《第五章第3节无机非金属材料(答案).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第五章第3节无机非金属材料(答案).docx(3页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第三节无机非金属材料.A 解析制造水泥的主要原料是黏土和石灰石,制造普通玻璃的 主要原料是石英砂、纯碱和石灰石。1 .A 解析氧化铁是红棕色粉末,故瓷器的青色不可能来自氧化 铁,A错误;陶制品是以黏土为主要原料,经高温烧结而形成的硅酸盐产 品,B、C正确;陶瓷的主要成分是硅酸盐,其化学性质稳定,耐腐蚀、抗 氧化,D正确。2 .B 解析玻璃是混合物,没有固定的熔点,B错误;普通玻璃的主要 成分为Na2SiO3. CaSiO3和SQ2C正确;二氧化硅易与碱液反应生 成NmSiChNazSiCb具有很强的黏合性,因此盛放NaOH等强碱性溶 液的试剂瓶不得使用玻璃塞,D正确。3 .B 解析Si位于金属
2、与非金属的交界处,是良好的半导体材料,是 当前计算机使用的硅芯片主要材料,A正确;当前太阳能电池的主要材 料是Si,制作光导纤维的主要材料是二氧化硅,B错误;水泥、玻璃、陶 瓷都是传统无机非金属材料,主要成分是硅酸盐,C正确;高纯硅的制 备是通过氢气还原三氯硅烷实现的:SiHCb+H2艇Si+3HCI,D正确。5 .D 解析石墨烯的主要成分是碳,在空气中完全燃烧生成CO2,D 错误。6 .D 解析三种物质与浓硫酸的反应产物均为二氧化碳、二氧化硫 和水,D项错误。7 .C 解析硅是亲氧元素,在自然界没有单质,都是以二氧化硅或者 硅酸盐形式存在,A正确;硅属于半导体材料,具有一定的导电性,单晶 硅
3、用于制造芯片,B正确;SiO2是酸性氧化物,C错误;反应都有 单质参与,都有元素化合价的变化,属于氧化还原反应,D正确。8 .D 解析SiO2与NaOH溶液发生反应生成Na2SiO3和 H2O,Na2SiO3溶液可用作木材防火剂和黏合剂,A、B均正确;由于 H2co3的酸性大于H2SQ3的酸性,可以向NmSiCh溶液中通入C02 气体淅出H2SQ3沉淀,C正确;灼烧H2SQ3固体要在灯端中进行,D错 误。9 .D 解析步骤I中,Si02与焦炭反应生成Si和CO,焦炭作还原 剂,A错误;步骤II中Si与HCI在300 C下反应生成SiHCb,属于氧化还原反应,B错误;整个流程中也和HCI可循环利
4、用,C错误;SiHCb和 SiCl4的沸点相差较大,可采用蒸储的方法提纯SiHCb,D正确。10.B 解析氮化硅具有熔点高、硬度大、电绝缘性好等优良性能, 但生产成本较高,不能广泛应用于建筑陶瓷。11 .A 解析反应中C元素的化合价升高,Si元素的化合价降低, 则SiO2是氧化剂,C是还原剂,A错误;由反应可得关系:2Cl2SiCl4Si(纯硅),故生成1 mol纯硅,至少需要2 mol CI2,B正确; 反应符合“单质+化合物一新单质+新化合物”形式,故属于置换反 应,C正确;该工业尾气中含HCI,被水吸收可得到盐酸,D正确。12 .SQ2+2C型Si+2co t (2)分储(或蒸储)(3)
5、使滴入烧瓶中的 SiHCb汽化 SiHCI3+H2 1OOO-11OO1C Si+3HCI bd解析(1)高温下用碳还原SQ2生成Si和CO,反应的化学方程式为 2C+SiO2=Si+2CO t。(2)由于 SiHCb和所含杂质 SiCk和 HCI 的沸 点相差较大,所以提纯SiHCI3采用的方法为分储(或蒸储)。(3)装置A中Zn与稀硫酸反应制取出,反应的化学方程式为 Zn+H2SO4=ZnSO4+H2 t。装置A中制得的山中混有 H2O(g),SiHCb能与水强烈反应,所以装置B中浓硫酸的作用是干燥 H2o根据题意,SiHCb与过量的H2在10001100 时反应制得纯 硅,SiHCb的沸点为31.8 ,所以装置C中的烧瓶需要加热的目的是 使滴入烧瓶中的SiHCb汽化。装置D中SiHCb与过量的也反应 生成Si和HCI,反应的化学方程式为SiHCI3+H2 1OOO-11OO1C Si+3HCIO 产品硅中若含有微量铁单质,试样用稀盐酸溶解,Fe与稀盐酸反应 生成FeCb和出,所以只要检验上层清液中是否含Fe2+即可判断产品 中是否含铁单质。检验Fe2+选用氯水和KSCN溶液。
限制150内