入电压uIc=90V。4在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用低通滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用高通滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,
2、可选用带阻滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用带通滤波器。5 若三级放大电路中Au1Au230dB,Au320dB,则其总电压增益为80dB,折合为104倍。6乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ0、静态时的电源功耗PDC=0。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到78.5%,但这种功放有交越失真。7集成三端稳压器CW7915 的输出电压为15 V。二、选择正确答案填空(20 分)1在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是(A)。ANPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2某场效应管的转移特
3、性如图所示,该管为(D)。AP沟道增强型MOS 管B、P 沟道结型场效应管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管3通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的(C)。A输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应(D)。A 减小 C,减小 RiB.减小 C,增大 RiC.增大 C,减小RiD.增大 C,增大Ri5.如图所示复合管,已知V1的1=30,V2的2=50,则复合后的约为(A)。A1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC
4、串并联选频网络和(D)。A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是(A)。A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器0 iD/mA-4uGS/V 5+uO_ usRBRs+VCCV C+RCRiO tuItuo4 题图7题图V2 V1 模拟电子技术基础试卷及答案(期末)2/4 8与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是(C)。a不用输出变压器b不用输出端大电容c效率高d无交越失真9稳压二极管稳压时,其工作在(C),发光二极管发光时,其工作在(A)。a正向导通区b反向截
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