二极管的伏安特性与参数.docx

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1、二极管的伏安特性与参数1 .伏安特性正向特性：0A：死区；开启电压：Vth； AB：近似指数 规律；BC：近似恒压源；导通电压为Von,二极管正向导电 路时，通常要工作在这个区-线性区。在理想条件下，二极管两端电压和电流关系为：，其中， IS：反向饱和电流，VT：电压的温度当量，室温下VT26mV。正偏时，那么:。说明，正向电流大约每增加10倍，二极管两端电压只 增加60mVo.击穿特性当外加反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大， 称为反向击穿。齐纳击穿：外加电场将价电子直接从共价键中拉出来， 使电子空穴对增多，电流增大。雪崩击穿：当电场足够强时，载流子的漂移运动被加速， 将中性原子中的价

2、电子“撞”出来，产生新的电子空穴对。 形成连锁反响，使电流剧增。齐纳击穿多发生在高掺杂的PN结中雪崩击穿多发生在低掺杂的PN结中4V以下为齐纳击 穿，7V以上为雪崩击穿，47V可两者都有。2 .温度特性温度升高时，反向饱和电流增大，正向电流也增大。温度 升高10, IS约增加1倍，电压减小25mVoPN结正向电压具有负温度系数3 .二极管的电容效应PN结电压变化将引起结区及结外侧载流子数量（电荷量） 的变化，这一效应可用结电容Cj来模拟，。正偏时以扩散电容为主（Diffusion）,反偏时以垫垒电 容为主（Barrier）（扩散电容）：PN结正偏。少子浓度分布多子扩散到对方后，成为对方的少子。因此,结边缘有 一少子浓度分布曲线。当外加正偏电压增大，浓度分布曲线 变化相当于电荷量变化。（垫垒电容）：,PN结反偏。当PN结外加反向电压增大或减小时，空间电荷区将产 生宽窄的改变，这相当于二块平行夹板间隔发生变化，把此 时的情况看成平行。