MOS管驱动电流的估算25765.pdf

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MOS 管驱动电流的估算 第一种:可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0td(on)+tr td(on)：MOS 导通延迟时间，从有驶入电压上升到 10%开始到 VDS 下降到其幅值 90%的时间。Tr：上升时间。输出电压 VDS 从 90%下降到其幅值 10%的时间 Qg=（CEI）(VGS)或 Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在 datasheet 中找到）第二种：（第一种的变形）密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；Ig=Vb-Vgs(th)/Rg；Ig：MOS 栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以 IR 的 IRF640 为例，看 DATASHEET 里有条 Total Gate Charge 曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为，由 Qg=67nC 和可得：67nC/=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。主要内容转自 世纪电源网