SiC电力电子技术综述.pdf
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SiC 电力电子技术综述 李宇柱【期刊名称】固体电子学研究与进展【年(卷),期】2011(31)3【摘 要】与硅相比,4H-SiC 材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来 SiC 电力电子器件性能不断提高。回顾了 SiC 电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题。笔者认为 SiC JBS 二极管和 MOSFET 将成为 SiC 的主流器件,将在今后十年内获得长足的发展。【总页数】6 页(P213-217)【关键词】4HSiC;电力电子器件【作 者】李宇柱【作者单位】南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京 210016【正文语种】中 文【中图分类】TN311.8;TN304.054【相关文献】1.电力电子技术与谐波抑制、无功功率补偿技术研究综述 J,沈学良 2.有载分接开关中电力电子技术应用综述 J,宋冬冬;程林;林志法;范京明;杜海江 3.综述现代电力电子技术在电力系统中的发展现状 J,杨涛 4.综述现代电力电子技术在电力系统中的发展现状 J,吴登文 5.现代电力电子技术在电力系统中的应用综述 J,张斌 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买
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