运放NE一些参数的讲解21422.pdf
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1、 运放 NE 一些参数的讲解 文件编码(GHTU-UITID-GGBKT-POIU-WUUI-8968)NE5534 运放芯片一些资料整理:极限参数:直流指标:运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532 的直流指标如下:输入失调电压 Vos:输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时,两个输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性,对称性越
2、好,输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入失调电压在110mV 之间;采用场效应管做输入级的,输入失调电压会更大一些。对于精密运放,输入失调电压一般在 1mV 以下。输入失调电压越小,直流放大时中间零点偏移越小,越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)Vos/T:输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内,输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充,便于计算在给定的工作范围内,放大
3、电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在1020V/之间,精密运放的输入失调电压温漂小于1V/。输入偏置电流:输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时,其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。输入偏置电流与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入偏置电流在10nA1A 之间;采用场效应管做输入级的,输入偏置电流一般低于 1nA。输入失调电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)Ios/T:最大共模输入电压 Vcm:最大共模输入电压定义为,当运放工作于线性区时,在运放的共模抑制比特性显着变
4、坏时的共模输入电压。一般定义为当共模抑制比下降 6dB 是所对应的共模输入电压作为最大共模输入电压。最大共模输入电压限制了输入信号中的最大共模输入电压范围,在有干扰的情况下,需要在电路设计中注意这个问题。共模抑制比 CMRR:共模抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放差模增益与共模增益的比值。共模抑制比是一个极为重要的指标,它能够抑制差模输入中的共模干扰信号。由于共模抑制比很大,大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或更多,用数值直接表示不方便比较,所以一般采用分贝方式记录和比较。一般运放的共模抑制比在 80120dB之间。电源电压抑制比 PSRR:电源电压抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放输
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