半导体二极管参数符号及其意义.pdf
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1、VRMS 是指正弦交流信号的有效电压值,Vrms=1/2 根号2*峰值电压0.707峰值电压。半导体二极管参数符号及其意义 CT-势垒电容 Cj-结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 CTV-电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数 Cvn-标称电容 IF-正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允
2、许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)-正向平均电流 IFM(IM)-正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii-发光二极管起辉电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 ID-暗电流 IB2-单结晶体管中的基极调制电流 IEM-发射极峰值电流 IEB1
3、0-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM-最大输出平均电流 IFMP-正向脉冲电流 IP-峰点电流 IV-谷点电流 IGT-晶闸管控制极触发电流 IGD-晶闸管控制极不触发电流 IGFM-控制极正向峰值电流 IR(AV)-反向平均电流 IR(In)-反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流 IRR-
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- 半导体 二极管 参数 符号 及其 意义
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