(精品)课程小结.ppt

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1、课程小结课程小结余 华重庆大学光电工程学院课程小结课程小结1.描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义其物理含义n集成度(Integration Level）n特征尺寸(Feature Size)n晶片直径(Wafer Diameter)n芯片面积(Chip Area)n封装(Package)2.简述集成电路发展的摩尔定律及其你的理解。简述集成电路发展的摩尔定律及其你的理解。3.集成电路常用的材料有哪些？集成电路常用的材料有哪些？4.集成电路按工艺器件结构类型分为哪几类，集成电路按工艺器件结构类型分为哪几类，各有什么特点。各有什么特点。5解释基

2、本概念解释基本概念n微电子、集成电路、集成度、场区、有源区6解释一些英文缩写词解释一些英文缩写词n IC、VLSI、ULSI、CMP、CVD、LPCVD、RIE、SOI等7集成电路工艺（集成电路工艺（integrated circuit technique）概）概念念n指把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。8.集成电路按工艺方法分为集成电路按工艺方法分为:n双极型工艺、CMOS工艺、BiCMOS9.集成电路制造流程集成电路制造流

3、程n集成电路制造工艺图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上10.掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等需要的位置上，形成晶体管、接触等11.制膜：制膜：制作各种材料的薄膜12.光刻三要素：光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机q光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体q光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变13.正胶：正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶14.负胶：负胶：分辨率差，适于

4、加工线宽3m的线条15.几种常见的光刻方法几种常见的光刻方法q接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。q接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(1025m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低q投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式16.超细线条光刻技术超细线条光刻技术q极远、甚远紫外线(VeryExtreme ultraviolet lithography,VUVEUV)(2215nm)q电子束光刻(electron beam lithography),(小于10nm)qX射线(X Ray Lithograph

5、y)（0.01nm 10nm）q离子束光刻(Ion Beam Lithography)(50nm)17.刻蚀技术（刻蚀技术（etching technique）：）：是在半导体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。18.湿法刻蚀湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法19.干法刻蚀：干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的20.掺杂：掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电

6、阻、欧姆接触21.磷磷(P)、砷、砷(As)N型硅22.硼硼(B)P型硅23.掺杂工艺：掺杂工艺：扩散、离子注入24.退火：退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。25.25.集成电路工艺划分集成电路工艺划分n前工序前工序q图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术q薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发)等q掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术n后工序后工序q划片q封装q测试q老化q筛选26.氧化硅层的主要作用氧化硅层的主要作用n在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分n扩散时的掩蔽层，离子注

7、入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层n作为集成电路的隔离介质材料n作为电容器的绝缘介质材料n作为多层金属互连层之间的介质材料n作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料27.SiO2的制备方法的制备方法n热氧化法q干氧氧化q水蒸汽氧化q湿氧氧化q干氧湿氧干氧(简称干湿干)氧化法q氢氧合成氧化n化学气相淀积法n热分解淀积法n溅射法28.集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用用29.简述光刻的工艺过程简述光刻的工艺过程30.隔离技术隔离技术nPN结隔离n场区隔离n绝缘介质隔离n

8、沟槽隔离31.设计制备设计制备NMOSFET的工艺，并画出流程图的工艺，并画出流程图32.MEMS定义定义:n从广义上讲，MEMS是指集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源于一体的微型机电系统33.硅栅硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系工艺版图和工艺的关系nN阱做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底n有源区做晶体管的区域（G,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层n多晶硅做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。n有源区注入P+,N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入n 接触孔多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。n 金属线1做金属连线，封

9、闭图形处保留铝n 通孔两层金属连线之间连接的端子n 属线2做金属连线，封闭图形处保留铝34.MOS器件的对称性器件的对称性n把匹配器件相互靠近放置n保持器件相同方向n增加虚拟器件提高对称性n共中心n器件采用指状交叉布线方式35.P阱阱CMOS与与N阱阱CMOS相比有什么不同相比有什么不同?36.埋层有什么作用埋层有什么作用?说明埋层与衬底掺杂类型、说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。掺杂浓度之间的关系。37.CMOS集成电路有哪些特点集成电路有哪些特点?38.简述简述N阱阱CMOS的工艺流程。的工艺流程。39.干氧氧化与湿氧氧化分别有什么优缺点干氧氧化与湿氧氧化分别有什么优缺点?40.学会绘制和认识一些电路的版图。学会绘制和认识一些电路的版图。n集成电路工艺与版图课程成绩评定办法1.期末考试（笔试：50%）2.上机完成两个题目的版图绘制（20%）3.平时成绩（30%）