2CW56硅稳压二极管伏安特性曲线14078.pdf

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1、 实验原理 1、稳压二极管伏安特性描述 2CW56 属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于 1N4007 型二极管，其反向特性变化甚大。当 2CW56 二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值。随着反向偏置电压的进一步增加，大约到 7时，出现了反向击穿（有意参杂而成），产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化。只要在线路中，对“雪崩”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电压仍然是稳定的（变化很小）。这就是稳压二极管的使用基础，其应用电路见图 31。图中，E供电电源，如果二极管稳压值为 7，则要求 E 为 10V 左右；R

2、限流电阻，2CW56，工作电流选择 8mA，考虑负载电流 2 mA，通过 R 的电流为 10 mA，计算 R 值：R=IVzE=01.0810=200 C电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。VZ稳压输出电压。图 31 稳压二极管应用电路 2、实验设计 图 32 稳压二极管反向伏安特性测试电路 1)2CW56 反向偏置 07V 左右时阻抗很大，拟采用电流表内接测试电路为宜；反向偏置电压进入击穿段，稳压二极管内阻较小（估计为 R=8/=1K），这时拟采用电流表外接测试电路。结合图 31，测试电路图见图 32。实验过程 电源电压调至零，按图 32 接线，开始按电流表内接法，将电压表端接于电

3、流表端；变阻器旋到 1100后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据。当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明 2CW56 已开始进入反向击穿过程，这时将电流表改为外接式，按表31继续慢慢地将电源电压增加至10V。为了继续增加2CW56工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电压。数据记录 2CW56 稳压二极管正向伏安特性 电流表内接法 U(V)0 内接法 I（mA）0 0 0 电流表外接法 U(V)0 外接法 I（mA）0 0 0 2CW56 稳压二极管反向向伏安特性 图表 电流表内接法 U(V)0 2 4 6 7 内接法I（mA）0 0 0 电流表外接法 U(V)0 2 4 6 7 外接法I（mA）0 0 0 六、实验总结 当稳压二极管尚未反向击穿时其反向电阻很大，使用电流表内接法，电流表的内阻相对于稳压二极管而言，压降很小，可以忽略。当稳压二极管反向击穿后其反向电阻很小，使用电流表外接法，电压表相对于稳压二极管而言，分流很小，可以忽略。总之，二极管正向导通时电阻值很小，采用电流表外接法测试电路产生的误差较小，二极管反向导通时电阻值很大，采用电流表内接法测试电路产生的误差较小。姓名：姚春明 学号：实验时间：17 周周五 7、8 节