通信电子线路讲义2素材优秀PPT.ppt
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1、SEIT of HIT第2章 高频电路基础学问SEIT of HITContent 1.高频电路中的无源器件高频电路中的无源器件 2.高频电路中的有源器件高频电路中的有源器件 3.高频电路中的谐振网络高频电路中的谐振网络SEIT of HIT高高频频电电路路 高频电路运用的元器件与低频电路基本相同,但是高频电路中高频电路运用的元器件与低频电路基本相同,但是高频电路中 运用的是元器件的高频特性。(电容的影响)运用的是元器件的高频特性。(电容的影响)无源元件:无源元件:无源元件:无源元件:电阻(器)、电容(器)和电感(器)电阻(器)、电容(器)和电感(器)电阻(器)、电容(器)和电感(器)电阻(器
2、)、电容(器)和电感(器)-都属于无源的都属于无源的都属于无源的都属于无源的线性元件线性元件线性元件线性元件有源器件:有源器件:有源器件:有源器件:二极管、晶体管、场效应管、集成电路二极管、晶体管、场效应管、集成电路二极管、晶体管、场效应管、集成电路二极管、晶体管、场效应管、集成电路 -完成信号的完成信号的完成信号的完成信号的放大、非线性变换放大、非线性变换放大、非线性变换放大、非线性变换等等等等无源网络:无源网络:无源网络:无源网络:串联谐振回路、并联谐振回路、耦合谐振回路串联谐振回路、并联谐振回路、耦合谐振回路串联谐振回路、并联谐振回路、耦合谐振回路串联谐振回路、并联谐振回路、耦合谐振回路
3、 -放大选频、谐振自激震荡、变频调制解调选频放大选频、谐振自激震荡、变频调制解调选频放大选频、谐振自激震荡、变频调制解调选频放大选频、谐振自激震荡、变频调制解调选频ContentSEIT of HIT2.1 高频电路中的无源器件高频电路中的无源器件低频段低频段:表现为表现为 电阻特性电阻特性高频段:高频段:表现为表现为 电阻特性电阻特性+电抗特性(高频特性)电抗特性(高频特性)2.1.1 2.1.1 电阻器电阻器电阻器电阻器无源、无记忆元件、耗能元件无源、无记忆元件、耗能元件无源、无记忆元件、耗能元件无源、无记忆元件、耗能元件电阻的高频等效电路电阻的高频等效电路 CR:分布电容:分布电容LR:
4、引线电感:引线电感R:为电阻为电阻 留意:电阻在高频范围内损耗很小,因而被认为是志向元件,留意:电阻在高频范围内损耗很小,因而被认为是志向元件,不考虑其损耗的影响。不考虑其损耗的影响。SEIT of HIT2.1 高频电路中的无源器件高频电路中的无源器件2.1.2 2.1.2 电感器电感器电感器电感器无源、记忆元件、储能元件无源、记忆元件、储能元件无源、记忆元件、储能元件无源、记忆元件、储能元件高频段:电感高频段:电感高频段:电感高频段:电感L+L+损耗电阻损耗电阻损耗电阻损耗电阻r0+r0+分布电容。分布电容。分布电容。分布电容。长、中、短波频段:通常忽视分布电容的影响。长、中、短波频段:通
5、常忽视分布电容的影响。长、中、短波频段:通常忽视分布电容的影响。长、中、短波频段:通常忽视分布电容的影响。r0L集肤效应影响:随着工作频率的增高,流过导线的沟通电流集肤效应影响:随着工作频率的增高,流过导线的沟通电流集肤效应影响:随着工作频率的增高,流过导线的沟通电流集肤效应影响:随着工作频率的增高,流过导线的沟通电流向导线表面集中向导线表面集中向导线表面集中向导线表面集中-导电的有效面积为导线圆环面积导电的有效面积为导线圆环面积导电的有效面积为导线圆环面积导电的有效面积为导线圆环面积 减减减减小小小小-电阻增大电阻增大电阻增大电阻增大-损耗增大。损耗增大。损耗增大。损耗增大。电感线圈的串联等
6、效电路电感线圈的串联等效电路SEIT of HIT2.1 高频电路中的无源器件高频电路中的无源器件线圈的线圈的线圈的线圈的品质因数品质因数品质因数品质因数QQ:表示线圈的损耗性能。:表示线圈的损耗性能。:表示线圈的损耗性能。:表示线圈的损耗性能。定义为定义为定义为定义为无功功率无功功率无功功率无功功率与与与与有功功率有功功率有功功率有功功率之比之比之比之比设流过电感线圈的电流为设流过电感线圈的电流为I,则电感,则电感L上的无功功率为上的无功功率为I2L,而,而损耗功率,即电阻损耗功率,即电阻r0的消耗功率为的消耗功率为I2r0,电感的品质因数:,电感的品质因数:Q值:感抗值:感抗L与损耗电阻与
7、损耗电阻r0之比,之比,Q值越高损耗越小值越高损耗越小。通常通常,线圈的线圈的Q值通常在值通常在几十几十一二百一二百左右。左右。可用可用Q表表来测量。来测量。SEIT of HIT2.1 高频电路中的无源器件高频电路中的无源器件线圈:还可等效成电感与电阻的并联形式。线圈:还可等效成电感与电阻的并联形式。1-2两端的导纳两端的导纳=1-2两端的导纳两端的导纳r0L12RLP12Q 1电感线圈串、并联等效电路电感线圈串、并联等效电路表明:表明:(1)若以并联形式表示若以并联形式表示Q时,则为并联电阻与感抗之比。时,则为并联电阻与感抗之比。(2)串联电阻与并联电阻的乘积等于感抗的平方。串联电阻与并联
8、电阻的乘积等于感抗的平方。(3)r0越小越小R就越大,即损耗小,反之,则损耗大。通常,就越大,即损耗小,反之,则损耗大。通常,r0为几欧的为几欧的量级量级,变换成,变换成R则为几十到几百千欧。则为几十到几百千欧。(4)两种形式中,电感值近似不变。)两种形式中,电感值近似不变。SEIT of HIT2.1 高频电路中的无源器件高频电路中的无源器件2.1.3 2.1.3 电容器电容器电容器电容器电容器:电容器:电容器:电容器:电容特性电容特性电容特性电容特性+损耗电阻损耗电阻损耗电阻损耗电阻+分布电感。分布电感。分布电感。分布电感。米波以下频段:米波以下频段:米波以下频段:米波以下频段:只考虑电容
9、和损耗。只考虑电容和损耗。只考虑电容和损耗。只考虑电容和损耗。电容器的串、并联等效电路电容器的串、并联等效电路rCCpR品质因数品质因数品质因数品质因数QQ:表征电容器损耗的大小。表征电容器损耗的大小。表征电容器损耗的大小。表征电容器损耗的大小。它等于它等于它等于它等于容抗与串联电阻之比容抗与串联电阻之比容抗与串联电阻之比容抗与串联电阻之比,并联电阻与容抗之比并联电阻与容抗之比并联电阻与容抗之比并联电阻与容抗之比。-自己推导自己推导自己推导自己推导无源、记忆元件、储能元件无源、记忆元件、储能元件无源、记忆元件、储能元件无源、记忆元件、储能元件SEIT of HIT2.1 高频电路中的无源器件高
10、频电路中的无源器件另外:电容器损耗电阻的大小主要由介质材料确定。另外:电容器损耗电阻的大小主要由介质材料确定。Q值可达值可达 几千到几万的数量级,与电感线圈相比几千到几万的数量级,与电感线圈相比,电容器的损耗常电容器的损耗常 常忽视不计。常忽视不计。同理,得:同理,得:表明:(表明:(1 1)电容器可以等效为串联形式或者并联形式。电容器可以等效为串联形式或者并联形式。(2 2)两种形式中电容值近似不变)两种形式中电容值近似不变 (3 3)串联电阻和并联电阻的乘积等于容抗的平方。串联电阻和并联电阻的乘积等于容抗的平方。Q 1SEIT of HIT2.2 高频电路中的有源器件高频电路中的有源器件从
11、原理上看:高频电路的有源器件,与用于低频或其他电子线路从原理上看:高频电路的有源器件,与用于低频或其他电子线路从原理上看:高频电路的有源器件,与用于低频或其他电子线路从原理上看:高频电路的有源器件,与用于低频或其他电子线路的器件没有根本不同。的器件没有根本不同。的器件没有根本不同。的器件没有根本不同。高频电路中用途:高频电路中用途:(1)用于检波、调制、解调及混频等非线性变用于检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中,工作在低电平,都是利用多数载流子导电机理,极间换电路中,工作在低电平,都是利用多数载流子导电机理,极间电容小,工作频率高。(电容小,工作频率高。(2)还有还有变容二极管变容二极管
12、用于振荡器中。用于振荡器中。2.2.1 2.2.1 二极管二极管二极管二极管扩散电容扩散电容扩散电容扩散电容CCdd势垒电容势垒电容势垒电容势垒电容CCbbSEIT of HIT2.2 高频电路中的有源器件高频电路中的有源器件(1 1)做小信号放大的高频小功率管,主要要求高增益和低噪声;)做小信号放大的高频小功率管,主要要求高增益和低噪声;)做小信号放大的高频小功率管,主要要求高增益和低噪声;)做小信号放大的高频小功率管,主要要求高增益和低噪声;(2 2)高频功率放大管,除了增益外要求在高频有较大的输出功率。)高频功率放大管,除了增益外要求在高频有较大的输出功率。)高频功率放大管,除了增益外要
13、求在高频有较大的输出功率。)高频功率放大管,除了增益外要求在高频有较大的输出功率。共射接法输入特性曲线共射接法输入特性曲线死区死区 非线性区非线性区线性区线性区共放射极接法输出特性曲线共放射极接法输出特性曲线2.2.2 2.2.2 三极管三极管三极管三极管SEIT of HIT饱和区饱和区 iC受受uCE显著限制的区域,该区域内显著限制的区域,该区域内uCE的数值较的数值较小,小,一般一般 uCE0.7 V(硅管硅管)。此时:放射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。此时:放射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。输出呈低阻态,相当于开关闭合。输出呈低阻态,相当于开关闭合。截止区截止区 iC接近零的区
14、域,相当接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。的曲线的下方。此时:放射结反偏,集电结此时:放射结反偏,集电结反偏。反偏。输出呈高阻态,输出呈高阻态,ic=0。放大区放大区-iC平行于平行于uCE轴的区域,轴的区域,曲线基本平行等距。曲线基本平行等距。此时:放射结正偏,集电结反此时:放射结正偏,集电结反偏偏 受控恒流源受控恒流源uCEuBE时,临界饱和状态时,临界饱和状态uCEuBE时,过饱和状态时,过饱和状态2.2 高频电路中的有源器件高频电路中的有源器件SEIT of HIT2.2 高频电路中的有源器件高频电路中的有源器件 用于高频的集成电路的类型和品种要比用于低频的集成用于高频的集成电路
15、的类型和品种要比用于低频的集成电路少得多,主要分为通用型和专用型两种。电路少得多,主要分为通用型和专用型两种。目前通用型的宽带集成放大器,工作频率可达一、二百目前通用型的宽带集成放大器,工作频率可达一、二百MHz,增益可达五、六特别贝,甚至更高。,增益可达五、六特别贝,甚至更高。2.2.3 2.2.3 集成电路集成电路集成电路集成电路SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路定义:谐振回路由电感线圈和电容组成。当外界授予确定能量,定义:谐振回路由电感线圈和电容组成。当外界授予确定能量,电路参数满足确定关系时,可以在回路中产生电压和电流的周电路参数满足确定关系时,可以
16、在回路中产生电压和电流的周期振荡回路。若该电路在某一频率的交变信号作用下,能在电期振荡回路。若该电路在某一频率的交变信号作用下,能在电抗原件上产生最大的电压或流过最大的电流,即具有谐振特性,抗原件上产生最大的电压或流过最大的电流,即具有谐振特性,故该电路又称谐振回路。故该电路又称谐振回路。分类:分类:1.串联谐振回路串联谐振回路2.并联谐振回路并联谐振回路3.耦合谐振回路耦合谐振回路1.利用他的利用他的选频特性选频特性构成各种构成各种谐振放大器谐振放大器2.在在自激振荡器自激振荡器中充当中充当谐振回路谐振回路3.在在调制、变频、解调调制、变频、解调充当充当选频网络选频网络用途:用途:SEIT
17、of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路2.3.1 2.3.1 串联谐振回路串联谐振回路串联谐振回路串联谐振回路r:电感:电感L中的电阻中的电阻 (很小忽视)(很小忽视)C:电容:电容信号角频率为信号角频率为时,串联回路阻抗为:时,串联回路阻抗为:rLC基本串联回路电路图基本串联回路电路图基本串联回路电路图基本串联回路电路图分析其分析其(阻抗阻抗)频率特性频率特性r|Zs|O0模模模模/2-/20O相位相位相位相位SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路 当当r ;当当0时,时,回路呈回路呈感性感性,|Zs|r ;当当0时,感抗与容抗相等,时,
18、感抗与容抗相等,|Zs|最小,并为纯电阻最小,并为纯电阻r,我们称此时发生了我们称此时发生了串联谐振串联谐振,且串联谐振角频率,且串联谐振角频率0为为:XO0容容性性感感性性若在回路两端加一激励信号若在回路两端加一激励信号 ,则发生,则发生串联谐振时因串联谐振时因阻抗最小阻抗最小,流过电路的流过电路的电电流最大流最大,称为,称为谐振电流谐振电流。SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路在随意频率在随意频率下,回路电流下,回路电流 与谐振电流与谐振电流 之比之比-回路回路回路回路品质因数品质因数品质因数品质因数Q2Q1Q1Q20|I/I0|幅频特性曲线幅频特性曲线品
19、质因数越高,谐振曲线越尖锐,回路选择性越好。品质因数越高,谐振曲线越尖锐,回路选择性越好。分析其分析其(电流电流)频率特性频率特性SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路事实上,外加的频率事实上,外加的频率与回路谐振频率与回路谐振频率0之差之差=-0表示频表示频率率偏离谐振频率偏离谐振频率0的程度,称为失谐。的程度,称为失谐。(因为窄带)(因为窄带)当当与与0很接近时:很接近时:串联回路中,电阻、电感、电容上的电压值与电抗值成正比。串联回路中,电阻、电感、电容上的电压值与电抗值成正比。因此因此串联谐振时电感及电容上的电压为最大,其值为电阻上串联谐振时电感及电容上的
20、电压为最大,其值为电阻上电压值的电压值的Q倍,也就是恒压源的电压值的倍,也就是恒压源的电压值的Q倍。倍。谐振的物理意义:谐振的物理意义:谐振的物理意义:谐振的物理意义:此时此时此时此时电容和电感中储存的最大能量相等电容和电感中储存的最大能量相等电容和电感中储存的最大能量相等电容和电感中储存的最大能量相等。SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路为为广义失谐量广义失谐量,则:,则:当保持外加信号的幅值不变而变更其频率时,将回路电流值下当保持外加信号的幅值不变而变更其频率时,将回路电流值下降为谐振值的降为谐振值的 时所对应的频率范围称回路的通频带,亦称时所对应的频率范
21、围称回路的通频带,亦称回路带宽,用回路带宽,用 B 表示。表示。令上式等于令上式等于 ,则可以推得,则可以推得=1,从而可得带宽:,从而可得带宽:令令令令SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路在谐振时在谐振时回路中的电流、电压关系如图所示。回路中的电流、电压关系如图所示。图中图中 与与 同相,同相,和和 反相。反相。/2-/20O相频特性曲线相频特性曲线电流相频特性曲线和阻抗的相频特性相反电流相频特性曲线和阻抗的相频特性相反Q2Q1Q20|I/I0|幅频特性曲线幅频特性曲线SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路串联谐振回路串联谐振
22、回路谐振时谐振时的特征:的特征:谐振频率:谐振频率:回路呈纯电阻性,所以回路呈纯电阻性,所以输出电流输出电流 和输入电压和输入电压 相相位相同。位相同。电容和电感中储存的能量最大,且电容和电感中储存的能量最大,且相等相等(输入电压的(输入电压的Q倍);倍);回路自身电阻消耗能量回路自身电阻消耗能量最小最小。输出电流输出电流 最大。最大。回路带宽:回路带宽:SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路2.3.2 2.3.2 并联谐振回路并联谐振回路并联谐振回路并联谐振回路CLr-应用最广应用最广应用最广应用最广分析其分析其(阻抗)频率特性(阻抗)频率特性电导和电纳电导和
23、电纳电导和电纳电导和电纳电纳部分电纳部分b0时产生时产生并联谐振并联谐振;并联谐振频率为并联谐振频率为0 0;回路两端电压和输入电流同向。回路两端电压和输入电流同向。SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路当当 时时时时在谐振时:在谐振时:电感支路电感支路的电流在数值上比电流源的的电流在数值上比电流源的电流约大倍,相位滞后接近电流约大倍,相位滞后接近/2/2 ;电容支路电容支路的电流在数值上比电流源电的电流在数值上比电流源电流大倍,但相位超前流大倍,但相位超前/2/2 。SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路代换电路:为了分析问题便
24、利,常将并联谐振电路由左图变向右图。代换电路:为了分析问题便利,常将并联谐振电路由左图变向右图。CLRCLr当当r远远小于远远小于L时,时,(接近接近 0)可见:在谐振状况下,和不变,只是令可见:在谐振状况下,和不变,只是令 即可。即可。So:SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路(电压)频率特性:(电压)频率特性:就是回路端电压就是回路端电压 与频率的关系。与频率的关系。LCgp幅频特性幅频特性幅频特性幅频特性相频特性相频特性相频特性相频特性SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路UOf0U0f将幅频特性归一化:将幅频特性归一化:
25、SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路 考虑:考虑:和和 ,上式中:,上式中:式中式中 称为称为相对失谐相对失谐,于是于是SEIT of HIT2.3 高频电路中的谐振回路高频电路中的谐振回路由右图可见:回路由右图可见:回路Q值越高,曲值越高,曲线越尖锐,选择性越好。线越尖锐,选择性越好。Q2Q1Q1Q20N(f)当失谐不大时,即离开谐振频率不太当失谐不大时,即离开谐振频率不太当失谐不大时,即离开谐振频率不太当失谐不大时,即离开谐振频率不太远时,远时,远时,远时,f f+f f0022f f00 ,于是,于是,于是,于是相对失谐相对失谐相对失谐相对失谐:式中:式
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