毕业设计(论文)_Fe2O3_ZnO复合纳米粒子的制备及其光催化性能.doc
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1、本科毕业论文设计题目:Fe2O3-ZnO复合纳米粒子的制备及其光催化性能院系理学院专 业化 学年 级2007姓 名学 号指导教师职 称教授2011 年 06 月 13 日目 录摘 要1Absaract2第一章 绪 论31.1 半导体光催化技术3半导体光催化反响机理3半导体光催化的研究现状4半导体光催化存在的问题及开展趋势51.2 纳米ZnO光催化材料6纳米ZnO的晶体结构6纳米ZnO的应用6纳米ZnO的制备方法7提高ZnO光催化性能的途径71.3 纳米Fe2O3的研究8纳米Fe2O3的晶体结构8纳米Fe2O3的应用9纳米Fe2O3的制备方法91.4 本文研究思路及内容11第二章 实验局部122
2、.1 仪器与药品12主要实验仪器12主要实验药品122.2 实验内容13纳米ZnO和Fe2O3粒子的制备13复合纳米粒子-Fe2O3-ZnO的制备13光催化活性测试132.3 测试仪器与方法13射线衍射测试13紫外-可见漫反射测试13光伏测试14扫描电镜测试14原子荧光测试14第三章 结果分析与讨论153.1纳米 ZnO的谱图分析15纳米ZnO的XRD谱图分析15纳米ZnO的SEM图分析17纳米ZnO的PL谱图分析17纳米ZnO的光催化活性测试183.2 纳米Fe2O3的谱图分析19纳米Fe2O3的XRD谱图分析19纳米Fe2O3的光催化活性测试213.3 Fe2O3-ZnO复合纳米粒子的谱图
3、分析21复合样品的XRD谱图分析213.3.2 样复合品的SPS谱图分析22复合样品的光催化活性测试23结 论24参考文献25致 谢27摘 要 氧化锌是一种较具有代表性的宽带隙半导体。由于其作为光催化剂存在光腐蚀现象,如何来解决氧化锌的稳定性问题,同时来拓展其可见光响应范围,成为近年来人们研究的热点,其中利用窄带隙与宽带隙半导体复合是有效的改性手段之一。本文通过相别离溶剂热法成功地合成了ZnO和Fe2O3纳米粒子,并利用湿法将二者复合。利用XRD、SPS、PL、SEM等手段对样品进行了表征。重点考察复合样品可见光的光催化活性。研究结果显示:氨水的引入对ZnO的生成有促进作用,而且能够提高Fe2
4、O3的晶化度。 利用湿法构筑的Fe2O3-ZnO复合体系,可以显著提高Fe2O3可见光的光催化活性。这与ZnO作为电子受体,使得Fe2O3电子-空穴别离效率得到提高有关。关键词:光催化剂;湿法复合;相别离溶剂热;光生载流子Absaract Zinc oxide is a kind of representative broadband gap semiconductor. There exists light corrosion phenomena because it is a kind of light catalyst. How to solve the stability proble
5、m of zinc oxide, and to expand the scope of response to visible light have attracted the attention of people in recent years. Compounding narrowband gap semiconductor and broadband gap semiconductor is one of the effective means of modification. The paper synthesized ZnO and Fe2O3 nanoparticles thro
6、ugh the phase separation - solvent thermal method successfully, and compounded the above nanoparticles through wet method,and investigated the samples by means of XRD, SEM, PL and SPS.The light catalytic activity of the compound samples in the scope of visible light was investigated in this paper es
7、pecially. The results shaw that introduction of ammonia had an active effect on the production of ZnO and improved crystallization degree of Fe2O3 . Fe2O3-ZnO complex system through wet method could significantly enhance the photocatalytic activity of Fe2O3 in the scope of visible light. ZnO as elec
8、tron acceptor, could improve the electron-cavity separation efficiency of Fe2O3. Keywords: light catalyst; Wet compound; Separation solvent hot; photocarrier 第一章 绪 论1.1 半导体光催化技术随着人类开展和社会进步,环境污染和能源短缺是当今世界人们最关心的两大问题。为此太阳能的开发成为解决问题的关键,而作为其中重要局部的半导体光催化技术有望成为解决环境问题和能源问题的有效方法,因而通过将太阳能转化为洁净氢能的光解水技术将能彻底解决能源
9、枯竭带来的危机,而光催化降解有机污染物将成为解决环境污染的一条廉价可行途径1,2。 半导体光催化反响机理根据固体能带理论,与具有连续电子态的金属不同,半导体的能带是不连续的,其价带和导带之间存在着禁带。用作光催化剂的半导体大多是金属氧化物和硫化物,一般具有较大的禁带宽度。当半导体受到光子能量高于其吸收阀值的光线照射时,其价带的局部电子就会从价带跃迁到导带,从而可以在导带和价带分别形成光生电子和空穴。光生电子和空穴生成之后,会经历多个变化途径,主要是复合和输运捕获两个竞争的过程3。图1-1 半导体光催化反响机理及主要基元反响步骤 图1-1显示出半导体在受到能量大于或等于其能带宽度的光辐射后电子由
10、价带至导带的激发过程。由图所示,激发后别离的电子和空穴分别有多种可进一步反响的途径。图中途径2代表光生电子和空穴的体内再复合,电子-空穴对向半导体外表的迁移会引起光生电子与催化剂外表吸附的有机、无机物或溶剂发生电荷转移4,5。其过程可由下式表示以TiO2为例:TiO2 + h(Eg) e- + h+e- + h+ TiO2 热能或光能h+ + D D+e- + A A+在半导体外表附在粒子外表的溶解氧和水分子发生作用,产生能量传递,最终形成具有高活性和强氧化性的羟基自由基OH和超氧化物自由基O2,该过程如下所示:OH- + h+ OHH2O + h+ OH + H+e - + O2 O2-OH
11、 + org(有机物) CO2 + H2OO2- + org(有机物) CO2 + H2O 半导体光催化的研究现状自1972年Fujishima和Honda发表了关于TiO2电极上光解水的论文6可以看作一个光催化研究的开始,此后来自化学、物理、环境、材料等领域的研究工作者们就围绕着太阳能储存与转化、光化学合成等课题,详细开展了对光催化过程机理的探索。最近10年来,半导体光催化在环保、健康等方面的应用得到迅速的开展。目前广泛研究的半导体光催化剂大多数是属于宽禁带的n型半导体化合物,如CdS、SnO2、TiO2、ZnO、ZnS、SrTiO3、V2O5、WO3和MoSi2等。其中,研究的焦点集中在提
12、高其光催化效率以及催化剂固定化等问题上,半导体的光催化特性已经被许多研究所证实,但还存在以下主要缺陷:用作光催化剂的半导体材料一般光吸收波长在紫外区,利用太阳光的比例低;半导体载流子e-和h+的复合率高,因此量子效率低。催化剂是光催化反响的内因,光催化剂的改性是大大提高光催化反响速率的可靠途径7-8。所以,如何提高催化剂的活性是光催化反响首要解决的问题。目前,有数种常用的半导体光催化剂的改性技术,主要包括过渡金属离子掺杂、非金属离子掺杂、贵金属沉积、外表敏化、半导体光催化剂的复合和其它新型光催化剂的开发等。其中,半导体复合是指由两种或两种以上物质在纳米尺度上以某种方式结合在一起而构成的复合粒子
13、,当两种或两种以上的半导体形成具有一定微观结构的复合体系后,其光化学,光物理方面的性质都会产生很大的改变9。将两种能带位置适合的半导体材料复合而制备出的光催化剂,不仅可以提高光生电荷的别离效果,而且可以扩大光吸收波长的范围,所以半导体复合是提高光催化性能的一条有效途径。半导体光催化存在的问题及开展趋势 污染物的光催化氧化作为近十几年开展起来的新的研究领域,到目前为止,仍未有完全大规模工业化的太阳光催化氧化技术的应用。目前国外一些国家已经开始将太阳光催化氧化进行小流量的现场试验以及应用于小型废水处理,并逐步考虑将其商业化10。而国内对太阳光催化氧化的研究主要还停留在实验室阶段。光催化氧化作为一项
14、很有前途的水处理技术仍不成熟,还存在一些问题,归纳起来有如下几点: 根底理论研究问题,在根底理论研究方面,目前对光催化反响机理的研究仍停留在设想与推测阶段,如对半导体掺杂作用机理,光生电子的移动和再结合规律,有机物反响活性与分子结构的关系、中间产物和活性物种的鉴定等等,还要继续探讨与深入研究。 大局部半导体光催化剂的催化效率不算太高,催化活性有待进一步提高。如前所述,提高光催化效率可以从两方面入手:一是缩小半导体光催化剂的粒径,即实现半导体光催化剂的粒子的超细化,以期增加外表原子数目,提高光吸收效率,从而增加外表光生载流子的浓度,来提高催化活性;二是通过敏化、掺杂、外表修饰以及在外表沉积金属或
15、金属氧化物以及复合半导体等手段来阻止电子-空穴对的复合,来提高催化效率。 虽然已开发的光催化剂有很多种,但是大局部光量子效率不高,对光的响应范围狭窄,在可见光区的催化能力很低、不稳定,因此对已有体系的掺杂改性及研制新型高效催化剂以实现在可见光区具有很高的光催化性能,充分利用太阳能源将是光催化研究的一个重要方向,寻找新型的可以高效利用日光的光催化剂是光催化氧化技术实用化急需解决的问题,也是该领域研究的重点。半导体光催化剂的固化技术需要完善。光催化剂的固定和再生是光催化氧化技术的一个关键。寻找适宜的载体和固定化方法,制备负载型催化剂,利用载体和催化剂的复合功能,例如使用具有吸附功能的载体,将吸附、
16、降解、别离有机地结合起来,克服悬浮相催化氧化中催化剂易凝聚且难以回收、活性成分损失大等缺点。所以,半导体催化剂光催化过程要真正在实际生产中得到应用,迫切需要继续研究新型光催化剂。光催化氧化技术作为一项很有前途的水处理技术还有大量的工作要做。1.2 纳米ZnO光催化材料 纳米ZnO的晶体结构图1-2aZnO的纤维锌矿结构模型 bZnO的极性面结构ZnO晶体结构为六方晶系P63mc空间群,Zn2+离子的配位数为4,O2-离子的配位数也是4,属于纤锌矿结构,见图1-2。O2-离子按六方紧密堆积排列,Zn2+离子充填于二分之一的四面体空隙中。按ZnO的r+/r-值,Zn2+离子的配位数应为6,应属于N
17、aCl型结构。而实际上,ZnO是纤锌矿结构,Zn2+离子配位数为4,其原因是ZnO中离子极化,使r+/r-值下降,从而导致配位数和键性的变化。分子结合的类型介于离子键与共价键之间,d(Zn-O)=0.194nm,C轴方向有极性10。 纳米ZnO的应用纳米ZnO作为一种崭新的新的材料,它在光学、电学以及生物医学等方面表示出了独特的性质。由于小尺寸效应和量子尺寸效应诱导光吸收带的蓝移,使ZnO产生宽频带紫外强吸收能力,对UVA(长波320-400nm)和UVB(中波280-320nm)均有屏蔽作用。又由于纳米ZnO粉体还具有高透明度,高分散性等特点,从而用来设计新型的紫外屏蔽,紫外光过滤,抗老化,
18、抗降解的新型材料18-20。ZnO具有较满意的热红外发射率,作为红外辐射材料,可望在节能、太阳能转换以及红外隐身21等方面有很重要的应用前景。ZnO的直接理想带隙(3.3ev)能传递大多数有效的太阳能辐射,所以被广泛用在太阳能电池上。而且由于ZnO膜在氢等离子体上的高度稳定性,可很好的替代In和SnO2在无定性硅太阳能电池的传导电极22。 纳米ZnO的制备方法 气相法制备技术气相法是直接利用气体或者通过各种手段将物质变成气体,使之在气体状态下发生物理变化或化学反响,最后在冷却过程中凝聚长大形成纳米微粒的方法11。气相法又大致可分为:气体蒸发法、化学气相反响法、化学气相凝聚法和溅射法等12,其中
19、各种方法又可以根据不同的分类标准细分为很多方法。运用激光诱导化学气相沉淀法(LICVD)制得了小于1m的ZnO纳米颗粒,Runwu运用激光加热法制得了直径40nm、棒长500nm的针状纳米ZnO。气相法具有能量转换效率高,粒子大小均匀且不团聚,可获得单一或混合金属氧化物、碳化物或硅化物纳米粉体,己经实现工业规模制备。 液相法制备技术液相法制备纳米微粒的方法包括沉淀法、水解法、喷雾法、水热法、乳液法、溶胶-凝胶法等等,其共同特点是以均相的溶液为出发点,人们系统研究了均匀沉淀法制备纳米ZnO,并且有的己经工业化生产13-16。 固相制备技术物理方法包括熔融骤冷、气相沉积、溅射沉积、重离子轰击和机械
20、粉碎等,这些方法制得的粒子粒径易控制,但因所需设备昂贵而限制了它的广泛使用,且很难得到1-100nm的纳米级粉体17。一般来说,固相合成是将金属盐或金属氧化物按一定比例充分混合、研磨后进行锻烧,通过发生固相反响直接制得纳米粉末。采用室温固相反响和微波辐射技术来制备纳米ZnO,具有工艺简单、能耗低、无需溶剂、产率高以及制备条件温和等优点,而且还可以克服制备过程中固体物易团聚而使粒径增大的缺点,工业生产前景十分乐观。但是与化学法相比,固相法污染程度大、粒径大,很难得到单分散性较好纳米级粉体。提高ZnO光催化性能的途径ZnO作为一种宽带隙半导体光催化剂,如图1-3其导带位置稍高于TiO223,具有更
21、高的复原氧气的能力,同时具有价格低廉,形貌更易于调控等优点得到了广泛的关注。图1-3 半导体的能带结构但是由于ZnO的光腐蚀作用使得光生空穴能将其自身氧化生成氧气,ZnO不稳定。同时,ZnO主要对紫外光区有响应,光量子利用率低,光生载流子别离效率低限制了它的实用化。因此,利用复合方法是实现ZnO稳定性及拓展ZnO光响应范围的有效手段。Kudo等人24把固相ZnO和In2O3混合在 1620K温度下烧结68h形成了平板结构类似于超晶格化合物In2O3(ZnO)m实验发现产物光响应范围发生红移,如复合形成的半导体催化剂In2O3(ZnO)3和In2O3(ZnO)9的带宽分别为2.6eV和2.7eV
22、,都小于复合前的In2O3和ZnO的带宽。作者还发现在可见光的激发下In2O3(ZnO)m可以裂解甲醇水溶液生成H2,而在硝酸银水溶液中可以生成O2。Sakthivel等25分别合成了-Fe2O3/ZnO、WO3/ZnO和CdS/ZnO光催化剂,并考察了它们对水中二氯乙酸(DCA)的光催化效果。它们的复合均提高了对可见光的利用效率,并且复合后相对于纯ZnO光催化活性大大提高。1.3 纳米Fe2O3的研究 纳米Fe2O3的晶体结构铁位于周期表第四周期第族。元素符号Fe,原子序数26,是一种重要的过渡元素。纯铁很容易被氧化,所以铁在自然界中一般以赤铁矿Fe2O3、磁铁矿Fe3O4、褐铁矿2Fe2O
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