组成原理存储器课件.ppt

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1、组成原理课件存储器第1页，此课件共32页哦 7 7 1 1 存储器的概述存储器的概述一、存储器的分类一、存储器的分类存储器存储器内存储器内存储器外存储器外存储器磁芯存储器磁芯存储器半导体存储器半导体存储器RAMRAMROMROM静静态态 R RA AM M动动态态 R RA AM M掩掩膜膜 R RO OM MP PR RO OM ME EP PR RO OM M磁磁鼓鼓、磁磁带带光光 盘盘 磁磁 盘盘第2页，此课件共32页哦二、存储器的主要技术指标二、存储器的主要技术指标1、存储容量、存储容量 存储容量是指存储器所能存放二进制信息的数量。存储容量是指存储器所能存放二进制信息的数量。单位为单位

2、为B。存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数存储字长存储字长例例1 1：（1 1）如有一台计算机的存储器为）如有一台计算机的存储器为256K256K字，若首地址为字，若首地址为00000H00000H，那，那 么末地址的么末地址的1616进制表示是多少？进制表示是多少？（2 2）某计算机字长是）某计算机字长是3232位，它的存储容量是位，它的存储容量是256KB256KB，若按字节和字，若按字节和字编址，它的寻址范围分别是多少？编址，它的寻址范围分别是多少？MDRMDR和和MARMAR各位多少位？各位多少位？2、存储周期、存储周期 存储周期它是从一次启动存储器操作到操作完成后可存储周期它是

3、从一次启动存储器操作到操作完成后可启动下一次操作的时间。启动下一次操作的时间。第3页，此课件共32页哦练习：设有一个练习：设有一个1MB容量的存储器，字长为容量的存储器，字长为32位，问：位，问：（1）按字节编址，地址寄存器、数据寄存器各为几）按字节编址，地址寄存器、数据寄存器各为几 位？编址范围为多大？位？编址范围为多大？（2）按半字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几）按半字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几 位？编址范围为多大？位？编址范围为多大？（3）按字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几位？）按字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几位？编址范围为多大？编址范围为多大？第4页，此课件共32

4、页哦 7 7 2 2 半导体存储器半导体存储器一、概述一、概述1、半导体存储器芯片的组成、半导体存储器芯片的组成译译码码驱驱动动电电路路存存 储储 体体读读写写电电路路地址线地址线片选线片选线数据线线数据线线读读/写写 控制线控制线译码驱动电路：把译码驱动电路：把AB送来的地址信号翻译成对应存储单送来的地址信号翻译成对应存储单 元的选择信号，再经过驱动电路和读写元的选择信号，再经过驱动电路和读写 电路完成对选中存储单元的读写操作。电路完成对选中存储单元的读写操作。存储体：由大量的存储单元构成的阵列组成，用于存储存储体：由大量的存储单元构成的阵列组成，用于存储 信息。信息。读写电路：完成对存储单

5、元的读写操作。读写电路：完成对存储单元的读写操作。第5页，此课件共32页哦2 2、半导体存储器的译码驱动方式、半导体存储器的译码驱动方式（1 1）线选法）线选法：用一个译码器，将所有的地址信号转换成行（字线）用一个译码器，将所有的地址信号转换成行（字线）选通信号，每一条行选线选择一个字对应的存储单元。选通信号，每一条行选线选择一个字对应的存储单元。（161161字节）字节）P76P76图图4.94.90 ，10 ，715 ，015 ，7读读/写写 控制器控制器地地址址译译码码器器A0A1A2A3读读/写写 选通选通字字线线01507位线位线D0D7例例2：一个一个1010位地址的存储器芯片用单

6、译码方式需用多少条选通线？位地址的存储器芯片用单译码方式需用多少条选通线？第6页，此课件共32页哦 采用两个译码器，输入的地址信号分成两部分送到两个译码采用两个译码器，输入的地址信号分成两部分送到两个译码器，分别产行选通信号和列选通信号。可减少选通线的条数，器，分别产行选通信号和列选通信号。可减少选通线的条数，适合于容量较大的存储器芯片。适合于容量较大的存储器芯片。(1K1(1K1位）图位）图4.104.10例例3 3：一个：一个1010位地址的存储器芯片用双译码方式需用多少条选通线？位地址的存储器芯片用双译码方式需用多少条选通线？例例4 4：一个：一个64K64K存储容量的芯片用单译码方式和

7、双译码方式各需多少存储容量的芯片用单译码方式和双译码方式各需多少 条选通线？条选通线？I/O0 ，03232 A5A6A7A9A8X0X31X地地址址译译码码器器A0A1A2A4A30 ，3131 ，031 ，31Y地址译码器地址译码器（2 2）重合法）重合法（双译码方式）双译码方式）第7页，此课件共32页哦二、二、静态静态 RAMRAM1、静态静态 RAM RAM 的的 基本单元电路图基本单元电路图4.114.11（1）读出过程）读出过程（2）写入过程）写入过程 （3）芯片结构和引脚）芯片结构和引脚 （P77页图页图4.12和图和图4.13）列地址选择列地址选择T2T5T6T3T4T1T7T

8、8BAVcc行地址选择行地址选择写选择写选择写入写入Din读选择读选择输出输出Dout由由T1T6六个六个MOS管构成双稳态触发管构成双稳态触发电路。电路。T1、T2为工为工作管、作管、T3、T4为负为负载管、载管、T5、T6为行为行地址选择控制管。地址选择控制管。两个稳定的状态：两个稳定的状态：T1通、通、T2止为止为“1”态态T1止、止、T2通为通为“0”态态特点：特点：（1）用）用MOS管构成的双稳态触发电路来存储信息管构成的双稳态触发电路来存储信息“0”和和“1”。（2）集成度低，功耗大，价格贵，速度快。）集成度低，功耗大，价格贵，速度快。第8页，此课件共32页哦三、动态三、动态RAM

9、1、动态、动态RAM的基本单元电路的基本单元电路读选择线读选择线写选择线写选择线读数据线读数据线写数据线写数据线T2T1T3CgT4Vdd预充电信号预充电信号数据线数据线字线字线（读写控制线）（读写控制线）TCg三管三管MOSMOS动态动态RAMRAM基本单元电路基本单元电路图图4.174.17单管单管MOS动态动态RAM基本单元电路基本单元电路图图4.18特点：特点：（1）用动态元件电容存储信息）用动态元件电容存储信息“0”和和“1”。（2）集成度高，功耗低，价格低，需动态刷新电路，速度慢。）集成度高，功耗低，价格低，需动态刷新电路，速度慢。第9页，此课件共32页哦2 2、动态、动态RAMR

10、AM的刷新的刷新 动态动态RAMRAM是用靠电容存储电荷（有电荷为是用靠电容存储电荷（有电荷为“1 1”、无电荷为、无电荷为“0 0”）来寄存信息的。电容上的电荷只能维持来寄存信息的。电容上的电荷只能维持12ms12ms，所以存储的信息，所以存储的信息会自动消失，必须在会自动消失，必须在2ms2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态。内对其所有存储单元恢复一次原状态。其刷新过程就是先将原存信息读出，再利用刷新放大器形成原其刷新过程就是先将原存信息读出，再利用刷新放大器形成原信息并重新写入原单元。信息并重新写入原单元。读选择线读选择线写选择线写选择线读数据线读数据线写数据线写数据线T2T1T3Cg

11、T4Vdd预充电信号预充电信号VddPTCTBTA控制端控制端刷新放大器刷新放大器A第10页，此课件共32页哦3、刷新方法、刷新方法动态动态RAM必须采用定时刷新，即在规定的时间里对全部存储单必须采用定时刷新，即在规定的时间里对全部存储单元电路作一次刷新，一般刷新时间为元电路作一次刷新，一般刷新时间为2毫秒。在刷新周期内由专用毫秒。在刷新周期内由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新。的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新。（1）集中刷新）集中刷新在刷新周期内对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，在刷新周期内对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此时必须停止读此时必须停止读/写操作

12、。写操作。例：动态例：动态RAM芯片内芯片内3232矩阵，读写周期为矩阵，读写周期为0.5s，连续刷新，连续刷新32行需行需16s占占32个读个读/写周期。在刷新周期写周期。在刷新周期2ms内含内含4000个读个读/写写周期，实际在前周期，实际在前3968个周期用于读个周期用于读/写操作或维持，后写操作或维持，后32个周期用个周期用于刷新。于刷新。特点：访存出现特点：访存出现32/4000即即8%的死区。的死区。读读/写或保持写或保持刷新刷新TCTC TCTC TCTC第11页，此课件共32页哦（2 2）分散方式）分散方式 分散刷新是将对每行存储单元的刷新分散到每个读分散刷新是将对每行存储单元

13、的刷新分散到每个读/写周期内写周期内完成。将存取周期分成两段，一段用于读完成。将存取周期分成两段，一段用于读/写或维持，另一段用来刷写或维持，另一段用来刷新。新。特点：虽然克服了死区的现象，但使机器的存取周期由特点：虽然克服了死区的现象，但使机器的存取周期由0.5s变成变成1s，使整机的工作效率下降。，使整机的工作效率下降。（3）集中与分散结合方式（异步）集中与分散结合方式（异步）先用要刷新的行数对先用要刷新的行数对2ms进行分割，再将每行的时间分为两进行分割，再将每行的时间分为两段，前段用于读段，前段用于读/写或保持，后段时间即写或保持，后段时间即0.5s用于刷新。用于刷新。特点：即克服了死

14、区现象，又提高了整机的工作效率。特点：即克服了死区现象，又提高了整机的工作效率。例：例：128128芯片，每行刷新时间为芯片，每行刷新时间为2ms/128=15.6sTCTC TCTC TCTCR/WR/W刷新刷新R/WR/WR/WR/W刷新刷新刷新刷新读读/写写刷新刷新读读/写写读读/写写刷新刷新15.6 s15.6 s15.6 s15.6 s15.6 s15.6 s第12页，此课件共32页哦四、只读存储器四、只读存储器ROM根据制造工艺只读存储器根据制造工艺只读存储器ROM可为可为ROM、PROM、EPROM、E2PROM、FlashMemory等。等。P88911、掩膜、掩膜ROM（只读

15、存储器）（只读存储器）通过元件的通过元件的“有有”表示信息表示信息“1”，元件的，元件的“无无”来表示信息来表示信息“0”。2、PROM（一次性可编程只读存储器）（一次性可编程只读存储器）熔丝未断表示信息熔丝未断表示信息“1”，熔丝烧断表示信息，熔丝烧断表示信息“0”3、EPROM（可擦可编程序的只读存储器）（可擦可编程序的只读存储器）通过紫外线照射，可实现信息的擦除，外加通过紫外线照射，可实现信息的擦除，外加+25的编程电压及宽的编程电压及宽50ms的编程脉冲可对指定的单元写入信息的编程脉冲可对指定的单元写入信息“1”和和“0”。4、E2PROM（可电擦可编程的只读存储器）（可电擦可编程的只

16、读存储器）通过给定的擦除电压可对位或字节的信息进行擦除。（通过给定的擦除电压可对位或字节的信息进行擦除。（10万次）万次）5、FlashMemory（快擦除读写存储器）（快擦除读写存储器）通过给定的擦除实现对原有信息的擦除，并可实现在线编程。通过给定的擦除实现对原有信息的擦除，并可实现在线编程。五、只读存储器芯片的结构与引脚五、只读存储器芯片的结构与引脚（P207图图7-29）第13页，此课件共32页哦五、多体交叉存储器五、多体交叉存储器由多个存储模块构成，每个模块有相同的容量和存取速度，各由多个存储模块构成，每个模块有相同的容量和存取速度，各模块有各自独立的地址寄存器、数据寄存器、地址译码器

17、、驱动和模块有各自独立的地址寄存器、数据寄存器、地址译码器、驱动和读写电路，它们能并行、交叉工作。各自以等同的方式与读写电路，它们能并行、交叉工作。各自以等同的方式与CPU传递传递信息。信息。CPU在一个周期内分时访问每个存储体。若多体交叉存储器在一个周期内分时访问每个存储体。若多体交叉存储器由由n个存储模块构成，存储器的工作速度可提高个存储模块构成，存储器的工作速度可提高n倍。倍。它是在多总它是在多总线结构的计算机中，提高系统的吞吐率的最有效方法。线结构的计算机中，提高系统的吞吐率的最有效方法。例：问读例：问读0、5、10、15存储单元中的数据和读存储单元中的数据和读1、3、5、7存储单存储

18、单元中的数据各需多少周期？元中的数据各需多少周期？多体交叉存储器按多体交叉存储器按选择不同存储模块选择不同存储模块所用地址位是高位地址还所用地址位是高位地址还是低位地址可分为高位交叉编址的多体存储器和低位交叉编址的多是低位地址可分为高位交叉编址的多体存储器和低位交叉编址的多体存储器体存储器012345678910111213141516171819202122231#2#3#4#第14页，此课件共32页哦1、高位交叉编址的多体存储器、高位交叉编址的多体存储器1#2#3#4#地址译码器地址译码器体号体号体内地址体内地址地址译码器地址译码器CSCSCSCS体号：地址线的高位部分经译码后用于选择不同

19、存储器体号：地址线的高位部分经译码后用于选择不同存储器 芯片，各不同的存储器片选信号相连。芯片，各不同的存储器片选信号相连。体内地址：即存储器芯片的片内地址。体内地址：即存储器芯片的片内地址。特点：特点：（1）程序和数）程序和数据按存储体存据按存储体存放，一个存满后放，一个存满后再存下一个存储再存下一个存储体。体。（2）一个用于执）一个用于执行程序，另一个行程序，另一个用于与用于与I/O设备设备DMA传送。传送。第15页，此课件共32页哦例：已知例：已知RAM芯片的容量为芯片的容量为1K8，现要构成按字节寻址，现要构成按字节寻址的的2体交叉的容量为体交叉的容量为2K8存储器，若采用高位交叉编址

20、存储器，若采用高位交叉编址画出存储器的结构图。画出存储器的结构图。1#2#CSCSWEWEA9A0A9A0D7D0D7D0D7D0A9A0W/RA10第16页，此课件共32页哦 2、低位交叉编址的多体存储器、低位交叉编址的多体存储器1#2#3#4#体内地址体内地址体号体号地址译码器地址译码器CSCSCSCS体号：地址线的高位部分经译码后用于选择不同存储器体号：地址线的高位部分经译码后用于选择不同存储器 芯片，各不同的存储器片选信号相连。芯片，各不同的存储器片选信号相连。体内地址：即存储器芯片的片内地址。体内地址：即存储器芯片的片内地址。地址译码器地址译码器特点：特点：（1）程序和数）程序和数连

21、续存放在相连续存放在相邻存储体内。邻存储体内。（2）可加大存）可加大存储器的带宽。储器的带宽。第17页，此课件共32页哦例：已知例：已知RAM芯片的容量为芯片的容量为1K8，现要构成按字节寻址，现要构成按字节寻址的的2体交叉的容量为体交叉的容量为2K8存储器，若采用低位交叉编址存储器，若采用低位交叉编址画出存储器的结构图。画出存储器的结构图。1#2#CSCSWEWEA9A0A9A0D7D0D7D0D7D0A10A1W/RA0第18页，此课件共32页哦8K8a8K8 b8K8 c8K8 dA12A0D15 D8D7 D0A13某字长某字长1616位的机器，已知有一个存储器结构如图所示，看图回答：

22、位的机器，已知有一个存储器结构如图所示，看图回答：a a、存储器存储容量是多少？存储器存储容量是多少？b b、分别写出分别写出a a、b b片，片，c c、d d片的地址范围空间（按字寻址）？片的地址范围空间（按字寻址）？c c、采用多体交叉编址技术可提高存储器的读写速度，说明你采用多体交叉编址技术可提高存储器的读写速度，说明你 的理解？对该存储器如何改造方能实现的理解？对该存储器如何改造方能实现4 4体交叉编址存储体交叉编址存储 器的编址（按字节寻址）？器的编址（按字节寻址）？第19页，此课件共32页哦六、六、CPUCPU与存储器的连接与存储器的连接1 1、位扩展、位扩展 是指只进行位数据扩

23、展（加大字长），达到存储器字长的要求。是指只进行位数据扩展（加大字长），达到存储器字长的要求。连接方式：将各存储芯片的地址线、片选线和读写线相应地并联起来，连接方式：将各存储芯片的地址线、片选线和读写线相应地并联起来，而将和芯片的数据线单独列出。如用而将和芯片的数据线单独列出。如用8 8片的片的16K 116K 1的存储芯片扩充为的存储芯片扩充为16K 816K 8的存储器。地址线条数为的存储器。地址线条数为 log 2 log 2 16K16K=14 =14 CS*WE*D7 A13A0CS*WE*D6 A13A0CS*WE*D5 A13A0CS*WE*D4 A13A0CS*WE*D3 A1

24、3A0CS*WE*D2 A13A0CS*WE*D1 A13A0CS*WE*D0 A13A0练习：用练习：用4K 4 4K 4 的芯片构成的芯片构成4K 164K 16的存储器，画出连接图。的存储器，画出连接图。R/WD7D0A13A0MREQ第20页，此课件共32页哦2 2、字扩展：仅在字向扩展，而位数不变。、字扩展：仅在字向扩展，而位数不变。连接方式：将芯片的地址线、数据线、读写线并联，由片选信连接方式：将芯片的地址线、数据线、读写线并联，由片选信 号来区分各个芯片。号来区分各个芯片。例：用例：用16K 816K 8的芯片扩展成的芯片扩展成64K864K8的存储器，画出连接图。的存储器，画出

25、连接图。MREQ A15 A14 R/WD7D0A13A0WE*4#CSD7D0 A13A0 WE*3#CSD7D0 A13A0 WE*2#CSD7D0 A13A0 WE*1#CSD7D0 A13A02:4译码器译码器练习：用练习：用4K 84K 8的芯片扩展成的芯片扩展成8K88K8的存储器，画出连接图。的存储器，画出连接图。第21页，此课件共32页哦3 3、字位扩展法：先扩展位，再扩展字。是上述两种方式的结合。、字位扩展法：先扩展位，再扩展字。是上述两种方式的结合。例：用例：用2K 42K 4的的RAM RAM 芯片组成芯片组成4K 84K 8的存储器，画出连接图。的存储器，画出连接图。1

26、 1、某一、某一RAMRAM芯片，其容量为芯片，其容量为512K 8512K 8位，除电源端和接地端外，位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的最小数目为多少？该芯片引出线的最小数目为多少？5 5、某存储器采用多模块结构，其容量为、某存储器采用多模块结构，其容量为256K16256K16，分四个模块构，分四个模块构 成，试计算：成，试计算：(1)(1)各模块的存储容量是多少？各模块的存储容量是多少？(2)(2)模块内址寄存器多少位？模块内址寄存器多少位？(3)(3)模块内数据寄存器多少位？模块内数据寄存器多少位？(4)(4)连接主机的地址总线是多少条？连接主机的地址总线是多少条？A11 R/W*

27、D7D4D3D0A10A0WE*4#CS*D7D4 A10A0 WE*3#CSD3D0 A10A0 WE*2#CS*D7D4 A10A0 WE*1#CS*D3D0 A10A0MREQ*+第22页，此课件共32页哦练习：已知练习：已知CPU共有共有16条地址线、条地址线、8条数据线，用条数据线，用MREQ*（低电平（低电平有效）作为访存控制信号，用有效）作为访存控制信号，用R/W*作为读写命令信号。现有存储芯作为读写命令信号。现有存储芯片：片：ROM有有2K8和和8K8两种，两种，RAM有有1K4、2K8和和16K1及及74LS138译码器和其它门电路。译码器和其它门电路。试从上述规格中选用合适

28、芯片，画出主存和试从上述规格中选用合适芯片，画出主存和CPU连接图。要求主存连接图。要求主存地址空间分配如下：最小地址空间分配如下：最小4K空间为系统程序区，空间为系统程序区，409616383为用为用户程序区。并说明选用哪类储存芯片？选几片？户程序区。并说明选用哪类储存芯片？选几片？第23页，此课件共32页哦根据要求最小根据要求最小4K系统空间及系统空间及CPU数据线为数据线为8条可选条可选2片片2K8的的ROM芯片；芯片；而用户程序区的地址为而用户程序区的地址为409616383表明共用表明共用12K的存的存储空间可选用储空间可选用6片片2K8的的RAM芯片。芯片。MREQ A13 A12

29、 A11 R/W*D7D0A10A0 ROM 1#CSD7D0 A10A0 ROM 2#CSD7D0 A10A0 WE*RAM 1#CSD7D0 A10A0 WE*RAM 6#CSD7D0 A10A03:8译码器译码器Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7 RAM 2#RAM 3#RAM 4#RAM 5#第24页，此课件共32页哦（20102010）假定用若干个假定用若干个2K42K4位的芯片组成一个位的芯片组成一个8K88K8位位的存储器，则地址的存储器，则地址0B1FH0B1FH所在芯片的最小地址是（所在芯片的最小地址是（)。A A、0000H B0000H B、0600H C0600H C、0

30、700H D0700H D、0800H0800H下列有关下列有关RAMRAM和和ROMROM的叙述中，正确的是（的叙述中，正确的是（）。）。、RAMRAM是易失性存储器，是易失性存储器，ROMROM是非易失性存储器是非易失性存储器、RAMRAM和和ROMROM都采用随机存取方式进行信息访问；都采用随机存取方式进行信息访问；、RAMRAM和和ROMROM都可用作都可用作CacheCache、RAMRAM和和ROMROM都需要进行刷新都需要进行刷新A A、仅、仅和和 B B、仅、仅 和和C C、仅、仅 、和和 D D、仅、仅 、和和 第25页，此课件共32页哦一、填空一、填空1 1、动态、动态RA

31、MRAM是用是用()()来存储信息的。来存储信息的。2 2、衡量存储器的主要技术指标为（、衡量存储器的主要技术指标为（）和（）和（）。）。3 3、4K164K16的的RAMRAM芯片的数据线和地址线的总和为（芯片的数据线和地址线的总和为（）。）。4 4、4 4体交叉存储器是一种高速存储器，它有（体交叉存储器是一种高速存储器，它有（）个存储模块，每个模块有）个存储模块，每个模块有它自已的地址寄存器和（它自已的地址寄存器和（）寄存器。）寄存器。5 5、1K 81K 8的的RAMRAM芯片采用单译码方式时选通线为（芯片采用单译码方式时选通线为（）条，当采用双译码）条，当采用双译码方式时选通线为（方式

32、时选通线为（）条。）条。6 6、动态、动态RAMRAM存储的信息会自动消失，因些必须对所用存储单元在存储的信息会自动消失，因些必须对所用存储单元在2ms2ms内进行一次（内进行一次（）。）。7 7、动态、动态RAMRAM存储的刷新方法有（存储的刷新方法有（）、（）、（）和（）和（）三种。）三种。8 8、（、（）存储器由）存储器由n n个存储模块构成，存储器的工作速度可提高个存储模块构成，存储器的工作速度可提高n n倍，倍，它是提它是提高系统的吞吐率的最有效方法。高系统的吞吐率的最有效方法。第26页，此课件共32页哦二、选择题二、选择题1、存储器是计算机系统的记忆设备，它主要是用来（、存储器是计

33、算机系统的记忆设备，它主要是用来（）。）。A、存入数据、存入数据B、存放程序、存放程序C、存放数据和程序、存放数据和程序C、存放微程序、存放微程序2、内存为、内存为16MB，则表示其容量为（，则表示其容量为（）KB。A、16B、16384C、1024D、160003、下列说法正确的是（、下列说法正确的是（）。）。A、半导体、半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆。信息可读可写，且断电后仍能保持记忆。B、半导体、半导体RAM属断电后信息消失，而静态的属断电后信息消失，而静态的RAM断电后仍能保持断电后仍能保持记忆。记忆。C、静态的、静态的RAM和动态和动态RAM断电后信息都消失。断电后信

34、息都消失。D、ROM不用刷新，且集成度比动态不用刷新，且集成度比动态RAM高，断电后存储的信息将高，断电后存储的信息将消失。消失。4、组成、组成2MX8bit的内存，可使用（的内存，可使用（）。）。A、1MX8bit进行并联进行并联B、1MX4bit进行串联进行串联C、2MX4bit进行并联进行并联D、2MX4bit进行串联进行串联第27页，此课件共32页哦5、已知存储芯片的容量为、已知存储芯片的容量为4 41616，则该芯片内的数据寄存器的位，则该芯片内的数据寄存器的位 数为（数为（）位。）位。A A、B B、C C、D D、6 6、已知存储器芯片的容量为、已知存储器芯片的容量为4 488，

35、若该芯片采用双译码方式，若该芯片采用双译码方式，则存储器芯片所需的选通线的条数为（则存储器芯片所需的选通线的条数为（）A A、128 B128 B、1024 C1024 C、32 D32 D、64647 7、EPROMEPROM是指（是指（）。）。A A、只读存储器、只读存储器 B B、可编程只读存储器、可编程只读存储器C C、随机存储器、随机存储器 D D、可擦洗、可编程只读存储器、可擦洗、可编程只读存储器8 8、RAMRAM芯片为芯片为2MX8bit2MX8bit则该芯片引脚中则该芯片引脚中 地址线和数据线的数目之地址线和数据线的数目之 和是（和是（）。）。A A、21 B21 B、29

36、C29 C、18 D18 D、不可估计、不可估计9 9、RAMRAM芯片串联时可以（芯片串联时可以（）。）。A A、增加存储器字长、增加存储器字长 B B、增加存储器单元数量、增加存储器单元数量C C、提高存储器的速度、提高存储器的速度 D D、降低存储器的平均价格、降低存储器的平均价格第28页，此课件共32页哦10、存储周期是指（、存储周期是指（）。）。A、存储器的读出时间、存储器的读出时间B、存储器的写入时间、存储器的写入时间C、存储器连续读、存储器连续读/写操作所允许的最短时间间隔写操作所允许的最短时间间隔D、存储器连续写操作所允许的最短时间间隔、存储器连续写操作所允许的最短时间间隔11

37、、某微型计算机系统，若操作系统存丰软盘上，其内存储器应该、某微型计算机系统，若操作系统存丰软盘上，其内存储器应该采用（采用（）。）。A、RAMB、ROMC、RAM和和ROMD、CACHE12、若一台计算机的字长为、若一台计算机的字长为4字节，则表明该机器（字节，则表明该机器（）。）。A、能处理的数值最大为、能处理的数值最大为4位十进制数位十进制数B、能处理的数值最大为、能处理的数值最大为4位二进制数位二进制数C、在、在CPU中能够作为一个整体加以处理的二进制代码为中能够作为一个整体加以处理的二进制代码为32位位D、在、在CPU中运算的结查为中运算的结查为2的的32次方次方13、下列元件中存取速

38、度最快的是（、下列元件中存取速度最快的是（）。）。A、CACHEB、寄存器、寄存器C、内存、内存D、外存、外存14、某、某SRAM芯片，其容量为芯片，其容量为512X8位，除电源和接地端外，该芯片的最位，除电源和接地端外，该芯片的最小数目应为（小数目应为（）。）。A、23B、25C、50D、19第29页，此课件共32页哦15、某计算机字长、某计算机字长16位，其存储容量为位，其存储容量为2MB，若按半字编址，它的，若按半字编址，它的寻址范围是（寻址范围是（）。）。A、08MB、04MC、02MD、01M16、某计算机字长、某计算机字长32位，其存储空量为位，其存储空量为8MB，若按双字编址，它

39、的，若按双字编址，它的寻址范围是（寻址范围是（）。）。A、0256KB、0512KC、01MD、02M三、综合题三、综合题1 1、某存储器采用多模块结构，其容量为、某存储器采用多模块结构，其容量为256K16256K16，分四个模块构，分四个模块构 成，试计算：成，试计算：（1 1）各模块的存储容量是多少？各模块的存储容量是多少？（2 2）模块内址寄存器多少位？模块内址寄存器多少位？（3 3）模块内数据寄存器多少位？模块内数据寄存器多少位？（4 4）连接主机的地址总线是多少条？连接主机的地址总线是多少条？（5 5）CPUCPU是如何选择各模块的？是如何选择各模块的？第30页，此课件共32页哦2

40、 2、要求用、要求用128K16128K16位的位的SRAMSRAM芯片设计芯片设计512K 16512K 16位的存位的存储器，用储器，用64K 864K 8位的位的EPROMEPROM芯片组成芯片组成128K 16128K 16位的只位的只读存储器。读存储器。问问：（1 1）存储器数据寄存器多少位？）存储器数据寄存器多少位？（2 2）存储器地址寄存器多少位？）存储器地址寄存器多少位？（3 3）两种芯片各需多少片？）两种芯片各需多少片？（4 4）若）若EPROMEPROM的地址从的地址从00000H00000H开始，开始，RAMRAM的地的地址从址从 60000H60000H开始分别写出开始

41、分别写出EPROMEPROM和和RAMRAM的末地址。的末地址。第31页，此课件共32页哦3 3、某机器中，已知有一个存储器结构如图所示，看图回答：、某机器中，已知有一个存储器结构如图所示，看图回答：（1 1）存储器存储容量是多少？）存储器存储容量是多少？（2 2）分别写出）分别写出a a、b b片，片，c c、d d片的地址范围空间（按字节寻址）片的地址范围空间（按字节寻址）？（3 3）采用多体交叉编址技术可提高存储器的读写速度，）采用多体交叉编址技术可提高存储器的读写速度，说明你的理解？对该存储器如何改造方能实现说明你的理解？对该存储器如何改造方能实现2 2体交叉编体交叉编址（按字节寻址）？址（按字节寻址）？8K4 a 8K4 b8K4 c8K4 dA12A0A13D3D0D7D4第32页，此课件共32页哦