光催化课件:第三章 纳米氧化钛光催化原理.ppt
《光催化课件:第三章 纳米氧化钛光催化原理.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光催化课件:第三章 纳米氧化钛光催化原理.ppt(22页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、催化剂及催化作用简介:催化剂及催化作用简介:根据根据IUPAC1981年定义,能够加快反应的速度而年定义,能够加快反应的速度而不改变该反应的标准不改变该反应的标准Gibbs自由焓变化的物质。自由焓变化的物质。或加速化学反应趋于平衡,而自身在反应的最终或加速化学反应趋于平衡,而自身在反应的最终产物中不显示。产物中不显示。或在反应过程中,不会自始至终地将自身陷入。或在反应过程中,不会自始至终地将自身陷入。或能够与反应物相互作用,但是在反应终结时,或能够与反应物相互作用,但是在反应终结时,它保持不变。故不改变反应物系的初始态,不改它保持不变。故不改变反应物系的初始态,不改变反应的平衡位置。变反应的平
2、衡位置。第三章第三章 纳米氧化钛的光催化原理纳米氧化钛的光催化原理催化作用具备四个基本特征:催化作用具备四个基本特征:1、催化剂只能加速热力学上可以进行的反应,而不、催化剂只能加速热力学上可以进行的反应,而不 能加速热力学上无法进行的反应。能加速热力学上无法进行的反应。2、催化剂只能加速反应趋于平衡,而不能改变平衡、催化剂只能加速反应趋于平衡,而不能改变平衡 的位置(平衡常数)。的位置(平衡常数)。3、催化剂对反应具有选择性。当反应可能有一个以、催化剂对反应具有选择性。当反应可能有一个以 上的不同方向时,有可能导致热力学上可行的不上的不同方向时,有可能导致热力学上可行的不 同产物,催化剂仅加速
3、其中的一种,促进反应的同产物,催化剂仅加速其中的一种,促进反应的 速率与选择性是统一的。速率与选择性是统一的。4、催化剂的寿命。、催化剂的寿命。评价催化剂的评价催化剂的3个重要指标:个重要指标:活性、选择性和稳定性。活性、选择性和稳定性。对工业催化剂的要求:对工业催化剂的要求:1、活性和选择性指标、活性和选择性指标 活性:转化率、转化温度、空速、时空收率、反应活性:转化率、转化温度、空速、时空收率、反应 速率、比活性速率、比活性 选择性:消耗的原料中转化为目的产物的分率选择性:消耗的原料中转化为目的产物的分率2、稳定性和寿命指标、稳定性和寿命指标 工业生产条件下,催化剂的活性能够达到装置生产工
4、业生产条件下,催化剂的活性能够达到装置生产 能力和原料消耗定额的允许使用时间。能力和原料消耗定额的允许使用时间。也可指活性下降后经再生,活性又恢复的累计使用也可指活性下降后经再生,活性又恢复的累计使用 时间。时间。3、环境友好和自然界的相容性、环境友好和自然界的相容性其它:粒度、外形、导热、比热容、制造工艺、再生性其它:粒度、外形、导热、比热容、制造工艺、再生性 等等异相光催化异相光催化:反应多数发生在界面,即催化剂表面。:反应多数发生在界面,即催化剂表面。催化光反应催化光反应:光辐射被吸附分子吸收时,该分子与基态催化:光辐射被吸附分子吸收时,该分子与基态催化 剂相互作用。剂相互作用。敏化光反
5、应:敏化光反应:光辐射发生在催化剂上,处于激发态的催化,光辐射发生在催化剂上,处于激发态的催化,将电子或能量转移给基态的吸附分子。将电子或能量转移给基态的吸附分子。TiO2表面性质和结构对反应有重要影响。催化剂表面存在表面性质和结构对反应有重要影响。催化剂表面存在 的晶格缺陷对光催化反应是必要的。的晶格缺陷对光催化反应是必要的。TiO2表面有表面有3种氧缺陷:晶格空位、单桥空位和双桥空位。种氧缺陷:晶格空位、单桥空位和双桥空位。TiO2表面能吸附多种无机分子:如表面能吸附多种无机分子:如CO、SO2、NO、NH3等等 有机分子:如甲烷、甲醇、苯酚、氯代烃等。有机分子:如甲烷、甲醇、苯酚、氯代烃
6、等。表面缺陷越多的表面缺陷越多的TiO2表面越容易吸附气体分子。而结构近表面越容易吸附气体分子。而结构近乎完美的乎完美的TiO2表面,不能吸附表面,不能吸附SO2、NH3分子。分子。制成纳米颗粒或薄膜的制成纳米颗粒或薄膜的TiO2,尺寸减少的优势在于对紫外,尺寸减少的优势在于对紫外光的吸收边蓝移,禁带宽度增加,产生更大的氧化还原电位光的吸收边蓝移,禁带宽度增加,产生更大的氧化还原电位 而向底物的电荷转移和溶剂重组自由能保持不变,这会增而向底物的电荷转移和溶剂重组自由能保持不变,这会增加电荷的转移速率常数,提高量子产率和光催化反应效率。加电荷的转移速率常数,提高量子产率和光催化反应效率。3.1
7、氧化钛的能带结构氧化钛的能带结构 半导体粒子具有能带结构,一般由填满电子的低能价带(半导体粒子具有能带结构,一般由填满电子的低能价带(Valence band,VB)和)和空的高能导带(空的高能导带(Conduction band,CB)构成,价带和构成,价带和导带之间存在禁带。电子填充时,优先从能量低的价带填起。氧化钛是导带之间存在禁带。电子填充时,优先从能量低的价带填起。氧化钛是宽禁带半导体。金红石相禁带宽度宽禁带半导体。金红石相禁带宽度3.0eV,锐钛矿相锐钛矿相3.2eV。半导体的吸光阈值半导体的吸光阈值 g与禁带宽度与禁带宽度Eg有密切关系:有密切关系:g(nm)1240/Eg(eV
8、)多数半导体的吸收波长阈值都在紫外区,不吸收可见光,因此它们多数半导体的吸收波长阈值都在紫外区,不吸收可见光,因此它们多数是透明的。对锐钛矿多数是透明的。对锐钛矿TiO2(pH1),),g 387nm。吸收阈值越小,半导体禁带宽度越大,则产生的光生电子和空穴的吸收阈值越小,半导体禁带宽度越大,则产生的光生电子和空穴的氧化还原电势越高。氧化还原电势越高。热力学允许的光催化氧化还原反应:要求受体电势比热力学允许的光催化氧化还原反应:要求受体电势比TiO2导带电势导带电势低(更正);给体电势比低(更正);给体电势比TiO2价带电势高(更负)。价带电势高(更负)。导带导带价带价带3.2 化合物半导体的
9、光催化原理化合物半导体的光催化原理 与与金金属属不不同同,半半导导体体粒粒子子的的能能带带间间缺缺少少连连续续区区域域,光光生生电电子子空空穴穴对对有有皮皮秒秒级级寿寿命命,足足以以使使光光生生电电子子空空穴穴对对经经由由禁禁带带,向向来来自自溶溶液液或或气气相相的的吸吸附附在在半半导导体体表表面面的的物物种种转转移移电电荷荷。空空穴穴可可以以夺夺取取被被吸吸附附物物种种或或溶溶剂剂中中的的电电子子,使使原原本本不不吸吸收收光光的的物物质质被被活活化化、氧氧化化;电电子子受受体体通通过接受表面电子而被还原。过接受表面电子而被还原。强作用弱作用X1由强束缚态来代表的总表面态的份数;由强束缚态来代
10、表的总表面态的份数;X2由弱束缚态来代表的总表面态的份数;由弱束缚态来代表的总表面态的份数;K1表观表面键常数表观表面键常数K2表观表面键常数表观表面键常数 CHCl3与两个不同的组态连接。试验测得与两个不同的组态连接。试验测得X12、X298、K1104 mol-1、K21 mol。当当CHCl3 1mmol时,只有强束缚态(即时,只有强束缚态(即K1)主宰着吸附;当主宰着吸附;当CHCl3 1mmol时,反应率是由弱束缚态的活性能(即时,反应率是由弱束缚态的活性能(即K2作用)作用。作用)作用。在表面成键位置在表面成键位置1,Cl与与C成键带有少量负电荷,而成键带有少量负电荷,而TiO2空
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 光催化课件:第三章 纳米氧化钛光催化原理 光催化 课件 第三 纳米 氧化 原理
限制150内