半导体制造中的化学品自学为主.ppt
《半导体制造中的化学品自学为主.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体制造中的化学品自学为主.ppt(47页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、半导体制造中的化学品自学为主现在学习的是第1页,共47页学习目标:1.物质的四种形态2.半导体制造有关的重要化学性质3.半导体工艺化学品的分类和使用4.如何在芯片制造中使用酸、碱和溶剂5.通用气体和特种气体,气体在晶片制造中的运送和使用现在学习的是第2页,共47页半导体制造业中使用大量的化学品来制造硅片。另外化学品还被用于清洗硅片和处理在制造工艺中使用的工具。在硅圆片制造中使用的化学材料被称为工艺用化学品。它们有不同的形态并且要严格控制纯度。现在学习的是第3页,共47页物质形态固态液态气态等离子态现在学习的是第4页,共47页固体在常温常压下保持一定的形状和体积。液体有一定的体积但形状是变化的。
2、一升水会与其容器形状一致。气体既无一定形状又无一定体积。它也会跟其容器形状一致,但跟液体不同之处是,它可扩展或压缩直至完全充满容器。注:特定物质的状态与其压力和温度有关。温度是对材料中包含的所有能量的一种衡量。现在学习的是第5页,共47页等离子体是电离原子或分子的高能集合,在工艺气体上施加高能射频场可以诱发等离子体。它可用于半导体技术中促使气体混合物化学反应。现在学习的是第6页,共47页材料的属性物理属性:熔点、沸点、电阻率和密度等化学属性:可燃性、反应性和腐蚀性现在学习的是第7页,共47页半导体制造中的化学名词温度密度压强和真空表面张力冷凝热膨胀蒸汽压应力升华和凝华现在学习的是第8页,共47
3、页 不管是在氧化管中还是在等离子刻蚀反应室内,化学品的温度都对其化学品的反应发挥着重要影响,而且一些化学品的安全使用也需要了解和控制化学品的温度。有三种温度表示法:华氏温标、摄氏温标和开氏温标。温度现在学习的是第9页,共47页现在学习的是第10页,共47页华氏温标(F)是由德国物理学家Gabriel Fahrenheit用盐和水溶液开发的。他把盐溶液的冰点温度定为华氏零度。一般地,纯水的冰点温度更有用,在华氏温标中水的冰点温度为32F,沸点温度为212F,两点之间相差180F。摄氏温标(C)在科学研究中更为常用,将纯水冰点设为 0C,沸点设为100C 开氏温标(K)。它和摄氏温标用一样的尺度,
4、只不过是基于绝对零度。绝对零度就是所有原子停止运动的理论温度,该值为-273C。现在学习的是第11页,共47页气体的压强和真空压强定义为:施加在容器表面上单位面积的力。所有的工艺机器都用气压表来测量和控制气压。气压的大小用英磅每平方英寸(psia)来表示。现在学习的是第12页,共47页气体的压强和真空真空是在半导体工艺中要遇到的术语,它实际上是低压的情况。一般来说,压力低于标准大气压(14.7 psia)就认为是真空。现在学习的是第13页,共47页现在学习的是第14页,共47页冷凝和气化冷凝:气体变成液体的过程气化:从液体变成气体的过程现在学习的是第15页,共47页蒸气压蒸气压是密闭容器中气体
5、处于平衡状态时产生的压力。高蒸气压材料是易挥发的,容易变成气体,如香水等。现在学习的是第16页,共47页升华和凝华升华:固体直接变成气体的过程凝华:气体直接变成固体的过程现在学习的是第17页,共47页密度密度=质量/体积(g/cm3)标准温度和大气压下一些常见材料的密度:现在学习的是第18页,共47页表面张力液滴的表面张力是增加接触表面积所需的能量。在半导体制造中用来衡量液体均匀涂在硅圆片表面的粘附能力。低表面张力高表面张力现在学习的是第19页,共47页热膨胀热膨胀是物体因受热而产生的物理尺寸的增大,用热膨胀系数(或CTE)衡量。非晶的热膨胀是各向同性的,单晶的热膨胀是各向异性的。现在学习的是
6、第20页,共47页应力物体受到外力作用的时候就会产生应力。应力的大小取决于外力的大小和外力作用的面积。硅片制造过程中多种原因会可以导致应力的产生,如硅表面的物理损伤;位错和杂质和外界材料生长等。现在学习的是第21页,共47页应力淀积膜通常会产生两种应力:拉伸应力和压缩应力,应力的性质取决于工艺条件。Substrate(a)Low CTE materialHigh CTE materialCTE of deposited material equals CTE of substrateDeposited film(b)(c)压缩应力拉伸应力High CTE materialLow CTE mat
7、erial现在学习的是第22页,共47页工艺用化学品液态固态气态现在学习的是第23页,共47页化学品在半导体制造中的主要用途湿法化学溶液和超纯净水清洗或准备硅片表面用高能离子对硅片进行掺杂得到p型和n型硅淀积不同的金属导体层及导体层之间必要的介质层生长薄的二氧化硅作为MOS旗舰主要的栅极介质材料用等离子体或湿法试剂做刻蚀,有选择地去除材料并在薄膜上形成所需要的图形现在学习的是第24页,共47页液体溶液溶剂溶质现在学习的是第25页,共47页酸:一种包含氢并且氢在水中裂解形成水合氢离子的溶液碱:含OH根的化合物,可以水解生产氢氧根离子溶剂:能够溶解其它物质形成溶液的物质现在学习的是第26页,共47
8、页半导体制造过程中常用的酸现在学习的是第27页,共47页氢氟酸的性质与作用 氢氟酸是氟化氢的水溶液,它是一种无色透明的液体,蒸汽有刺激臭味、剧毒,与皮肤接触时会发生严重的难以治愈的烧伤。浓的氢氟酸含氟化氢48。含氟化氢35的氢氟酸的比重是1.14,沸点是112。在化学清洗和腐蚀工艺中,主要利用氢氟酸能溶解二氧化硅(SiO2)这一特性来腐蚀玻璃、石英和硅片表面上的二氧化硅层。现在学习的是第28页,共47页盐酸(HCl)盐酸是氯化氢气体溶解于水而制得的一种无色透明有刺激性气味的液体,一般盐酸因含有杂质而呈淡黄色。浓度36%38%,比重1.19的盐酸为浓盐酸,浓盐酸具有强酸性、强腐蚀性和易挥发性。现
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体 制造 中的 化学品 自学 为主
限制150内