宏达电子:中国国际金融股份有限公司关于株洲宏达电子股份有限公司2021年度向特定对象发行A股股票之上市保荐书(2021年半年报更新版).PDF
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1、 3-3-1 关于关于株洲宏达电子株洲宏达电子股份有限公司股份有限公司 2021 年度年度向特定对象向特定对象发发行行 A 股股票股股票的的 上市保荐书上市保荐书 保荐机构(主承销商)保荐机构(主承销商) (北京市朝阳区建国门外大街 1 号国贸大厦 2 座 27 层及 28 层) 3-3-2 株洲宏达电子株洲宏达电子股份有限公司股份有限公司 2021 年度年度向特定对象向特定对象发行发行 A 股股票股股票上市保荐书上市保荐书 深圳深圳证券交易所:证券交易所: 株洲宏达电子股份有限公司(以下简称“宏达电子” 、 “发行人”或“公司” )拟申请向不超过 35 名特定投资者发行不超过 4,001.0
2、0 万股(含本数)的人民币普通股股票(以下简称“本次证券发行” 、 “本次发行”或“向特定对象发行 A股股票” ) ,并已聘请中国国际金融股份有限公司(以下简称“中金公司” )作为本次证券发行的保荐机构(以下简称“保荐机构”或“本机构” ) 。 根据中华人民共和国公司法 (以下简称“ 公司法 ” ) 、 中华人民共和国证券法 (以下简称“ 证券法 ” ) 、 证券发行上市保荐业务管理办法 (以下简称“ 保荐办法 ” ) 、 创业板上市公司证券发行注册管理办法(试行) (以下简称“ 注册管理办法 ” ) 、 深圳证券交易所创业板上市保荐书内容与格式指引(以下简称“ 内容与格式指引 ” ) 、 保
3、荐人尽职调查工作准则等法律法规和中国证券监督管理委员会(以下简称“中国证监会” ) 、深圳证券交易所的有关规定,中金公司及其保荐代表人诚实守信,勤勉尽责,严格按照依法制订的业务规则、 行业执业规范和道德准则出具本上市保荐书, 并保证本上市保荐书的真实性、准确性和完整性。 (本上市保荐书中如无特别说明,相关用语具有与关于株洲宏达电子股份有限公司 2021 年度向特定对象发行 A 股股票之尽职调查报告中相同的含义) 3-3-3 一、发行人概况一、发行人概况 (一)发行人基本资料(一)发行人基本资料 公司中文名称:株洲宏达电子股份有限公司 公司英文名称:Zhuzhou Hongda Electron
4、ics Corp.,Ltd. 法定代表人:钟若农 注册资本:40,010.0000 万元 总股本:40,010 万股 成立日期:1993 年 11 月 18 日(2015 年 11 月 27 日整体变更为股份有限公司) 注册地址:湖南省株洲市荷塘区新华东路 1297 号 办公地址:湖南省株洲市天元区渌江路 2 号 邮政编码:412000 董事会秘书:曾垒 联系方式:0731-22397170 传真号码:0731-22397170 公司网址: 公司股票上市地:深圳证券交易所 证券简称:宏达电子 宏达电子证券代码:300726 统一社会信用代码:91430200616610317F 经营范围:电阻
5、电容电感及其他元件、滤波器、变压器、磁珠、微波铁氧体磁性器件、微波功率器件、电子电路、微电路模块、IF 模块、VF 模块、微波组 3-3-4 件、集成电路、电源管理芯片、电子专用材料研发、制造、销售及服务;计算机硬件、支撑软件开发、制造、销售及服务;电子仪器、电气设备开发、生产、销售及服务;电子产品检测。 (依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) (二二)主营业务)主营业务 发行人是一家以高可靠电子元器件和电路模块为核心进行研发、生产、销售及相关服务的高新技术企业,产品涵盖钽电容器、陶瓷电容器、微电路模块及其他电子元器件,客户覆盖车辆、飞行器、船舶、雷达、电子对抗等系统工程和装
6、备等领域。 发行人拥有 20 多年电子元件研发生产经验、十多条国内先进的电子元器件和电路模块生产线、完善的质量检测体系和完整的检验试验技术,拥有多项电子元器件和电路模块的核心技术与专利,其中高能钽混合电容器、高分子钽电容器等产品在国内属于领先地位,公司是国内高可靠钽电容器生产领域的龙头企业。近年来,公司在巩固高可靠产品业务的同时,积极进行民品业务的开拓,民品销售收入持续上涨。公司未来将以钽电容器为核心进行扩展,致力于打造拥有核心技术和重要影响力的高可靠电子元器件集团公司。 发行人最近三年及一期的营业收入按产品类别分类构成如下: 单位:万元 项目项目 20212021 年年 1 1- -6 6
7、月月 2020 年度年度 2019 年度年度 2018 年度年度 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 非固体电解质钽电容器 30,922.6030,922.60 33.51%33.51% 49,422.19 35.28% 34,616.93 41.01% 26,099.23 41.02% 固体电解质钽电容器 25,025,032.6532.65 27.13%27.13% 36,309.99 25.92% 25,277.53 29.95% 25,617.83 40.26% 微电路模块 9,275.639,275.63 10.05%10.05% 11,4
8、13.50 8.15% 5,449.81 6.46% 2,417.35 3.80% 陶瓷电容器 7,740.217,740.21 8.39%8.39% 12,160.62 8.68% 7,497.56 8.88% 4,080.99 6.41% 其他产品 18,521.6518,521.65 20.07%20.07% 30,352.20 21.67% 10,094.55 11.96% 5,078.27 7.98% 主营业务收主营业务收入入 91,492.7491,492.74 99.16%99.16% 139,658.49 99.69% 82,936.38 98.26% 63,293.67 99
9、.47% 其他业务收其他业务收入入 777.21777.21 0.84%0.84% 427.26 0.31% 1,467.79 1.74% 337.79 0.53% 3-3-5 项目项目 20212021 年年 1 1- -6 6 月月 2020 年度年度 2019 年度年度 2018 年度年度 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 金额金额 比例比例 合计合计 92,269.9592,269.95 100.00%100.00% 140,085.76 100.00% 84,404.17 100.00% 63,631.46 100.00% (三)核心技术(三)核心技术及研发
10、水平及研发水平 1、技术情况、技术情况 公司的研发人员积极吸收国际前沿技术,针对高可靠元件进行自主研发,根据市场需求状况、国内外先进技术研发方向和市场反馈信息,通过自主创新、技术积累和改进优化不断提升核心技术的应用水平,拓展核心技术的应用领域。 公司自成立以来一直致力于高可靠电子元器件的研究开发工作, 目前在高可靠钽电容器领域具有较强的研发能力,在片式固体电解质钽电容器、高能钽混合电容器和高分子固体钽电容器等小型化、高性能化钽电容器领域具有技术优势,自主研发的 THC 系列高能钽混合电容器和高分子固体钽电容器填补了国内空白,处于国内领先地位。 非钽电容业务方面,公司在陶瓷电容器、环行器及隔离器
11、、微电路模块、嵌入式板卡、LTCC 滤波器、薄膜电容器、温度传感器等系列产品上均实现了技术突破,形成了多元化的核心技术体系。 公司在长期的研发实践中,逐渐掌握了以下各项核心技术: 序号序号 核心技术名称核心技术名称 技术现状、水平描述技术现状、水平描述 技术来源技术来源 钽电容领域:钽电容领域: 1 高能钽混合电容器赋能技术 通过采用多级赋能技术,改善了氧化膜的质量,提高产品的可靠性,该技术已广泛应用于该类产品的各种型号规格产品中,技术水平为国内领先。 自主研发 2 高能钽混合电容器成型技术 传统的阳极引出线为一根直钽丝,为了保证烧结后,阳极引出线能与芯块接触良好,具有较低的接触损耗角,公司将
12、钽丝设计成不同形式,使烧结后的钽丝不会在阳极芯块内部转动,改善阳极芯块的容量、损耗角正切值和 ESR 值等性能参数。该技术已广泛应用于该类产品的各种型号规格产品中,技术水平为国内领先。 自主研发 3-3-6 序号序号 核心技术名称核心技术名称 技术现状、水平描述技术现状、水平描述 技术来源技术来源 3 非固体电解质钽电容器赋能过程电流电压控制技术 该技术优化了阳极赋能形成液的电导率,使得在保证电容形成效率的前提下,进一步提高形成液的闪火电压,提高成品电容的可靠性。该技术主要应用于非固体电解质钽电容器生产线上的各型号电容,技术水平为国内领先。 自主研发 4 非固体电解质钽电容器电解液配制技术 该
13、技术通过对赋能形成电流、电压、时间的优化,确保了电容芯块的电容量和漏电流满足标准要求,并降低了漏电流。该技术主要应用于非固体电解质钽电容器生产线上的各型号电容,技术水平为国内领先。 自主研发 5 非固体电解质钽电容器赋能形成液配制技术 该技术对非固体电解质钽电容器中的硅溶胶、硫酸及其他添加剂配方的不断优化,摸索出一套闪火电压满足电容要求而又能降低ESR 的电解液体系,达到了国内先进水平。主要应用于非固体电解质钽电容器生产线上的各型号电容。 自主研发 6 固体电解质钽电容器介质膜形成技术 该技术解决了五氧化二钽介质膜形成质量不一致的问题,通过热处理释放了内部应力,提高了介质膜耐受热应力的能力,达
14、到了国内先进水平,应用于固体电解质钽电容器生产线上的各型号电容。 自主研发 7 固体电解质钽电容器二氧化锰阴极被覆技术 该技术通过调整浸渍硝酸锰的溶液比重、浸渍时间以及次数,解决了产品容量引出率偏低,损耗一致性不好的问题,达到了国内先进水平,主要应用于固体电解质钽电容器生产线上的各型号电容。 自主研发 8 片式高分子聚合技术 该技术解决了片式高分子钽电容器国产化问题,填补了国内高分子钽电容器的空白。 自主研发 9 片式钽电容高压制密度下的阳极钽块成型技术 解决了钽阳极块压制时容易出现缺角、 缺块、疏松等技术难题,提高了成型工序合格率,该技术达到了国内先进水平。 自主研发 10 片式钽电容高压制
15、密度下金属氧化膜形成工艺技术 解决了产品在赋能过程中性能一致性问题,生成的五氧化二钽介质氧化膜完好致密,减小漏电流大和老化击穿的废品比例,该技术达到了国内先进水平, 提高产品质量可靠性。 自主研发 11 片式钽电容高致密阴极 MnO2固体电解质沉积技术 解决了漏电流大、电容量超标及介质损耗因数大的技术难题,提高耐压值及参数的一致性,该技术达到了国内先进水平。 自主研发 非钽电容领域:非钽电容领域: 12 改性陶瓷材料技该技术基于纳米级的钛酸钡陶瓷料改性,在自主研发 3-3-7 序号序号 核心技术名称核心技术名称 技术现状、水平描述技术现状、水平描述 技术来源技术来源 术 不同孔径筛分配比的陶瓷
16、粉料基础上添加稀土金属氧化物改性,实现小型化大容量等设计目标。 13 超薄膜层流延技术 该技术是以 PET 膜为基体,将流延、印刷、叠层整合成一条完整的流水线,可实现全自动操作。使流延膜片厚度控制最小至 1m。达到国外先进厂家同等水平。 自主研发 14 瓷介电容器高层数大容量叠层技术 该技术解决了高层数大容量产品叠层时陶瓷介质膜片与 PET 膜难分离的现象,应用该技术可使叠层层数达到 1000 层, 攻克了瓷介电容实现大容量生产的工艺难关,技术水平为国内领先。 自主研发 15 细微晶粒烧结技术 烧结的主要目的是利用高温把陶瓷粉体转为致密固体。烧结过程中重要的控制参数有:氢气和氮气流量、烧结温度
17、和时间。通过这些参数,烧结获得设计的晶粒大小、晶界宽度等参数,从而控制最终产品的电性能和机械性能。 自主研发 16 金属电极共烧技术 该技术解决了产品在烧结时因收缩不一致出现内部开裂的现象,通过调整配方工艺、层压工艺、烧结曲线达到了产品实现共烧的目的,技术水平为国内领先。 自主研发 17 高致密磁控溅射技术 磁控溅射的主要目的是在陶瓷表面制备金属薄层。通过控制基片温度、溅射气压、溅射时间和溅射功率等,获得设计后的厚度的高致密高结合力的金属薄层。 自主研发 18 基于 LTCC 的滤波器设计技术 其技术采用多层陶瓷工艺,可以把无源器件置于介质基板的内部,同时可以把有源器件贴装于介质基板表面,从而
18、制作成无源/有源集成的功能模块。其在集成封装、布线宽度和间距、低阻抗金属化、设计的灵活性和多样性、高频率性能方面都有着明显优势。 自主研发 19 高分子片铝阴极聚合技术 该技术是以 3,4 乙烯二氧噻吩为载体,通过控制温湿度、催化剂含量氧化还原反应生成导电聚合物,附着在三氧化二铝表面形成阴极,达到国外先进厂家同等水平。 自主研发 20 隔离器环行器小型化表贴设计技术 根据微波信号波长与介电常数紧密相关的原理,采用高介电常数旋磁基片及截至嵌套复合基板,对小型化微波集成电路进行重新设计,产品的外形尺寸可以进行有效的缩小。并根据微带转同轴的接口设计技术,将位于表面的传输线通过标准 50 欧姆同轴口转
19、移为器件背面,可以同用户的使用环境匹配更自主研发 3-3-8 序号序号 核心技术名称核心技术名称 技术现状、水平描述技术现状、水平描述 技术来源技术来源 优,解决用户使用过程中的匹配问题。 21 薄膜铁氧体电路制备技术 通过精确全自动溅射设备的清洗参数、溅射功率、气体流量等工艺参数,将靶材金属均匀致密的沉积在基片上,达到设计成膜均匀性,不同批次间膜层重复性,铁氧体薄膜电路附着力,满足了星载产品要求,属于国内行业的最高标准。 自主研发 22 高精度电流频率转换设计技术 采用独特的温度补偿技术,使产品精度达到了国内先进水平。 自主研发 23 电容器渐变金属化极板图案设计技术 根据电容器的不同特点设
20、计不同的金属化图案进行真空蒸镀,控制规定的厚度(方阻) ,从而充分发挥金属化薄膜特性,保证其抗电流能力的同时充分发挥其自愈性,提高击穿场强。 自主研发 24 热处理调整卷绕张力技术 实现了卷绕张力和热处理工艺中温度设置的有效配合,以及芯子压扁时,温度、时间和压力大小的相互配合。该两项工艺的实施提高了电容器的容量稳定性,提高了充放电次数并延长了储存寿命。 自主研发 25 温度传感器芯片厚膜印刷技术 采用了第三代厚膜印刷技术,具有机械性能好、参数稳定、响应时间快等特点。 自主研发 2、研发情况、研发情况 公司研发部门根据不同的产品线和子公司设置具体的研发事业部, 分别负责各产品线的研发设计工作,包
21、括前沿技术的研究和产品工艺的开发,研发总部对各事业部进行统筹安排和综合管理。公司拥有完善的研发体系,保证公司产品技术和产品布局适应下游行业技术的不断更迭。 公司通过建立人才培养机制、考核及激励机制等来促进技术持续创新。公司制定了详细的人才规划,一方面大力引进科技创新型人才,给予从物质及工作环境上的支持;另一方面,注重对公司内部科技人才的培养,提供个性化、多样化的福利,帮助员工进行职业规划,并在培训与实践中提升工作能力。 公司建立了一套完善的技术人员的绩效考核体系, 如高可靠科研新品奖励和惩罚规定、非标产品评审规则、技术人员薪酬制度等,并配以合理的激励机制;技术人员的薪酬等级和薪酬间距科学合理,
22、收入分配具有公平性和层次性,同时 3-3-9 为技术人员提供完善的职业生涯晋升通道。 截至 20212021 年年 6 6 月月 3030 日日,公司正在从事的研发项目有 4545 项,其中包括政府项目 3434 项,自筹资金研发项目 11 项。公司在研项目情况如下: 产品类别产品类别 政府项目政府项目 自筹项目自筹项目 固体电解质钽电容器 6 6 7 非固体电解质钽电容器 - - 1 陶瓷电容器 1 - 微电路模块 3 - 其他 2424 3 合计合计 3434 11 报告期内,公司的研发投入情况如下表所示: 单位:万元 项目项目 20212021年年1 1- -6 6月月 2020 年度年
23、度 2019 年度年度 2018 年度年度 研发人员数量(人) 298298 168 99 77 研发人员数量占比 16.06%16.06% 10.64% 7.62% 7.37% 研发投入金额(万元) 4,731.954,731.95 8,393.70 5,692.45 4,293.40 研发投入占营业收入比例 5.13%5.13% 5.99% 6.74% 6.75% (四)主要(四)主要经营和财务数据及指标经营和财务数据及指标 1、合并资产负债表、合并资产负债表 单位:万元 项目项目 20212021 年年 6 6 月月 3030 日日 2020 年年 12 月月 31 日日 2019 年年
24、 12 月月 31 日日 2018 年年 12 月月 31 日日 资产总额 340,085.12340,085.12 296,280.60 197,393.93 167,923.75 负债总额 81,978.0881,978.08 75,849.26 17,695.12 9,737.44 所有者权益合计 258,107.04258,107.04 220,431.34 179,698.81 158,186.32 归属于母公司所有者权益 245,063.95245,063.95 211,315.50 175,552.00 155,331.88 2、合、合并利润表并利润表 3-3-10 单位:万元
25、项目项目 20212021 年年 1 1- -6 6 月月 2020 年度年度 2019 年度年度 2018 年度年度 营业总收入 92,269.9592,269.95 140,085.76 84,404.17 63,631.46 营业利润 50,858.6150,858.61 61,709.27 36,593.74 25,183.26 利润总额 50,783.8950,783.89 61,675.24 36,504.56 25,797.15 净利润 43,296.3743,296.37 52,918.67 30,906.42 21,898.10 归属于母公司所有者的净利润 39,935.99
- 配套讲稿:
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