中国微处理器(CPU)技术的进展.pdf
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1、 中国微处理器(CPU)技术的进展 一 微处理器技术现状和发展趋势 目前国际上微处理器的发展出现一些明显的趋势。一是研制微处理器的公司在市场的洗牌中越来越集中到少数几家,早期的 DEC、SGI、HP 等微处理器研制企业已经从微处理器的市场竞争中退出,IBM 和 SUN 公司的市场份额在萎缩,Intel 和 AMD 的 X86 微处理器有一家独大的趋势。二是单处理器性能的继续提高在主频、结构和功耗等方面都碰到了明显的障碍,微处理器厂商纷纷推出多核结构的微处理器,多核成为微处理器发展的主流,摩尔定律的发展表现为芯片上处理器核的数目每 23 年翻一番。三是微处理器集成度不断提升,集成在微处理器上的功
2、能越来越多,集成的功能模块包括北桥、南桥、显卡和网卡等,处理器芯片由原先的微处理器发展到系统芯片(SOC),并最终发展成“片上计算机”。四是微处理器厂商开始从单纯追求高性能,转向追求能耗有效性下的高性能以及适度性能的低功耗,性能功耗比成为衡量微处理器的一个重要指标。(一)国际主流厂商的微处理器发展现状 国外微处理器厂商主要包括 IBM、Intel、AMD 和 ARM 公司。下面分析各公司的主要产品和发展现状。IBM 公司的微处理器主要为 Power 系列处理器,用于其高性能服务器和高性能计算机。IBM于 2001 年发布了双核的 Power4,片内集成两个超标量的类 Power3 处理器核。2
3、004 年 IBM发布了 Power5 双核同时多线程微处理器。2007 年 IBM 发布了双核的 Power6,采用 65nm SOI 工艺,主频高达 46GHz。2010 年 IBM 推出 Power7 八核处理器,采用 45nm 工艺,每个核支持四个线程,每个处理器核的性能达到32GFlops。Intel 公司的微处理器主要包括安腾和 X86 系列,其中安腾系列用于服务器,X86 系列用于桌面和服务器。2008 年 Intel 发布了四核的安腾处理器 Tukwila。2006 年 Intel 推出了基于 Core 构架的 X86 处理器 Conroe。2008 年 Intel 推出基于
4、Nehalem 结构的四核处理器。2009 年 Intel 公布了基于 Nehalem 结构的八核至强处理器。2009 年底 Intel 推出了把 CPU和 GPU 封装在一起的多核处理器(Core i7),其中 CPU 采用 32nm 工艺。2012 年 Intel 将推出采用 22nm 工艺的 816 核 Sandy bridge 处理器。另外,针对低成本电脑和移动计算领域的应用,2008 年 Intel 推出了 Atom 微处理器,主要用于移动网络设备、低成本电脑。AMD 公司于 2007 年推出基于 K10 结构的四核处理器 Barcelona,2009 年下半年推出代号为Istanb
5、ul 的六核 45 纳米 Opteron 处理器。AMD 将于 2011 年推出 1216 核的 Interlagos 处理器,以及集成处理器核和图形显示核心的融合加速处理器 Fusion。另外,在移动计算和低成本电脑领域,AMD 推出了 Bobcat 处理器。ARM 公司的产品是处理器 IP 核,其主要业务是通过设计出高效的 IP 核,授权给半导体公司使用。ARM 的产品包括 ARM7、ARM9、ARM10、ARM11 和 Cortex 系列等。ARM 系列产品占据了32 位嵌入式处理器 75%的比例,在手机等移动终端领域更是处于垄断地位。2009 年 ARM 推出 Cortex A8 以及
6、多核的 Cortex A9,采用超标量和乱序执行技术,主频可以达到 12GHz,开始主攻上网本和高端消费类电子市场。(二)微处理器工艺和材料技术发展趋势 据 2009 年国际半导体技术发展路线图(ITRS),未来 10 年集成电路在晶体管尺寸方面仍将按摩尔定律发展,并在 2020 年左右遭遇物理极限。据预测 2012 年将采用 22 纳米的工艺,2015 年将采用 17 纳米的工艺,2017 年将采用 14 纳米的工艺,2020 年将采用 10 纳米的工艺。2013 年高性能微处理器芯片上可集成的晶体管将超过88 亿个,片上局部时钟频率将达到 7.3GHz;2020 年高性能微处理器芯片上可集
7、成的晶体管将超过353 亿个,片上局部时钟频率将达到 16GHz。工艺发展到纳米级时,晶体管的工作电压难以再线性降低,连线延迟成为主要的电路延迟,漏电功耗随着晶体管阀值电压的降低而指数增长。器件特性的变化和功耗密度的持续攀升成为对包括微处理器在内的芯片设计的重要挑战。通过采用新技术和新工艺来克服这些困难可以延续摩尔定律。65 纳米制造工艺采用了多项新技术和新工艺,包括应变硅、绝缘硅、铜互连技术、低 K 介电材料等。最近 45 纳米和 32 纳米工艺采用高 k 介质和金属栅材料的技术是晶体管工艺技术的又一个重要突破。这种技术打开了通往特征尺寸22 纳米工艺的通路。工艺尺寸的缩小和晶体管数量的增加
8、也依赖于刻蚀技术的进步。目前使用的可见光光刻技术已经达到物理极限,极远紫外线光刻是其替代技术。浸没式光刻技术与现有的光刻技术兼容性好,工艺和装备变动不大,许多公司开始采用浸没式光刻技术。在过去的 40 多年中,半导体工业的发展突破了一个又一个看似不可能跨越的瓶颈,神奇地遵循着摩尔定律,这一切都得益于生产技术的不断进步。可以预计在未来10 年各种新工艺和新材料将会继续促进半导体工业的发展。(三)微处理器结构发展趋势 目前,微处理器结构正越来越向两条技术路线集中。一方面,面向服务器和高性能计算机的多核处理器性能还需要进一步提高,云计算的兴起给多核处理器带来新机遇的同时也提出了新要求。另一方面,面向
9、个人电脑和终端类应用的微处理器在性能适用的前提下不断降低成本和功耗并融合新的功能。在高性能处理器方面,在 20 世纪初微处理器遭遇功耗瓶颈,使得单核结构不能继续延续高主频和高复杂设计,导致多核结构的出现;而随着片内处理性能的进一步提高以及 IO 带宽的有限增加,导致结合一定领域需求的 XPU 开始盛行,处理器核加向量处理器(VPU)和图形处理器(GPU)等属于这类结构。上述从单核向多核的转变以及从 CPU 向 XPU 的转变其本质都是在物理实现技术的限制下,为了提高性能而牺牲微处理器的通用性和可编程性。多核(几个到几十个核)和众核结构(几百或更多核)已经成为微处理器的主流结构。在多核处理器方面
10、,桌面处理器一般集成 28 个超标量处理器核,服务器的处理器将集成越来越多的处理器核,几年内将达到 16 个处理器核以上;面向高吞吐应用(如网络和媒体应用)的处理器集成的处理器核可能更多。众核芯片通常适用特定的应用领域,如生物计算、虚拟现实、模式匹配、搜索、生物特征识别、图形处理和机器学习等。多核和众核结构的主要研究内容包括:多核和众核的拓扑结构研究,处理器核之间的通信机制研究,片上 Cache一致性协议的研究,线程的管理机制研究等。随着微处理器的处理能力进一步提高,处理器的带宽越来越成为影响其性能的瓶颈。由于处理器的引脚个数以及每个引脚的传输速率不可能像处理器运算能力一样指数增加,处理器越来
11、越成为“茶壶里煮饺子”的怪物。为了在有限带宽下不断提高微处理器的性能,结合特定高性能应用采用固定数据通路的 XPU 开始盛行。近几年 GPU 的兴起实际上就是针对有些对带宽要求不是很高的应用进行专门的设计以提高性能。有些处理器则通过增加 SIMD 结构的向量部件来提高性能,如 Intel 最新的 AVX(Advanced Vector eXtension)指令系统结构可以采用 256 位通路同时进行 4 个 64 位或 8 个 32 位的运算。还有的 XPU 会采用异构结构或可重构结构,即在处理器中集成若干个不同的处理器核,有的计算能力比较强(称为粗粒度核),有的计算能力比较弱(称为细粒度核)
12、,分别适用于不同类型应用,通过多个处理器的重构来应对不同的应用。当前面向高性能计算的处理器已经实现了片上千亿次计算能力,五年之内片上万亿次计算的处理器将成为国际高性能计算市场的主流。在面向个人电脑和终端类应用的微处理器方面,随着云计算的兴起以及三网融合的加速,个人计算机用的微处理器将从一味追求高性能向理性地追求适用性能下的低成本和低功耗发展,在单片内融合多种功能也是这类微处理器的发展趋势。未来集成在微处理器上的功能越来越多。一方面,通过把 CPU、GPU 以及南北桥的功能集成在单片上来降低成本和功耗,简化设计和降低整个系统的成本;另一方面,计算机、通信和消费类电子产品的互联互通,是未来信息产业
13、发展的大趋势,它包括设备内部 3C 融合和设备之间的互联互通。手机的功能越来越强,变成一个具备网络和多媒体功能的智能电脑终端;笔记本电脑也越来越便携,将具备手机的功能;数字电视除了传统的电视功能外,还将可以用于上网。二 中国微处理器技术的发展状况(一)国内制造和工艺发展现状 我国已初步形成设计、芯片制造和封测三业并举、协调发展的格局。半导体设备材料的研发和生产能力不断增强。在设备方面,90 纳米等离子刻蚀机和大角度等离子注入机等设备研发成功,并投入生产线使用。在材料方面,已研发出12 英寸硅单晶,硅晶圆和光刻胶的国内生产和供应能力不断增强。技术创新能力与国外先进水平之间的差距不断缩小。从最初的
14、 3 英寸生产线,发展到目前的 12 英寸生产线,IC 制造工艺向深亚微米挺进,研发了不少工艺模块,先进加工工艺已达到65nm。封装测试水平从低端迈向中高端,在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先进封装形式的开发和生产方面取得了显著成绩。制造代工企业融入全球产业竞争,涌现出中芯国际、华虹NEC、宏力半导体、和舰科技、台积电(上海)、上海先进等 IC 制造代工企业。这些企业纷纷进入国际市场,融入全球产业竞争。中芯国际是世界领先的芯片代工企业之一,是国内规模最大、技术最先进的芯片代工企业。中芯国际在上海、北京、天津、成都建有3 座 12 英寸工厂和 4 座 8 英寸工厂和
15、 1 座封装测试厂。中芯国际提供 0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、90 纳米、65 纳米和 45 纳米工艺设计和制造服务,包括逻辑电路、混合信号/CMOS 射频电路、高压电路、系统级芯片、动态存储器、闪存存储器等。中芯国际已经获得IBM 授权的 45 纳米 CMOS 逻辑技术平台,是国内第一家提供最先进 45 纳米制程的芯片代工厂。上海宏力半导体也是一家从事集成电路制造的专业代工企业,已建成3 座 12 英寸规格的厂房。宏力半导体能提供包含通用、低压、低功耗工艺在内的0.25/0.18/0.15微米的各种逻辑工艺技术平台。宏力半导体正在开发0.13 微米/0.11 微米铝金属连
16、线逻辑工艺,可满足低速、低成本的 0.13 微米产品的应用需求。(二)中国微处理器发展现状 通过“十五”和“十一五”期间的发展,在国家的大力支持下,我国在微处理器设计方面已经有了一定的基础,在微处理器研制方面取得了群体性发展。在单核处理器的研发方面达到世界先进水平,并快速切入多核处理器的研发。研制出多款通用微处理器和嵌入式微处理器,包括中科院的“龙芯”、上海高性能集成电路设计中心的“申威”、国防科大的“飞腾”、北京大学的“众志”,苏州国芯的“C*Core”等。有的处理器在结构设计方面已经达到国际先进水平,例如采用超标量技术和多核技术等,在应用推广和产业化方面也进行了有益的尝试并取得了可喜的进展
17、,但总体上国产微处理器产品还缺乏国际竞争力。龙芯系列 CPU。中国科学院计算技术研究所于 2001 年初开始研制龙芯系列处理器,在过去的九年中,龙芯的研发取得了持续的进展。2002 年 8 月研制成功的龙芯 1 号是国内第一款32 位通用 CPU,2003 年 10 月研发成功的龙芯 2 号是国内第一款 64 位通用 CPU。此后经过持续改进和优化,2007 年研发成功的龙芯 2F 性能达到世界先进水平,产品具有初步的国际市场竞争力。2008 年设计的龙芯 2G 和龙芯 3 号,核心技术取得进一步突破,产品竞争力进一步提高,在具体应用上具有明显的比较优势。目前龙芯处理器已经形成面向嵌入式应用的
18、龙芯 1 号系列,面向高端嵌入式和桌面应用的龙芯 2 号系列,面向服务器和高性能计算机应用的龙芯 3 号系列等三大系列 CPU。龙芯 2 号系列主要面向电脑类应用。其中龙芯 2F 采用 90nm 工艺,片内集成四发射 64 位处理器核、一级指令/数据缓存各 64KB、二级缓存 512KB 以及 DDR2 内存控制器、PCI 控制器等,晶体管数目为 5100 万,主频为 800MHz;目前龙芯 2F 已经量产。龙芯 2G 使用 65nm 工艺,片内集成四发射 64 位处理器核、一级指令/数据缓存各 64KB、二级 Cache1MB 以及DDR2/3 内存控制器、HyperTranport 控制器
19、和其他接口;目前龙芯 2G 已经流片成功。龙芯2H 采用 65nm 工艺,片内集成四发射 64 位处理器核、一级指令/数据缓存各 64KB、二级Cache1MB、流媒体处理、图形图像处理以及南桥北桥等配套芯片组功能,为低成本电脑提供现单片解决方案;龙芯 2H 将于 2010 年流片。龙芯 3 号多核 CPU 系列主要面向高性能计算机和服务器应用。其中龙芯 3A 采用 65 纳米CMOS 工艺设计,片内集成了 4 个四发射 64 位处理器核和 4MB 二级 Cachel,主频达到1GHz,功耗小于 15W,峰值性能达到每秒 160 亿次浮点运算,片上包含 4.25 亿个晶体管;龙芯 3A 已经于
20、 2009 年流片成功。龙芯 3B 采用 65nm 工艺设计,主频为 1GHz,片内集成 8个带向量扩展的超标量处理器核,片内双精度浮点运算速度达到每秒 1280 亿次,适用于高性能计算和数字信号处理等应用;龙芯 3B 已于 2010 年 3 月流片。龙芯 3C 将采用 32nm 工艺设计,主频为 1.5GHz,片内集成 16 个 64 位超标量向量处理器核,片内双精度浮点运算速度达到每秒 3840 亿次;龙芯 3C 将于 2011 年流片。龙芯在产业化方面也进行了有益的探索。龙芯处理器在航天控制、信号处理、指挥控制、网络安全、安全保密电脑等领域得到初步应用;龙芯低成本电脑进行了十万套规模的试
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