半导体激光器.pptx

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1、 6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。光受激辐射、发出激光必须具备三个要素：1、激活介质经受激后能实现能级之间的跃迁；2、能使激活介质产生粒子数反转的泵浦装置；3、放置激活介质的谐振腔，提供光反馈并进行放大，发出激光。第1页/共54页受激辐射和粒子数反转分布 有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4)称为激发态。(热力学平衡状态下，在较低能级上比较高能级上存在较多的电子)电

2、子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式：受受激激吸吸收收（本本征征吸收）吸收）自发辐射自发辐射 受激辐射受激辐射第2页/共54页(a)自发辐射h=E2-E1初态初态E2E1终态终态E2E1光子的特点：非相干光第3页/共54页h初态初态E2E1终态终态E2E1(b)受激辐射光子的特点：相干光第4页/共54页 (c)受激吸收 h终态终态E2E1初态初态E2E1 产生激光的必要条件一：受激辐射占主导地位h初态初态E2E1终态终态E2E1(b)受激辐射第5页/共54页(1)自发辐射 在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放

3、的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图615(a)。(2)受激辐射 在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射，见图615(b)。(3)受激吸收 在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴，见图615(c)。第6页/共54页受激辐射和自发辐射区别在于是否有外来光子的参与，且产生的光的特点很不相同。受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发

4、跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。受激辐射和受激吸收的区别与联系 受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即 E2-E1=h式中，h=6.62810-34Js，为普朗克常数，为吸收或辐射的光子频率。第7页/共54页 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布 式中，k=1.38110-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2-E1)0，T0，

5、所以在这种状态下，总是N1N2。这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。第8页/共54页 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为吸收物质。如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢?第9页/共54页 导带 价带 导带 价带正常分布反转分布产生激光的必要条件二：粒子数反转分布第10页/共54页产生粒子

6、数反转的方法产生粒子数反转的方法注入载流子半导体激光器注入载流子半导体激光器强光对激光物质进行照射固体激光器强光对激光物质进行照射固体激光器气体电离气体激光器气体电离气体激光器第11页/共54页 图 3.2 半导体的能带和电子分布 (a)本征半导体；(b)N型半导体；(c)P型半导体 2.PN结的能带和电子分布 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec 和价带顶的能量Ev 之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。第12页/共54页在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率

7、为费米分布 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。(3.3)第13页/共54页 一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图3.2(a)。在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，见图3.2(b)。在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体，见图3.2(c)。在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场，见图3.3(a)。内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef 相同，两

8、种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜，见图3.3(b)。第14页/共54页 （a)P-N结内载流子运动；P 区PN结空间电荷区N 区内部电场 扩散 漂移势垒能量EpcP区EncEfEpvN区Env(b)零偏压时P-N结的能带倾斜图图 3.3PN结的能带和电子分布第15页/共54页h fh fEfEpcEpfEpvEncnEnv电子，空穴内部电场外加电场正向偏压下P-N结能带图获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布 第16页/共54页增益区（作用区）的产生：在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动

9、，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区。增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布，见图3.3(c)。在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光,这些光子将引起处于反转分布状态的非平衡载流子产生受激复合而发射受激辐射光子。产生粒子数反转分布的条件：第17页/共54页3 3 激光振荡和光学谐振腔激光振荡和光学谐振腔工作物质第18页/共54页光增益ECEV产生激光的必要条件三：有光学谐振腔第19页/共54页激光振荡的产生 粒子数反转分布（必要条件)+激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择=连续的光放大和激光振荡输出。

10、基本的光学谐振腔由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成，并被称为法布里-珀罗(FabryPerot,FP)谐振腔。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。3 3 激光振荡和光学谐振腔激光振荡和光学谐振腔第20页/共54页激光稳定工作的条件1：合适的谐振腔产生稳定振荡的条件（相位条件）m 纵模模数，n 激光媒质的折射率第21页/共54页注入电流有源区解理面解理面L增益介质R1R2z=0z=L 法布里珀罗腔 第22页/共54页 只有当增益等于或大于总损耗时，才能建立起稳定的只有当增益等于或大于总损耗时，才能建立起稳定的振荡，这一增益称为振荡，这一增益称为

11、阈值增益阈值增益。为达到阈值增益所要求。为达到阈值增益所要求的注入电流称为的注入电流称为阈值电流阈值电流。一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时，才能成一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时，才能成为工作模式，即在该频率上形成激光输出。为工作模式，即在该频率上形成激光输出。激光稳定工作的条件2：光增益等于或大于总损耗在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡的阈值条件为 th=+式中，th 为阈值增益系数，为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐振腔的长度，R1，R21为两个反射镜的反射率第23页/共54页 式中，为激光波长，n为激活物质的折射率，m=1,2,3 称为纵模模数。在共振腔内沿腔轴方向形成的各种驻波

12、称为谐振腔的纵模。有2个以上纵模激振的激光器，称为多纵模激光器。通过在光腔中加入色散元件或采用外腔反馈等方法，可以使激光器只有一个模式激振，这样的激光器称为单纵模激光器。L=m 激光振荡的相位条件为第24页/共54页LDLD的发光过程的发光过程注入电流，即注入载流子；注入电流，即注入载流子；在在有有源源区区形形成成粒粒子子数数反反转转，导导带带电电子子不不稳稳定定，少数电子自发跃迁到价带，产生光子；少数电子自发跃迁到价带，产生光子；1个个光光子子被被导导带带中中电电子子吸吸收收跃跃迁迁到到价价带带，同同时时释释放放出出2个个相相干干光光子子，持持续续这这个个过过程程，直直到到释释放放出多个相干

13、光子，即在合适的腔内振荡放大；出多个相干光子，即在合适的腔内振荡放大；光光子子稳稳定定振振荡荡，光光能能量量大大于于总总损损耗耗时时，LD开开始始工作。工作。第25页/共54页 4.4.半导体激光器基本结构半导体激光器基本结构驱动电源工作物质谐振腔注入式光子激励电子束激励PN结（同质结）异质结单异质结双异质结（DH）解理面布拉格反馈分布反馈式DFB分布布拉格反射式DBR第26页/共54页 4.半导体激光器基本结构 最简单的半导体激光器由一个薄有源层（厚度约）、P型和N型限制层构成，如下图所示。解理面金属接触电流有源层P型N型300m100m200m大面积半导体激光器1）、同质结（PN结）半导体

14、激光器 第27页/共54页PN能带正向电压V时形成的双简并能带结构PN结LD的特点：阈值电流高，常温下不能连续工作所加的正向偏压必须满足1）、同质结半导体激光器 4.半导体激光器基本结构第28页/共54页2）、异质结半导体激光器 同质结、异质结结构示意图为了获得高势垒,要求两种材料的禁带宽度有较大的差值。4.半导体激光器基本结构第29页/共54页 4.半导体激光器基本结构 这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。结构中间有一层厚0.1-0.3 m的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理

15、面作为反射镜构成法布里-珀罗(FP)谐振腔。图是双异质结(DH)平面条形结构。3）、双异质结（DH）半导体激光器 第30页/共54页第31页/共54页 DHDH激光器工作原理激光器工作原理 由由于于限限制制层层的的带带隙隙比比有有源源层层宽宽，施施加加正正向向偏偏压压后后，P P层的空穴和层的空穴和N N层的层的电子电子注入注入有源层有源层。P P层层带带隙隙宽宽，导导带带的的能能态态比比有有源源层层高高，对对注注入入电电子子形形成成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P P层。层。同理，同理，注入到有源层的注入到有源层的空穴空穴也不可能扩散到也不可能扩

16、散到N N层。层。这这样样，注注入入到到有有源源层层的的电电子子和和空空穴穴被被限限制制在在厚厚0.1-0.3 0.1-0.3 mm的的有有源源层层内内形形成成粒粒子子数数反反转转分分布布，这这时时只只要要很很小小的的外外加加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。另另一一方方面面，有有源源层层的的折折射射率率比比限限制制层层高高，产产生生的的激激光光被被限限制制在在有有源源区区内内，因因而而电电/光光转转换换效效率率很很高高，输输出出激激光光的的阈值电流阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。第3

17、2页/共54页 图 3.6 DH激光器工作原理(a)双异质结构；(b)能带；(c)折射率分布；(d)光功率分布 第33页/共54页 3.1.2 半导体激光器的主要特性 1.发射波长和光谱特性 半导体激光器的发射波长等于禁带宽度Eg(eV)h f=Eg(3.6)不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长。镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)材料适用于0.85 m波段 铟镓砷磷-铟磷(InGaAsP-InP)材料适用于1.3-1.55 m波段式中，f=c/，f(Hz)和(m)分别为发射光的频率和波长，c=3108 m/s为光速，h=6.62810-34JS为普朗克常数，1eV=1.

18、610-19 J，代入上式得到第34页/共54页峰值波长峰值波长：在规定输出光功率时，激光器受激辐射发出的若干发射模式中最大强度：在规定输出光功率时，激光器受激辐射发出的若干发射模式中最大强度的光谱波长。的光谱波长。中心波长中心波长：在激光器发出的光谱中，连接：在激光器发出的光谱中，连接50最大幅度值线段的中点所对应的波长。最大幅度值线段的中点所对应的波长。1.发射波长和光谱特性第35页/共54页 图 3.7 GaAlAs-DH激光器的光谱特性 (a)直流驱动;(b)300 Mb/s数字调制 0799 800 801 802Im/mA40353025I=100mAPo=10mWI=85mAPo

19、=6mWI=8 0mAPo=4mWI=75mAPo=2.3mWL=250mW=12 mT=300K830 828 832 830 828 832 830 828 826832 830 828 826 824836 834 832 830 828 826 824 822 820(a)(b)第36页/共54页 在直流驱动下，发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式(3.5)的波长存在。这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模。驱动电流变大，纵模模数变小，谱线宽度变窄。这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光

20、器称为静态单纵模激光器。图3.7(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性，由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。第37页/共54页 2.激光束的空间分布 激光束的空间分布用近场和远场来描述。近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布；远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。图是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模。由图可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模。第38页

21、/共54页图 3.8 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 第39页/共54页 3.9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a)光强的角分布；(b)辐射光束 图为典型半导体激光器的远场辐射特性，图中和分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。第40页/共54页3.转换效率和输出光功率特性 激光器的电/光转换效率可用功率效率和量子效率表示。量子效率又分为内量子效率、外量子效率以及外微分量子效率。(3.7a)由此得到(3.7b)式中，P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流，Pth 和Ith 分别为相应的阈值，h f 和e分别为光子能量和电子电荷。外微分量子

22、效率d其定义是在阈值电流以上，每对复合载流子产生的光子数外量子效率为：第41页/共54页 图 3.10 典型半导体激光器的光功率特性 (a)短波长AlGaAs/GaAs (b)长波长InGaAsP/InP 第42页/共54页4 3 2 1 0 50 100 150 02570电流/mA输出功率/mWLED的P-I特性543210 0 50 100 I/mA发射光功率P/mW 22 50 70 LD的P-I特性第43页/共54页 Ith=I0 exp(3.9)4.温度特性半导体激光器对温度十分敏感，其输出功率随温度会发生很大变化，其主要原因为：（1）激光器的阈值电流Ith 随温度升高而增大（2）

23、外微分量子效率d随温度升高而减小。温度升高时，Ith 增大，d减小，输出光功率明显下降，达到一定温度时，激光器就不再受激辐射了。当以直流电流驱动激光器时，阈值电流随温度的变化更加严重。当对激光器进行脉冲调制时，阈值电流随温度呈指数变化，在一定温度范围内，可以表示为第44页/共54页 式中，I0为常数，T为结区的热力学温度，T0为激光器材料的特征温度。GaAlAs GaAs 激光器T0=100-150 K InGaAsP-InP 激光器T0=4070 K 所以长波长InGaAsP-InP激光器输出光功率对温度的变化更加敏感。图示出脉冲调制的激光器，由于温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小

24、，造成的输出光功率特性P I曲线的变化。第45页/共54页图 3.12 P I曲线随温度的变化 第46页/共54页 3.1.3 分布反馈半导体激光器 分布反馈(DFB)激光器用靠近有源层沿长度方向制作的周期性结构(波纹状)衍射光栅实现光反馈。这种衍射光栅的折射率周期性变化，使光沿有源层分布式反馈。分布反馈激光器的要求：（1）谱线宽度更窄 （2）高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性 （3）发射光波长更加稳定，并能实现调谐 （4）阈值电流更低 （5）输出光功率更大第47页/共54页 图 3.13 分布反馈(DFB)激光器 (a)结构；(b)光反馈 第48页/共54页 如图所示，由有源层发射的光，一部

25、分在光栅波纹峰反射(如光线a)，另一部分继续向前传播，在邻近的光栅波纹峰反射(如光线b)。光栅周期=m(3.10)ne 为材料有效折射率，B为布喇格波长，m为衍射级数。在普通光栅的DFB激光器中，发生激光振荡的有两个阈值最低、增益相同的纵模，其波长为(3.11)第49页/共54页 DFB激光器与F-P激光器相比，具有以下优点：易形成单纵模振荡；谱线窄，方向行性好；高速调制时动态谱线展宽很小，单模稳定性好；输出线性度好。第50页/共54页 LD LD 的特点及应用的特点及应用 特特点点：效效率率高高、体体积积小小、重重量量轻轻、结结构构简简单单，适适宜宜在在飞飞机机、军军舰舰、坦坦克克上上应应用

26、用以以及及步步兵兵随随身身携携带带，如如在在飞飞机机上上作作测测距距仪仪来来瞄瞄准准敌敌机机。其其缺缺点点是是输输出出功功率率较较小小。目目前前半半导导体体激激光光器器可可选选择择的的波波长长主主要要局限在红光和红外区域。局限在红光和红外区域。LD LD 和和LEDLED的主要区别的主要区别 LD发射的是受激辐射光 LED发射的是自发辐射光 LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间，不同的是LED不需要光学谐振腔，没有阈值。第51页/共54页 半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能-2050 -2050-2050 -2050工作温度

27、工作温度 /C寿命寿命 t/h30120 30120 2050 2050辐射角辐射角50150 301005002000 5001000调制带宽调制带宽 B/MHz0.10.3 0.10.213 13入纤功率入纤功率 P/mW15 13510 510输出功率输出功率 P/mW100150 100150工作电流工作电流 I/mA2030 3060阀值电流阀值电流 Ith/mA50100 6012012 13谱线宽度谱线宽度1.3 1.551.3 1.55工作波长工作波长LEDLD第52页/共54页分布反馈激光器(DFB-LD)一般性能 2040 1530输出功率输出功率 P/mW(连续单纵模连续单纵模,25C)20 15外量子效率外量子效率 /%1520 2030阀值电流阀值电流 Ith/mA0.08频谱漂移频谱漂移/(nm/C)3035边模抑制比边模抑制比/dB0.040.5(Gb/s,RZ)直接调制单纵模直接调制单纵模连续波单纵模连续波单纵模谱线宽度谱线宽度 1.3 1.55工作波长工作波长第53页/共54页感谢您的观看！第54页/共54页