可控硅基础知识课件.ppt

《可控硅基础知识课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《可控硅基础知识课件.ppt（25页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、 单向可控硅等效结构 单向可控硅晶体管模型KG玻璃钝化玻璃钝化玻璃钝化玻璃钝化 单向可控硅平面和纵向结构可控硅工作原理-截止阳极和阴极加上反向电压阳极和阴极加上反向电压BG1和和BG2截止。截止。加大负载电阻加大负载电阻RL使电路电使电路电流减少流减少BG1和和BG2的基电流的基电流也将减少。也将减少。当减少到某一个值时由于电当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路翻转路的正反馈作用，电路翻转为截止状态。为截止状态。这个电流为维持电流。这个电流为维持电流。关闭电流（关闭电流（IL)单向可控硅I-V曲线正向导通电压（正向导通电压（VTM)正向导通电流正向导通电流(IT)正向漏电流正向漏电流（

2、Idrm)击穿电压击穿电压(Vdrm)反向漏电流（反向漏电流（Irm)击穿电压击穿电压(Vrm)维持电流（维持电流（IH)闭锁电流（闭锁电流（IL）单向可控硅反向特性条件：控制极开路，阳条件：控制极开路，阳极加上反向电压时极加上反向电压时分析：分析：J2结正偏，但结正偏，但J1、J2结反偏。当结反偏。当J1，J3结结的雪崩击穿后，电流迅的雪崩击穿后，电流迅速增加，如特性速增加，如特性OR段所段所示，弯曲处的电压示，弯曲处的电压URRM叫反向转折电压，叫反向转折电压，也叫反向重复峰值电压。也叫反向重复峰值电压。结果：可控硅会发生永结果：可控硅会发生永久性反向击穿。久性反向击穿。单向可控硅正向特性

3、条件：条件：控制极开路，控制极开路，阳极加正向电压阳极加正向电压分析：分析：J1J1、J3J3结正偏，结正偏，J2J2结反偏，这与普通结反偏，这与普通PNPN结的反向特性相似，也结的反向特性相似，也只能流过很小电流，如只能流过很小电流，如特性特性OAOA段所示，弯曲处段所示，弯曲处的是的是UDRMUDRM叫：正向转折叫：正向转折电压，也叫断态重复峰电压，也叫断态重复峰值电压值电压。结果：正向阻断状态。结果：正向阻断状态。单向可控硅触发导通条件：控制极条件：控制极G上加入上加入正向电压正向电压分析：分析：J3J3正偏，形成正偏，形成触发电流触发电流IGTIGT。内部形。内部形成正反馈，加上成正反

4、馈，加上IGTIGT的的作用，图中的伏安特作用，图中的伏安特性性OAOA段左移，段左移，IGTIGT越大，越大，特性左移越快。特性左移越快。结果：可控硅提前导结果：可控硅提前导通。通。单向可控硅电参数序号 参数 符号1额定通态峰值电流IT(RMS)2额定通态平均电流 IT(AV)3不重复通态浪涌电流IT(TSM)4断态重复峰值电压VDRM5反向重复峰值电压VRRM6断态重复平均电流 IDRM7反向重复平均电流 IRRM8通态平均电压VTM9控制极触发电流IGT10控制极触发电压VGT双向可控硅等效结构双向可控硅触发模式双向可控硅触发命名双向可控硅平面和纵向结构T1G铜芯线电流估算双向可控硅I-

5、V曲线双向可控硅误导通（a）电子噪声引发门极信号）电子噪声引发门极信号在电子噪声充斥的环境中，若干扰电压超过VGT，并有足够的门极电流，就会发生假触发，导致双向可控硅切换。(b)超过最大切换电压上升率超过最大切换电压上升率dVCOM/dt当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零，这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率若超过允许的dVCOM/dt，会迫使双向可控硅回复导通状态。因为载流子没有充分的时间自结上撤出。（c）超出最大的切换电流变化率超出最大的切换电流变化率dICOM/dt过高的dIT/dt 可能导致局部烧毁，并使MT1-MT2 短路。高dIT/dt 承受

6、能力决定于门极电流上升率dIG/dt 和峰值IG。较高的dIG/dt 值和峰值IG(d)超出最大的断开电压变化率超出最大的断开电压变化率dVD/dt若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）作用很高的电压变化率，尽管不超过VDRM（见图8），电容性内部电流能产生足够大的门极电流，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。三象限（无缓冲）双向可控硅无缓冲）双向可控硅 3Q 双向可控硅具有和4Q 双向可控硅不同的内部结构，它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在3+象限工作，但由于排除了3+象限的触发，同时避开了4Q 双向可控硅的缺点。由于大部分电路工作在1+和3-象限（用于相位控制），或者工作在1

7、-和3-象限（用于简单的极性触发，信号来自IC 电路和其它电子驱动电路），因而和所取得的优点比较，损失3+象限的工作能力是微不足道的代价。3Q 双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处1.高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路2高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路3.高dICOM/dt 值性能，不必串联电感前缀字母表示：B：双向T：三端BT：三端双向可控硅封装性能表示：A：绝缘型B：非绝缘型电流值表示：04=4A06=6A08=8A10=10A12=12A16=16A24=24A41=40A电压值表示：400=400V600=600V800=800V1000=

8、1000V触发电流表示：B：IGT 1-350mA IGT 4100mAC：IGT 1-325mA IGT 450mABW：IGT 1-350mACW：IGT 1-335mASW：IGT 1-310mATW：IGT 1-35mAW 表示三象限BT A 04 600 B 双向可控硅的命名可控硅可控硅十条黄金规则规则1.为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流IGT，直至负载电流达到IL。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。规则2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须IH,并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。规则3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。规则4.为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1k或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅。规则5.若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅。