双极型半导体三极管的特性曲线优秀PPT.ppt

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1、2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共放射极接法的特性曲线。iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。输入特性曲线 iB=f(vBE)vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE)iB=const本节介绍共放射极接法三极管的特性曲线，即 共放射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。图02.04 共放射极接法的电压-电流关系 简洁地看，输入特性曲线类似于放射结的伏安特性曲线，现探讨iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，

2、它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了解除vCE的影响，在探讨输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。(1)输入特性曲线 vCE的影响，可以用三极管的内部反馈的影响，可以用三极管的内部反馈作用说明，即作用说明，即vCE对对iB的影响的影响。共放射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE=0V的那一条相当于放射结的正向特性曲线。当vCE1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，起先收集电子，且基区复合削减，IC/IB 增大，特性曲线将向右略微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分

3、区：死区 非线性区 线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线(2)输出特性曲线 共放射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时，放射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB=vCE-vBE=0.7 V集电区收集电子的实力很弱，iC主要由vCE确定。图02.06 共放射极接法输出特性曲线 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE 1 V vBE 0.7 V运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随vCE增大而右移的 图02.06 共放射极接法输出特性曲线缘由是一样的)。（动画2-2）输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区iC受vCE显著限制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 放射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，放射结反偏，集电结反偏。放大区iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管)。