微机原理及应用存储器.ppt

《微机原理及应用存储器.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微机原理及应用存储器.ppt（75页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、微机原理及应用存储器微机原理及应用存储器现在学习的是第1页，共75页第第6章章 存储器系统存储器系统现在学习的是第2页，共75页第第6章章 存储器存储器6.1 概述概述6.2 随机存储器随机存储器6.3 只读存储器只读存储器6.4 主存储器设计主存储器设计3现在学习的是第3页，共75页6.1 概概 述述主要内容：主要内容：n微型机的存储系统微型机的存储系统n半导体存储器的基本概念半导体存储器的基本概念n存储器的分类及其特点存储器的分类及其特点n两类半导体存储器的主要区别两类半导体存储器的主要区别存储器是计算机的重要组成部分，用来存放计存储器是计算机的重要组成部分，用来存放计算机系统工作时所用的

2、信息算机系统工作时所用的信息 程序和数据。程序和数据。4现在学习的是第4页，共75页一、存储器的一般概念一、存储器的一般概念存储器由能够表示二进制数存储器由能够表示二进制数“0”和和“1”的、具的、具有记忆功能的一些物理器件组成。存储器能存放有记忆功能的一些物理器件组成。存储器能存放一位二进制数的物理器件称为一个存储元。若干一位二进制数的物理器件称为一个存储元。若干存储元构成一个存储单元。存储元构成一个存储单元。1、内存和外存内存和外存2、存储器的分类存储器的分类3、存储器的性能指标存储器的性能指标4、存储器的基本结构存储器的基本结构5现在学习的是第5页，共75页1、内存和外存、内存和外存 （

3、1）内存内存(或主存），用于存放当前正在使用的程序和数据，或主存），用于存放当前正在使用的程序和数据，CPU可以对它直接访问，存取速度快，但容量较小。可以对它直接访问，存取速度快，但容量较小。（2）外存外存（或辅存），用于存放一些（或辅存），用于存放一些CPU暂时不处理的程序和数暂时不处理的程序和数据。当据。当CPU要处理这些信息时，必须先将其调入内存。需通过专用设要处理这些信息时，必须先将其调入内存。需通过专用设备才能对其进行读写操作。备才能对其进行读写操作。外存外存包括软盘，硬盘，光盘等等。包括软盘，硬盘，光盘等等。外存外存容量大，相对内存来说，存取速度较慢。容量大，相对内存来说，存取速度

4、较慢。6现在学习的是第6页，共75页2、存储器的分类、存储器的分类(应用应用)(1)只读存储器只读存储器ROM(2)随机存取存储器随机存取存储器RAM7现在学习的是第7页，共75页(1)只读存储器只读存储器ROM 只读存储器只读存储器(Read Only Memory ROM)用户在使用时只能读出其中信息，不能修改或写入新用户在使用时只能读出其中信息，不能修改或写入新的信息，断电后，其信息不会消失。的信息，断电后，其信息不会消失。只读存储器分类只读存储器分类:存储单元中的信息由存储单元中的信息由ROM制造厂在生产时一制造厂在生产时一次性写入，称为次性写入，称为掩膜掩膜ROM（Masked RO

5、M）；）；PROM(Programmable ROM 可编程可编程ROM)PROM中的程序和数据是由用户自行写入的，中的程序和数据是由用户自行写入的，但一经写入，就无法更改，是一次性的但一经写入，就无法更改，是一次性的ROM；8现在学习的是第8页，共75页(1)只读存储器只读存储器ROM EPROM(Eraseble Programmable ROM 可可擦除可编程擦除可编程ROM)可由用户自行写入程序和数据，可由用户自行写入程序和数据，写入后的内容可用紫外线灯照射擦除，然后可以重新写入后的内容可用紫外线灯照射擦除，然后可以重新写入新的内容，可以多次擦除，多次使用。写入新的内容，可以多次擦除，

6、多次使用。E2PROM(Electrically Eraseble Programmable ROM 电可擦除可编程电可擦除可编程ROM)可用电信号进行可用电信号进行清除和改写的存储器，使用方便。掉电不丢失。清除和改写的存储器，使用方便。掉电不丢失。思考：思考：EPROM和和E2PROM与与RAM的区别？的区别？9现在学习的是第9页，共75页(2)随机存取存储器随机存取存储器RAM 随机存取存储器随机存取存储器(Random Access Memory)RAM的特点是存储器中的信息能读能写，且对存储的特点是存储器中的信息能读能写，且对存储器中任一单元的读或写操作所需要的时间基本是一样器中任一单

7、元的读或写操作所需要的时间基本是一样的。断电后，的。断电后，RAM中的信息即消失。中的信息即消失。按其制造工艺分：按其制造工艺分：（1）双极型半导体）双极型半导体RAM 存取时间短，与存取时间短，与MOS型比，集成度低，功耗大，价型比，集成度低，功耗大，价 格高。格高。（2）MOS 型型RAM10现在学习的是第10页，共75页(2)随机存取存储器随机存取存储器RAMMOS型型RAM分为两类：分为两类：SRAM(Static RAM 静态静态RAM)SRAM是是利用半导体触发器的两个稳定状态表示利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和和“0”。只要电源不撤除，信息不会消失，不需要刷新电路。只要

8、电源不撤除，信息不会消失，不需要刷新电路。DRAM(Dynamic RAM 动态动态RAM)DRAM是利用电容端电压的高低来表示是利用电容端电压的高低来表示“1”和和“0”，为了，为了弥补漏电需要定时刷新。一般微机系统中的内存采用弥补漏电需要定时刷新。一般微机系统中的内存采用DRAM，配有刷新电路，每隔，配有刷新电路，每隔12ms刷新一次。刷新一次。11现在学习的是第11页，共75页3、存储器的性能指标、存储器的性能指标(1)存储容量存储容量(2)存储速度存储速度(3)可靠性可靠性(4)功耗功耗12现在学习的是第12页，共75页(1)存储容量存储容量 存储容量存储容量 是指是指一块存储芯片上所

9、能一块存储芯片上所能存储的二进制位数。存储的二进制位数。假设存储芯片的假设存储芯片的存储单元数是存储单元数是M，一个存储单元所存储一个存储单元所存储的信息的位数是的信息的位数是N，则其存储容量为则其存储容量为MN。D7 D1D013现在学习的是第13页，共75页例题例题1、已知单片、已知单片6116芯片的地址线是芯片的地址线是11位，位，每个存储每个存储单元是单元是8位，求其存储容量位，求其存储容量?解解:因为可编址范围因为可编址范围211，即，即M 211，每个存储单元可存每个存储单元可存8位，即位，即N 8，所以，所以，6116的存储容量的存储容量=2118 =210248 =2K8 2K

10、B14现在学习的是第14页，共75页例题例题2、若要组成、若要组成64K字节的存储器，以下芯片各需几片字节的存储器，以下芯片各需几片?6116(2K8)4416(16K4)解解:(64K8)(2K8)=32(片片)(64K8)(16K4)=8(片片)15现在学习的是第15页，共75页区别：芯片的存储容量和微机的存储容量区别：芯片的存储容量和微机的存储容量 微机的存储容量微机的存储容量 由多片存储芯片组成的由多片存储芯片组成的总存储容量。总存储容量。微机的最大内存容量微机的最大内存容量 由由CPU的地址总的地址总线决定。线决定。如：如：PC486，地址总线是，地址总线是32位，位，则，内存容许最

11、大容量是则，内存容许最大容量是232=4G；实际的装机容量实际的装机容量 由实际使用的若干片由实际使用的若干片存储芯片组成的总存储容量。存储芯片组成的总存储容量。16现在学习的是第16页，共75页(2)存储速度存储速度 存储器的存取速度是影响计算机运算速度的主存储器的存取速度是影响计算机运算速度的主要因素，用两个参数来衡量：要因素，用两个参数来衡量：存取时间存取时间TA（Access Time）定义为启定义为启动一次存储器操作（读或写），到完成该操作所经动一次存储器操作（读或写），到完成该操作所经历的时间。历的时间。存储周期存储周期TMC（Memory Cycle）定义启定义启动两次读（或写）

12、存储器操作之间所需的最小时间动两次读（或写）存储器操作之间所需的最小时间间隔。间隔。注意：注意：CPU读写存储器的时间必须大于存储芯片的额定读写存储器的时间必须大于存储芯片的额定存取时间存取时间17现在学习的是第17页，共75页(3)(3)可靠性可靠性 存储器的可靠性用存储器的可靠性用MTBF来衡量。来衡量。MTBF即即Mean Time Between Failures 平平均故障间隔时间，均故障间隔时间，MTBF越长，表示可靠性越高。越长，表示可靠性越高。(4)(4)功耗功耗 使用功耗低的存储芯片构成存储系统不仅可以减使用功耗低的存储芯片构成存储系统不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以

13、提高存储系统的少对电源容量的要求，而且还可以提高存储系统的可靠性。可靠性。18现在学习的是第18页，共75页“读读”操作工作过程操作工作过程（1）送地址送地址 CPU通通过地址总线将地址送入过地址总线将地址送入地址寄存器，并译码；地址寄存器，并译码；（2）发出发出“读读”命令命令 CPU通过控制总线将通过控制总线将“存储器读存储器读”信号送入读信号送入读/写控制电路；写控制电路；（3）从存储器读出数据从存储器读出数据 读读/写控制电路根据写控制电路根据“读读”信信号和片选信号选中存储体中的某一存储单元，从该单元读出号和片选信号选中存储体中的某一存储单元，从该单元读出数据，送到数据缓存器。再经过

14、数据总线送到数据，送到数据缓存器。再经过数据总线送到CPU。20现在学习的是第20页，共75页“写写”操作工作过程操作工作过程（1）送地址送地址 CPU通过通过地址总线将地址送入地址地址总线将地址送入地址寄存器，并译码；寄存器，并译码；（2）发出发出“写写”命令命令 CPU通过控制总线将通过控制总线将“写写”信号送入读信号送入读/写控制电路；写控制电路；（3）写入数据到存储器写入数据到存储器 读读/写控制电路根据写控制电路根据“写写”信号信号和片选信号选中存储体中的某一存储单元，将数据总线上的和片选信号选中存储体中的某一存储单元，将数据总线上的数据，送到数据缓存器，再写入到选中的存储单元。数据

15、，送到数据缓存器，再写入到选中的存储单元。21现在学习的是第21页，共75页6.2 随机存取存储器随机存取存储器要求掌握：要求掌握：nSRAM与与DRAM的主要特点的主要特点n几种常用存储器芯片及其与系统的连接几种常用存储器芯片及其与系统的连接n了解存储器扩展技术了解存储器扩展技术22现在学习的是第22页，共75页一、静态存储器一、静态存储器SRAM 特点：特点：存储元由双稳电路构成，存储信息稳定存储元由双稳电路构成，存储信息稳定T1 T2工作管;T3 T4是负载管;T5 T6 T7 T8是控制管23现在学习的是第23页，共75页 典型典型SRAM芯片芯片地址线：地址线：A0-A12数据线：数

16、据线：D0-D7输出允许信号：输出允许信号：OE写允许信号：写允许信号：WE选片信号：选片信号：CS1，CS22A12A7A6A5A4A3A2A1D0D1345678910111213141NCA0D2GND27WECS2A8A9A11OEA10CS1D6D526252423222120191817161528VCCD7D4D36264n工作时序工作时序n与系统的连接使用与系统的连接使用CMOS RAMCMOS RAM芯片芯片62646264（8 8KBKB）：）：n 主要引脚功能主要引脚功能24现在学习的是第24页，共75页6264的工作过程的工作过程6264的读操作和写操作的读操作和写操作

17、CS1 片选信号片选信号 OE 输出允许输出允许 WE 写允许信号写允许信号 D0-D7 0 0 0 0 1 1 写入写入 1 1 0 0 1 1 读出读出 0 0或或1 10 0或或1 1 三态三态 片选信号片选信号CS20 06264真值表未选中25现在学习的是第25页，共75页6264的工作过程的工作过程写操作写操作(1)将写入单元的地址送到将写入单元的地址送到A0-A12上上;(2)将要写入的数据送到数据线上将要写入的数据送到数据线上;(3)使片选信号使片选信号(CS1、CS2)同时有效同时有效;(4)在在WE端加上有效的低电平端加上有效的低电平,OE端可以任意端可以任意;26现在学习

18、的是第26页，共75页6264芯片与系统的连接芯片与系统的连接D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR译码译码电路电路高位地高位地址信号址信号D0D727现在学习的是第27页，共75页译码电路译码电路 作用：作用：将输入的一组二进制编码变换为一个特定将输入的一组二进制编码变换为一个特定的输出信号，即：将输入的一组高位地址信号通的输出信号，即：将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的输出信号，用于选中某过变换，产生一个有效的输出信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在内一个存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在内存中的地址范围。存中的地址范围。分类分

19、类：（1）全地址译码全地址译码 （2）部分地址译码）部分地址译码28现在学习的是第28页，共75页全地址译码全地址译码 用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个惟一的内存地址器芯片的每一个单元都占据一个惟一的内存地址例例 所接芯片的地址范围所接芯片的地址范围 F0000HF1FFFHA19A18A17A16A15A14A13&16264CS129现在学习的是第29页，共75页部分地址译码部分地址译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的

20、地号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围址范围 例例两组地址：两组地址：F0000H-F1FFFH F0000H-F1FFFH B0000H-B1FFFH B0000H-B1FFFH被选中芯片的每个单元都被选中芯片的每个单元都占有两个地址，即这两个占有两个地址，即这两个地址都指向同一个单元地址都指向同一个单元A19A17A16A15A14A13&16264CS130现在学习的是第30页，共75页应用举例应用举例n将将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围芯片与系统连接，使其地址范围为：为：38000H39FFFHn使用使用74LS138译码器构成译码电路译码器构成译码电路译码

21、和译码器译码和译码器31现在学习的是第31页，共75页译码和译码器译码和译码器 全部全部CPU高位地址参与译码，称之为高位地址参与译码，称之为全译码全译码。全。全译码方式能保证每个存储单元地址唯一。译码方式能保证每个存储单元地址唯一。若只选择若只选择CPU一部分高位地址参与译码，这称为一部分高位地址参与译码，这称为部分译玛部分译玛。每个存储单元会有多个地址对应，。每个存储单元会有多个地址对应，地址译码可以选择专用芯片，在微机系统中常用地址译码可以选择专用芯片，在微机系统中常用的有的有74LS138（称（称3-8译码器）。译码器）。真值表真值表32现在学习的是第32页，共75页74LS138真值

22、表真值表33现在学习的是第33页，共75页应用举例应用举例D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMRD0D7A19G1G2AG2BCBA&A18A14A13A17A16A15VCCY074LS13834现在学习的是第34页，共75页应用举例应用举例A19A18A17A16A15A14A130 011111地址范围：3E000H-3FFFFHA12 A11-A0X 000H-FFFH 35现在学习的是第35页，共75页应用举例应用举例A19A18A17A16A15A14A130011111地址范围：3E000H-3FFFFHA12 A11-A0X 000H-FFFH 36现

23、在学习的是第36页，共75页应用举例应用举例A19A18A17A16A15A14A131 X1X111地址范围：AE000H-AFFFFH BE000H-BEFFFH EE000H-EFFFFH FE000H-FFFFFHA12 A11-A0X 000H-FFFH37现在学习的是第37页，共75页其它典型芯片举例其它典型芯片举例 SRAM芯片芯片HM 6116(简称简称6116）静态随机静态随机存取存储器，存取存储器，11条地址线，条地址线，8位数据线，位数据线，3条控制线，条控制线，两条电源线，单片存储容量两条电源线，单片存储容量2K8。常用的常用的SRAM还有还有6232，62256，适用

24、于较小系统。，适用于较小系统。38现在学习的是第38页，共75页应用举例应用举例n用存储器芯片用存储器芯片SRAM 6116构成构成一个一个4KB的存储器。要求其的存储器。要求其地址范围为：地址范围为：78000H78FFFHG1=1 G2A=G2B=0时，译码器处于使能状态。A、B和C三条线的输入决定Y0 Y7的状态。A19A18A17A16A15A14A13A12A11 0 1 1 1 1 0 C B A39现在学习的是第39页，共75页二、动态随机存储器二、动态随机存储器DRAM特点：特点：存储元主要由电容构成，由于电容存在的漏电现象而使其存储存储元主要由电容构成，由于电容存在的漏电现象

25、而使其存储的信息不稳定，故的信息不稳定，故DRAM芯片需要定时刷新芯片需要定时刷新原理原理:40现在学习的是第40页，共75页典型芯片举例典型芯片举例 DRAM芯片芯片Intel 2164A 动态随机存取存储动态随机存取存储器，器，8条地址线，条地址线，2位数据线位数据线(输出和输入），输出和输入），3条控条控制线，两条电源线，单片存储容量制线，两条电源线，单片存储容量64K1。地址线采用分时复用，由地址线采用分时复用，由CAS（列选通）和（列选通）和RAS（行选通），从而实现（行选通），从而实现16位地址线，位地址线，M216 64K。NCDINWEA0A112345678RASA2GNDV

26、CCCASDOUTA3A4161514131211109A6A5A7216441现在学习的是第41页，共75页典型典型DRAM芯片芯片2164A2164A：64K1bitn采用行地址和列地址来确定一个单元采用行地址和列地址来确定一个单元n行列地址分时传送，行列地址分时传送，共用一组地址信号线共用一组地址信号线n地址信号线的数量仅地址信号线的数量仅 为同等容量为同等容量SRAM芯芯 片的一半片的一半42现在学习的是第42页，共75页主要引线主要引线RAS：行地址选通信号。用于锁存行地址：行地址选通信号。用于锁存行地址CAS：列地址选通信号：列地址选通信号地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们

27、地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在分别在RAS和和CAS有效期间被锁存在锁存器中有效期间被锁存在锁存器中DIN：数据输入数据输入DOUT：数据输出：数据输出WE：写允许信号写允许信号WE=0 数据写入数据写入WE=1 数据读出数据读出NCDINWEA0A112345678RASA2GNDVCCCASDOUTA3A4161514131211109A6A5A7216443现在学习的是第43页，共75页工作原理工作原理数据读出数据读出数据写入数据写入44现在学习的是第44页，共75页工作原理工作原理刷新刷新:将存放于每位中的信息读出再照原样写入将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元

28、的过程原单元的过程45现在学习的是第45页，共75页三、存储器扩展技术三、存储器扩展技术位扩展位扩展字扩展字扩展字位扩展字位扩展用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中有一片（或一组）被选中存储器的扩展。存储器的扩展。存储器的存储容量等于：存储器的存储容量等于：单元数单元数每单元的位数每单元的位数字节数字节数字长字长46现在学习的是第46页，共75页位扩展位扩展 当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字

29、长时，就要进行位扩展，使每个单元的字的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求长满足要求位扩展方法：位扩展方法：将每片的地址线、控制线将每片的地址线、控制线并联并联，数据线，数据线分别分别引出连引出连接至数据总线的不同位上接至数据总线的不同位上位扩展特点：位扩展特点：存储器的单元数不变，位数增加存储器的单元数不变，位数增加47现在学习的是第47页，共75页位扩展例位扩展例用用8片片2164A芯片构成芯片构成64KB存储器存储器LS158A0A7A8A152164A2164A2164ADBABD0D1D7A0A748现在学习的是第48页，共75页字扩展字扩展 地址空间的扩展。芯片每个单元

30、中的字长满足，地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足但单元数不满足扩展原则：扩展原则：每个芯片的地址线、数据线、控制线每个芯片的地址线、数据线、控制线并联并联，仅片，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围址范围49现在学习的是第49页，共75页字位扩展字位扩展根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数进行位扩展以满足字长要求进行位扩展以满足字长要求进行字扩展以满足容量要求进行字扩展以满足容量要求若已有存储芯片的容量为若已有存储芯片的容量为LK，要构成容量为，要构成容量为M N的存储器，需

31、要的芯片数为：的存储器，需要的芯片数为：（M/L）（N/K）50现在学习的是第50页，共75页6.3 只读存储器（只读存储器（ROM）掩模掩模ROMROM一次性可写一次性可写ROMROM（PROM)PROM)可读写可读写ROMROM分分 类类EPROMEPROM（紫外线擦除）（紫外线擦除）EEPROMEEPROM（电擦除）（电擦除）知识点回顾知识点回顾:51现在学习的是第51页，共75页一、一、EPROM特点：特点：可多次编程写入可多次编程写入掉电后内容不丢失掉电后内容不丢失内容的擦除需用紫外线擦除器内容的擦除需用紫外线擦除器52现在学习的是第52页，共75页EPROM 27648K8bit芯

32、片，其引脚与芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容：完全兼容：地址信号：地址信号：A0 A12数据信号：数据信号：D0 D7输出信号：输出信号：OE片选信号：片选信号：CE编程脉冲输入：编程脉冲输入：PGM读操作时读操作时PGM12A12A7A6A5A4A3A2A1D0D1345678910111213141VPPA0D2GND27PGMNCA8A9A11OEA10CED6D526252423222120191817161528VCCD7D4D3276453现在学习的是第53页，共75页2764的工作方式的工作方式数据读出数据读出编程写入编程写入擦除擦除标准编程方式标准编程方式快速编程方式快

33、速编程方式编程写入的特点：编程写入的特点：每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据54现在学习的是第54页，共75页2764的工作方式的工作方式数据读出：数据读出：55现在学习的是第55页，共75页2764的工作示例的工作示例A19A18A17A16A15A14A13 A12-A0 0 1 1 1 C B A2764芯片的地址范围是：70000H-71FFFH56现在学习的是第56页，共75页二、二、EEPROM特点：特点：可在线编程写入可在线编程写入掉电后内容不丢失掉电后内容不丢失电可擦除电可擦除57现在学习的是第57页，共75页典型典型EEPROMEEP

34、ROM芯片芯片98C64A98C64A8K8bit芯片芯片13根地址线（根地址线（A0 A12）8位数据线（位数据线（D0 D7）输出允许信号（输出允许信号（OE）写允许信号（写允许信号（WE）选片信号（选片信号（CE）状态输出端（状态输出端（READY/BUSY）58现在学习的是第58页，共75页工作方式工作方式数据读出数据读出编程写入编程写入擦除擦除字节写入：每一次字节写入：每一次BUSYBUSY正脉冲写正脉冲写 入一个字节入一个字节自动页写入：每一次自动页写入：每一次BUSYBUSY正脉写正脉写 入一页（入一页（1 321 32字节）字节）字节擦除：一次擦除一个字节字节擦除：一次擦除一个

35、字节片擦除：一次擦除整片片擦除：一次擦除整片59现在学习的是第59页，共75页EEPROMEEPROM的应用的应用可通过编写程序实现对芯片的读写，但可通过编写程序实现对芯片的读写，但 每写入一个字节都需判断每写入一个字节都需判断READY/BUSY 端的状态，仅当该端为高电平时才可写端的状态，仅当该端为高电平时才可写 入下一个字节入下一个字节60现在学习的是第60页，共75页三、闪存三、闪存特点：特点：通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式的工作方式61现在学习的是第61页，共75页工作方式工作方式数据读出数据读出编程写入：编程写入：

36、擦擦 除除读单元内容读单元内容读内部状态寄存器内容读内部状态寄存器内容读芯片的厂家及器件标记读芯片的厂家及器件标记数据写入，写软件保护数据写入，写软件保护字节擦除，块擦除，片擦除字节擦除，块擦除，片擦除擦除挂起擦除挂起62现在学习的是第62页，共75页6.4 主存储器设计主存储器设计1、芯片选择、芯片选择2、存储器芯片的基本地址、存储器芯片的基本地址3、存储器芯片的容量扩充存储器芯片的容量扩充4、存储器芯片与、存储器芯片与CPU连接连接63现在学习的是第63页，共75页1、芯片选择、芯片选择 SRAM与与CPU连接，不需要外围电路，连接连接，不需要外围电路，连接简单，用于小型控制系统。简单，用

37、于小型控制系统。DRAM常用于大型系统，因为需要刷新电路，常用于大型系统，因为需要刷新电路，比如比如PC机的内存条。机的内存条。ROM通常用于存放固定的系统程序。通常用于存放固定的系统程序。64现在学习的是第64页，共75页2、存储器芯片的基本地址、存储器芯片的基本地址6116的基本地址：的基本地址：000H7FFHD7 D1D065现在学习的是第65页，共75页2、存储器芯片的基本地址、存储器芯片的基本地址6264的基本地址的基本地址:0000H1FFFHD7 D1D066现在学习的是第66页，共75页2、存储器芯片的基本地址、存储器芯片的基本地址2114的基本地址是的基本地址是000H3F

38、FHD3 D2 D1D067现在学习的是第67页，共75页2、存储器芯片的基本地址、存储器芯片的基本地址EPROM 27218基本地址是基本地址是0000H3FFFHD7 D1D068现在学习的是第68页，共75页3、存储器芯片的容量扩充、存储器芯片的容量扩充对对1#来说其地址范围来说其地址范围00 0000 0000 000000 0111 1111 1111（即（即000H07FFH）用用两片两片6116芯片芯片（2K 8）即可扩展成）即可扩展成4K 8位，这位，这种扩展方式就称为种扩展方式就称为字扩展字扩展。对对2#来说其地址范围来说其地址范围00 1000 0000 000000 11

39、11 1111 1111（即（即0800H0FFFH)69现在学习的是第69页，共75页3、存储器芯片的容量扩充、存储器芯片的容量扩充 显然，我们可以用显然，我们可以用2片片2114组成组成1K8位的存储器，位的存储器，这种扩展方式称为这种扩展方式称为位扩展位扩展。对对2114来说，存储容量是来说，存储容量是1K4位，而正常数据都以位，而正常数据都以字节作为存储单元，显然需要进行扩展。字节作为存储单元，显然需要进行扩展。N=(1K8位位)(1K4位位)=270现在学习的是第70页，共75页4、存储器芯片与、存储器芯片与CPU连接连接1、地址总线地址总线 低位直接相连，低位直接相连，高位通过译码

40、器相连。高位通过译码器相连。地址线的连接方式确定了芯片的地址。地址线的连接方式确定了芯片的地址。2、数据总线数据总线 8位芯片的数据线可以直接与位芯片的数据线可以直接与8088CPU的相连，的相连，与与8086CPU连接，要分成两个存储体；低连接，要分成两个存储体；低于于8位的要进行位扩充后再与位的要进行位扩充后再与CPU相连。相连。例题例题3、控制信号 系统总线中与存储器有关的控制信号有系统总线中与存储器有关的控制信号有IO/M，RD，WR(针对针对8088)。71现在学习的是第71页，共75页例题例题所以所以27128地址范围：地址范围：0010 0000 0000 0000 0000 0

41、010 0011 1111 1111 1111即即20000H23FFFH1、如图是某一、如图是某一8088系统的存储器连接图，试确定其中各芯片的地系统的存储器连接图，试确定其中各芯片的地址空间。址空间。解解：（1）27128是是ROM，没有，没有WR，Y0 0选中该片；选中该片；该片该片14条地址线，其基本地址条地址线，其基本地址00 0000 0000 0000 11 1111 1111 1111；高高6位：位：A19A18 00；A17 1；A16A15 A14000；72现在学习的是第72页，共75页例题例题0011 0000 0000 0000 0000 0011 0001 1111

42、 1111 1111即即30000H31FFFH解：解：（2）6264是是SRAM，13条地址线，用条地址线，用2片，片，基本地址基本地址0 0000 0000 00001 1111 1111 1111；16264的高的高7位：位：A130 且且Y40有效选中此片，有效选中此片，则则A16A15 A14100；A19A18 0；A17 1；16264地址范围：地址范围：73现在学习的是第73页，共75页例题例题26264地址范围：地址范围：0011 0010 0000 0000 0000 0011 0011 1111 1111 1111即即32000H33FFFH解：解：（2）6264是是SRAM，13条地址线，用条地址线，用2片，片，基本地址基本地址0 0000 0000 00001 1111 1111 1111；A131 且且Y40有效选中此片，有效选中此片，2 6264的高的高7位：位：则则A16A15 A14100；A19A18 00；A17 1；74现在学习的是第74页，共75页75现在学习的是第75页，共75页