ds1302时钟芯片介绍.ppt

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1、DS1302DS1302时钟芯片介绍时钟芯片介绍一一DS1302DS1302的主要性能指标的主要性能指标 （1 1）DS1302DS1302实实时时时时钟钟具具有有能能计计算算21002100年年之之前前的的秒秒、分分、时时、日日、日日期期、星星期期、月月、年年的的能能力力，还还有有闰闰年年调调整整的的能力。能力。（2 2）内部含有）内部含有3131个字节静态个字节静态RAMRAM，可提供用户访问。，可提供用户访问。（3 3）采采用用串串行行数数据据传传送送方方式式，使使得得管管脚脚数数量量最最少少，简简单单SPI 3SPI 3线接口线接口。（4 4）工作电压范围宽：）工作电压范围宽：2.02

2、.05.5V5.5V。（5 5）工作电流：）工作电流：2.0V2.0V时，小于时，小于300nA300nA。（6 6）时时钟钟或或RAMRAM数数据据的的读读/写写有有两两种种传传送送方方式式：单字节传送和多字节传送方式。单字节传送和多字节传送方式。（7 7）采用）采用8 8脚脚DIPDIP封装或封装或SOICSOIC封装。封装。（8 8）与）与TTLTTL兼容，兼容，VccVcc=5V=5V。（9 9）可选工业级温度范围：）可选工业级温度范围：-40-40 C C+85+85 C C。（1010）具有涓流充电能力。）具有涓流充电能力。（1111）采用主电源和备份电源双电源供应采用主电源和备份

3、电源双电源供应。（1212）备份电源可由电池或大容量电容实现。）备份电源可由电池或大容量电容实现。二引脚功能二引脚功能DS1302DS1302的引脚图的引脚图其中：其中：X1、X2：32.768KHz晶振接入引脚。晶振接入引脚。GND：地。地。：复位引脚，低电平有效复位引脚，低电平有效,操作时高电平操作时高电平。I/O：数据输入数据输入/输出引脚，具有三态功能输出引脚，具有三态功能。SCLK：串行时钟输入引脚串行时钟输入引脚。Vcc1：工作电源引脚。工作电源引脚。Vcc2：备用电源引脚。备用电源引脚。DS1302DS1302内部结构内部结构三三DS1302DS1302的寄存器及片内的寄存器及片

4、内RAMRAM DS1302DS1302有有一一个个控控制制寄寄存存器器、1212个个日日历历、时时钟钟寄寄存器和存器和3131个个RAMRAM。可读写可读写（一）控制寄存器（一）控制寄存器 控控制制寄寄存存器器用用于于存存放放DS1302DS1302的的控控制制命命令令字字，DS1302DS1302的的RSTRST引引脚脚回回到到高高电电平平后后写写入入的的第第一一个个字字就就为为控控制制命命令令。它用于对它用于对DS1302DS1302读写过程进行控制，它的格式如下：读写过程进行控制，它的格式如下：D7D6D5D4D3D2D1D0 1RAM/CKA4A3A2A1A0R/W其中：其中：D7：

5、固定：固定为1D6：RAM/CK位。位。=1:片内片内RAM；=0:日日历、时钟存器存器选择位。位。D5D1：地址位，用于：地址位，用于选择进行行读写的日写的日历、时 钟寄存器或片内寄存器或片内RAM。对日日历、时钟 寄存器或片内寄存器或片内RAM的的选择见表。表。D0：读写写选择，=0 写，写，=1 读寄存器名称寄存器名称D7D6D5D4D3D2D1D01RAM/CKA4A3A2A1A0R/W秒寄存器秒寄存器10000000或或1分寄存器分寄存器10000010或或1小小时时寄存器寄存器10000100或或1日寄存器日寄存器10000110或或1月寄存器月寄存器10001000或或1星期寄存

6、器星期寄存器10001010或或1年寄存器年寄存器10001100或或1寄存器名称寄存器名称D7D6D5D4D3D2D1D01RAM/CKA4A3A2A1A0R/W写保写保护护寄存器寄存器10001110或或1慢充慢充电电寄存器寄存器10010000或或1时钟时钟突突发发模式模式10111110或或1RAM011000000或或1110或或1RAM3011111100或或1RAM突突发发模式模式11111110或或1（二）（二）日历、时钟寄存器日历、时钟寄存器DS1302DS1302共共有有1212个个寄寄存存器器，其其中中有有7 7个个与与日日历历、时时钟钟相相关关，存存放放的的数数据据为为

7、BCDBCD码码形形式式。日日历历、时时钟钟寄寄存存器器的格式如表。的格式如表。寄存器名称寄存器名称取取值值范范围围D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3 D2D2 D1D1 D0D0秒寄存器秒寄存器00005959CHCH秒的十位秒的十位秒的个位秒的个位分寄存器分寄存器000059590 0分的十位分的十位分的个位分的个位小小时时寄存器寄存器01011212或或00002312/2412/240 0A/PA/PHRHR小小时时的个位的个位日寄存器日寄存器0101310 00 0日的十位日的十位日的个位日的个位寄存器名称寄存器名称取取值值范范围围D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D

8、2D1D1D0D0月寄存器月寄存器0101120 00 00 01 1或或0 0月的个位月的个位星期寄存器星期寄存器0101070 00 00 00 0星期几星期几年寄存器年寄存器010199年的十位年的十位年的个位年的个位写保写保护护寄存器寄存器WPWP0 00 00 00 00 00 00 0慢充慢充电电寄存器寄存器TCSTCSTCSTCSTCSTCSTCSTCSDSDSDSDSRSRSRSRS时钟时钟突突发发寄存器寄存器说明：说明：（1 1）数据都以）数据都以BCDBCD码码形式。形式。（2 2）小小时时寄寄存存器器的的D7D7位位为为1212小小时时制制/24/24小小时时制制的的选选

9、择择位位，当当为为1 1时时选选1212小小时时制制，当当为为0 0时时选选2424小小时时制制。当当1212小小时时制制时时，D5D5位位为为1 1是是上上午午，D5D5位位为为0 0是是下下午午，D4D4为为小小时时的的十十位位。当当2424小小时时制制时时，D5D5、D4D4位位为为小小时时的十位。的十位。（3 3）秒秒寄寄存存器器中中的的CHCH位位为为时时钟钟暂暂停停位位，当当为为1 1时时钟暂停，为钟暂停，为0 0时钟开始启动。时钟开始启动。4）写写保保护寄寄存存器器中中的的WP为写写保保护位位，当当WP=1，写写保保护，当当WP=0未未写写保保护，当当对日日历、时钟寄寄存存器器或

10、或片片内内RAM进行行写写时WP应清清零零，当当对日日历、时钟寄寄存存器器或片内或片内RAM进行行读时WP一般置一般置1。（5）慢慢充充电寄寄存存器器的的TCS位位为控控制制慢慢充充电的的选择，当当它它为1010才才能能使使慢慢充充电工工作作。DS为二二极极管管选择位位。DS为01选择一一个个二二极极管管，DS为10选择二二个个二二极极管管，DS为11或或00充充电器器被被禁禁止止，与与TCS无无关关。RS用用于于选择连接接在在VCC2与与VCC1之之间的的电阻阻，RS为00，充充电器器被被禁止，与禁止，与TCS无关，无关，电阻阻选择情况情况见表表.RSRS位位电电阻器阻器阻阻值值0000无无

11、无无0101R1R12K2K1010R2R24K4K1111R3R38K8K（三）（三）片内片内RAM DS1302片片 内内 有有 31个个 RAM单 元元，对 片片 内内RAM的的操操作作有有两两种种方方式式：单字字节方方式式和和多多字字节方方式式。当当控控制制命命令令字字为C0HFDH时为单字字节读写写方方式式，命命令令字字中中的的D5D1用用于于选择对应的的RAM单元，其中元，其中奇数奇数为读操作，偶数操作，偶数为写操作写操作。当当控控制制命命令令字字为FEH、FFH时为多多字字节操操作作（表表中中的的RAM突突发模模式式），多多字字节操操作作可可一一次次把把所所有有的的RAM单元元内

12、内容容进行行读写写。FEH为写写操操作，作，FFH为读操作。操作。1.置置RST高电平启动输入输出过程，高电平启动输入输出过程，2.在在SCLK时时钟钟的的控控制制下下，控控制制命命令令字字写写入入DS1302的的控控制制寄存器，寄存器，3.根根据据写写入入的的控控制制命命令令字字，依依次次读读写写内内部部寄寄存存器器或或片片内内RAM单元的数据，单元的数据，4.对对于于日日历历、时时钟钟寄寄存存器器，根根据据控控制制命命令令字字，一一次次可可以以读读写写一一个个日日历历、时时钟钟寄寄存存器器，也也可可以以一一次次读读写写8个个字字节节，对对所所有有的的日日历历、时时钟钟寄寄存存器器写写的的控

13、控制制命命令令字字为为0BEH，读读的控制命令字为的控制命令字为0BFH；5.5.对对于于片片内内RAMRAM单单元元，根根据据控控制制命命令令字字，一一次次可可读读写写一一个个字字节节，一一次次也也可可读读写写3131个个字字节节。当当数数据据读读写写完完后后，RSTRST变变为为低电平结束输入输出过程。低电平结束输入输出过程。（四）（四）DS1302的输入输出过程的输入输出过程四、四、DS1302与单片机的接口与单片机的接口VCC2VCC2X1X1X2X2GNDGNDVCC1VCC1SCLKSCLKI/OI/ORSTRST+5V+5V80518051P1.0P1.0P1.2P1.2P1.3P1.3+5V+5V DS1302与单片机的连接仅需要与单片机的连接仅需要3条线：时钟线条线：时钟线SCLK、数、数据线据线I/O和复位线和复位线 RST。连接图如上图。连接图如上图。