真空镀膜基础知识.doc
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1、简介真空镀膜学校:龙岩学院院系:物理与机电工程学院专业: 机械设计制造及其自动化班级:11 级机械本 1 班姓名:柯建坤学号:2022043523在真空中制备膜层,包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也承受减压、低压或等离子体等真空手段,但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。蒸发镀膜通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体外表,称为蒸发镀膜。这种方法最早由 M.法拉第于 1857 年提出,现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备构造如图 1。蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源,待镀 工件,如金属
2、、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后,加热坩 埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片外表。薄 膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚打算于蒸发源的蒸发速率和时间或打算于 装料量,并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜,常承受旋转基片或多 蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分 子在剩余气体中的 平均自由程,以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为 0.1 0.2 电子伏。蒸发镀膜的类型蒸发源有三种类型。电阻加热源:用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状 ,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质图 1蒸发镀膜设备示意
3、图 电阻加热源主要用于蒸发 Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni 等材料。高频感应加热源:用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。电子束加热源:适用于蒸发温度较高不低于 2022618-1 的材料,即用电子束轰击材料使其蒸发。蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比,具有较高的沉积速率,可镀制单质和不易热分解的化合物膜。为沉积高纯单晶膜层,可承受分子束外延方法。生长掺杂的 GaAlAs 单晶层的分子束外延装置如图 2 分子束外延装置示意图。喷射炉中装有分子 束源,在超高真空下当它被加热到肯定温度时,炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到肯定温度,沉积在基片上的分子可以徙 动,按基片晶格次序生长结
4、晶用 分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜,薄膜最慢生长速度可把握在 1 单层/秒。通过把握挡板 ,可准确地做出所需成分和构造的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件 和各种超晶格构造薄膜。溅射镀膜用高能粒子轰击固体外表时能使固体外表的粒子获得能量并逸出外表,沉积在基片上。溅射现象于 1870 年开头用于镀膜技术, 1930 年以后由于提高了沉积速率而渐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图 3 二极溅射示意图。通常将欲沉积的材料制成板材靶 ,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10 1 帕的气体通常为氩气,在阴极和阳极间加几千伏电
5、压,两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与靶外表原子碰撞,受碰撞从靶面逸出的 靶原子称为溅射原子 ,其能量在 1 至几十电子伏范围。溅射原子在基片外表沉积成膜。与蒸发镀膜不同,溅射镀膜不受膜材熔点的限制 ,可溅射 W、Ta、C、Mo、WC、TiC 等难熔物质。溅射化合物膜可用反响溅射法,马上反响气体(O、N、HS、CH 等)参加 Ar 气中,反响气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反响生成化合物如氧化物、氮化物等而沉积在基片上。沉积绝缘膜可承受高频溅射法。基片装在接地的电极上,绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接 地,一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。
6、接通高频电源后,高频电压不断转变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子,绝缘靶外表带负电,在到达动态平衡时,靶处于负的偏置电位,从而使正离子对靶的溅射持续进展。承受磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。离子镀蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体外表,称为离子镀。这种技术是 D.麦托克斯于 1963 年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统如图 4离子镀系统示意图 ,将基片台作为阴极,外壳作阳极,充入惰性气体如氩以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离 子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打
7、到基片外表。未电离的中性原 子约占蒸发料的 95%也沉积在基片或真空室壁外表。电场对离化的蒸气分子的加速作用离子能量约几百几千电子伏和氩离子对基片的溅射清洗作用,使膜层附着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发高沉积速率与溅射良好的膜层附着力工艺的特点,并有很好的绕射性,可为外形简单的工件镀膜。参考书目金原粲著,杨希光译:薄膜的根本技术,科学出版社, 北京,1982 。金原粲著:薄膜根本技,京大学出版会,京, 1976 。 光学镀膜材料纯度: 99.9%-99.9999% 高纯氧化物一氧化硅、SiO,二氧化铪、HfO ,二硼化铪, 氯氧化铪,二氧化锆、ZrO2 ,二氧化钛、 TiO2 ,一氧化钛、
8、 TiO,二氧化硅、 SiO2 ,三氧化二钛、Ti2O3 ,五氧化三钛、Ti3O5 ,五氧化二钽、 Ta2O5 ,五氧化二铌、 Nb2O5 ,三氧化二铝、Al2O3 ,三氧化二钪、 Sc2O3 ,三氧化二铟、 In2O3 ,二钛酸镨、Pr(TiO3)2 ,二氧化铈、 CeO2 ,氧化镁、MgO,三氧化钨、 WO3 ,氧化钐、Sm2O3 ,氧化钕、Nd2O3 ,氧化铋、Bi2O3 ,氧化镨、 Pr6O11 ,氧化锑、Sb2O3 , 氧化钒、V2O5 ,氧化镍、 NiO,氧化锌、ZnO,氧化铁、Fe2O3 ,氧化铬、Cr2O3 ,氧化铜、CuO 等。高纯氟化物氟化镁、MgF2 ,氟化镱、YbF3
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