光电导探测器精选PPT.ppt

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1、关于光电导探测器第1页，讲稿共91张，创作于星期一 一、基本概念一、基本概念 某某些些物物质质吸吸收收了了光光子子的的能能量量产产生生本本征征吸吸收收或或杂杂质质吸吸收收，从从而而改改变变了了物物质质电电导导率率的的现现象象称称为为物物质质的的光光电电导导效效应应。利利用用具具有有光光电电导导效效应应的的材材料料（如如硅硅、锗锗等等本本征征半半导导体体与与杂杂质质半半导导体体，硫硫化化镉镉、硒硒化化镉镉、氧氧化化铅铅等等）可可以以制制成成电电导导随随入入射射光光度度量量变变化化的的器器件件，称称为为光光电电导导器器件件。最最典型的光电导器件是光敏电阻典型的光电导器件是光敏电阻。第2页，讲稿共9

2、1张，创作于星期一二、光电子器件的基本特性二、光电子器件的基本特性：光电探测器的基本特性包括：响应特性：响应率、探测率、时间常数噪声特性：信号噪声比光电成像器件的特性：响应特性成像特性：分辨率、空间频率特性以及空间抽样特性噪声特性本节只介绍响应特性、探测率及吸收系数1.1.1光谱响应率和响应率光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比、即单位入射光功率作用下探测器的输出信号电压或电流称为响应率，包括光谱响应率和积分响应率。、光谱响应率第3页，讲稿共91张，创作于星期一第4页，讲稿共91张，创作于星期一第5页，讲稿共91张，创作于星期一第6页，讲稿共91张，创作于星期一第7页，讲稿共91张

3、，创作于星期一第8页，讲稿共91张，创作于星期一1.2光电导探测器的原理根据内光电效应制成的光电器件。当光子能量大于禁带宽度时，把价带中的电子激发到导带，价带中留下自由空穴，从而引起材料电导率增加，这就是本征光电导效应当光子能量激发杂志半导体的施主或者受主，使他们电离，产生自由电子或者空穴，从而增加材料电导率，为非本征光电导效应。1.2.1光电导效应：1、欧姆定律：2、漂移速度和迁移率：第9页，讲稿共91张，创作于星期一第10页，讲稿共91张，创作于星期一1.3光敏电阻光敏电阻光敏电阻的工作原理和结构光敏电阻的工作原理和结构光敏电阻的特性参数光敏电阻的特性参数光敏电阻的变换电路光敏电阻的变换电

4、路常用光敏电阻常用光敏电阻小结小结应用实例应用实例第11页，讲稿共91张，创作于星期一1.3.1光敏电阻的工作原理和结构光敏电阻的工作原理和结构第12页，讲稿共91张，创作于星期一 图示为光敏电阻的原理与器件符号图。在均匀的图示为光敏电阻的原理与器件符号图。在均匀的具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极便构成具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极便构成光敏电阻。光敏电阻。当光敏电阻的两端加上适当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压当的偏置电压Ubb后，当后，当光照射到光电导体上，光照射到光电导体上，由光照产生的光生载流由光照产生的光生载流子在外加电场作用下沿子在外加电场作用下沿一定方向运动，在

5、电路一定方向运动，在电路中产生电流中产生电流Ip，用检流，用检流计可以检测到该电流。计可以检测到该电流。一。光敏电阻工作原理一。光敏电阻工作原理第13页，讲稿共91张，创作于星期一光敏电阻演示光敏电阻演示当光敏电阻当光敏电阻受到光照时，受到光照时，光生电子光生电子空空穴对增加，阻穴对增加，阻值减小，电流值减小，电流增大。增大。暗电流（越小越好）暗电流（越小越好）第14页，讲稿共91张，创作于星期一第15页，讲稿共91张，创作于星期一M1的理解的理解光电导内增益光电导内增益说明载流子已经渡越完毕，但载流子的平均寿命还未说明载流子已经渡越完毕，但载流子的平均寿命还未中止。这种现象可以这样理解：光生

6、电子向正极运动，空中止。这种现象可以这样理解：光生电子向正极运动，空穴向负极运动，可是空穴的移动可能被晶体缺陷和杂质形穴向负极运动，可是空穴的移动可能被晶体缺陷和杂质形成的俘获中心陷阱所俘获。因此，当电子到达正极消失成的俘获中心陷阱所俘获。因此，当电子到达正极消失时，陷阱俘获的正电中心（空穴）仍留在体内，它又会将时，陷阱俘获的正电中心（空穴）仍留在体内，它又会将负电极的电子感应到半导体中来，被诱导进来的电子又在负电极的电子感应到半导体中来，被诱导进来的电子又在电场中运动到正极，如此循环直到正电中心消失。这就相电场中运动到正极，如此循环直到正电中心消失。这就相当放大了初始的光生电流。当放大了初始

7、的光生电流。第16页，讲稿共91张，创作于星期一如何提高如何提高M光电导内增益光电导内增益选用平均寿命长、迁移率大的半导体材料；选用平均寿命长、迁移率大的半导体材料；减少电极间距离；减少电极间距离；加大偏压加大偏压参数选择合适时，参数选择合适时，M值可达值可达102量级量级第17页，讲稿共91张，创作于星期一光敏电阻分类本征型掺杂型入射光子的能量大于或等于半入射光子的能量大于或等于半入射光子的能量大于或等于半入射光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度时能激发电子导体的禁带宽度时能激发电子导体的禁带宽度时能激发电子导体的禁带宽度时能激发电子空穴对空穴对空穴对空穴对EcEvEg入射光子的能量大于或等

8、入射光子的能量大于或等于杂质电离能时就能激发于杂质电离能时就能激发电子空穴对电子空穴对EcEvEg常用于可见光波段测试常用于可见光波段测试常用于可见光波段测试常用于可见光波段测试常用于红外波段甚至远红外测试常用于红外波段甚至远红外测试第18页，讲稿共91张，创作于星期一光电导器件材料光电导器件材料禁带宽度禁带宽度（eV）光谱响应范围光谱响应范围（nm）峰值波长峰值波长（nm）硫化镉（硫化镉（CdS）2.45400800515550硒化镉（硒化镉（CdSe）1.74680750720730硫化铅（硫化铅（PbS）0.4050030002000碲化铅（碲化铅（PbTe）0.316004500220

9、0硒化铅（硒化铅（PbSe）0.2570058004000硅（硅（Si）1.124501100850锗（锗（Ge）0.6655018001540锑化铟（锑化铟（InSb）0.1660070005500砷化铟（砷化铟（InAs）0.33100040003500常用光电导材料常用光电导材料每一种半导体或绝缘体都有一定的光电导效应，但只有其中一部分材料经过每一种半导体或绝缘体都有一定的光电导效应，但只有其中一部分材料经过特殊处理，掺进适当杂质，才有明显的光电导效应。现在使用的光电导材料特殊处理，掺进适当杂质，才有明显的光电导效应。现在使用的光电导材料有有-族、族、-族化合物，硅、锗等，以及一些有机物

10、。族化合物，硅、锗等，以及一些有机物。第19页，讲稿共91张，创作于星期一光敏电阻的结构光敏电阻的结构:在一块光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云在一块光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其它绝缘材料基板上，两端接电极引线，封装在带有窗母、高频瓷或其它绝缘材料基板上，两端接电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。口的金属或塑料外壳内。二二.光敏电阻的基本结构光敏电阻的基本结构光敏面作成蛇形，电极是在一定的掩模下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形光敏面作成蛇形，电极是在一定的掩模下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。这种梳状电极可以保证有较大的受光表面，也可以减小电极之间距离

11、，成的。这种梳状电极可以保证有较大的受光表面，也可以减小电极之间距离，从而减小极间电子渡越时间，提高灵敏度。从而减小极间电子渡越时间，提高灵敏度。1-光导层;2-玻璃窗口;3-金属外壳;4-电极;5-陶瓷基座;6-黑色绝缘玻璃;7-电阻引线。RG12 34567(a)结构(b)电极(c)符号CdS光敏电阻的结构和符号第20页，讲稿共91张，创作于星期一（a a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。（b b）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，并在其上设置电极。）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，

12、并在其上设置电极。（c c）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属电极。电极。导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照表面薄层，虽然产生的载流子也有少数扩散导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照表面薄层，虽然产生的载流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有限，因此光电导体一般都做成薄层。到内部去，但扩散深度有限，因此光电导体一般都做成薄层。灵敏度易受湿度的影响，因此要将导光电导体严密封装在玻璃壳体中。灵敏度易受湿度的影响，因此要将导光电导体严密封装在玻璃壳体中。第21页，讲稿共91张，创作于星期

13、一光敏电阻实物图光敏电阻实物图 当光敏电阻受到光照时，当光敏电阻受到光照时，阻值减小阻值减小。光电导效应：在光作光电导效应：在光作用下使物体的电阻率用下使物体的电阻率改变的现象改变的现象.第22页，讲稿共91张，创作于星期一 光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件，它与光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件，它与其他光电器件的特性的差别表现在它的基本特性参数其他光电器件的特性的差别表现在它的基本特性参数上。光敏电阻的基本特性参数包含光电导特性、时间上。光敏电阻的基本特性参数包含光电导特性、时间响应、光谱响应、伏安特性与噪声特性等。响应、光谱响应、伏安特性与噪声特性等。1.3 3.2 光敏电阻的主要

14、特性参数光敏电阻的主要特性参数第23页，讲稿共91张，创作于星期一一、光谱响应率光谱响应率光谱响应率表示在某一特定波长下，输出光电流(或电压)与入射辐射能量之比光谱响应率为由由和和第24页，讲稿共91张，创作于星期一多用相对灵敏度曲线表示。多用相对灵敏度曲线表示。在可见光区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线在可见光区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线1-硫化镉单晶2-硫化镉多晶3-硒化镉多晶4-硫化镉与硒化镉混合多晶 由图可见，这几种光敏电阻的光由图可见，这几种光敏电阻的光谱特性曲线覆盖了整个可见光区，谱特性曲线覆盖了整个可见光区，峰值波长在峰值波长在515600nm之间。因之间。因此可用于与人眼

15、有关的仪器，例此可用于与人眼有关的仪器，例如照相机、照度计、光度计等。如照相机、照度计、光度计等。但它们的形状与但它们的形状与V()曲线还不完曲线还不完全一致。如直接使用，与人的视全一致。如直接使用，与人的视觉还有一定的差距，所以必须觉还有一定的差距，所以必须加加滤光片进行修正滤光片进行修正，使其特性曲线与，使其特性曲线与V()曲线完全符合，这样即可得曲线完全符合，这样即可得到与人眼视觉相同的效果。到与人眼视觉相同的效果。二、光谱特性光谱特性第25页，讲稿共91张，创作于星期一在红外区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线在红外区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线第26页，讲稿共91张，创作于星期一三

16、三.噪声特性噪声特性 热噪声（热噪声（1MHz）产生复合噪声产生复合噪声(1kHz1MHz)电流噪声（低频）电流噪声（低频）高频高频 低频低频 高频高频 低频低频 1、噪声及探测率、噪声及探测率第27页，讲稿共91张，创作于星期一/f热噪声热噪声产生复合噪声产生复合噪声总噪声总噪声ffc0总噪声总噪声第28页，讲稿共91张，创作于星期一2.噪声对偏流的影响噪声对偏流的影响 第29页，讲稿共91张，创作于星期一四四.伏安特性伏安特性 加在光敏电阻两端的电压加在光敏电阻两端的电压U与流过它的电流与流过它的电流Ip的关系曲线，的关系曲线，并称其为光敏电阻的伏安特性。并称其为光敏电阻的伏安特性。典型典

17、型CdS光敏电阻的伏安特性曲线光敏电阻的伏安特性曲线图中的虚线为额定功耗线。使图中的虚线为额定功耗线。使用光敏电阻时，应使电阻的实际用光敏电阻时，应使电阻的实际功耗不超过额定值。从图上来说，功耗不超过额定值。从图上来说，就是不能使静态工作点居于虚线就是不能使静态工作点居于虚线以内的区域。按这一要求在设计以内的区域。按这一要求在设计负载电阻时，应不使负载线与额负载电阻时，应不使负载线与额定功耗线相交定功耗线相交。第30页，讲稿共91张，创作于星期一五、光电特性和光电特性和 值值光电特性：光电流与入射光通量（照度）的关系1.弱光照射时：光电流与光通量（照度）成正比，即保持线性弱光照射时：光电流与光

18、通量（照度）成正比，即保持线性关系关系式中式中g gp p称为光敏电阻的光电导称为光敏电阻的光电导,Sg为单位电场下的光电导灵敏度，为单位电场下的光电导灵敏度，E为光敏电阻的照度。为光敏电阻的照度。第31页，讲稿共91张，创作于星期一2.强光照射时，强光照射时，光电流与光通量（照度）成非线性。光电流与光通量（照度）成非线性。为光电转换因子，是一个随光度量变化的指数为光电转换因子，是一个随光度量变化的指数 与材料和入射光强弱有关，对于硫化镉光电导体，在弱光照下与材料和入射光强弱有关，对于硫化镉光电导体，在弱光照下1，在强光照下，在强光照下1/2，一般，一般0.51。在通常的照度范。在通常的照度范

19、围内围内(10-1104lx)，的值接近于的值接近于1第32页，讲稿共91张，创作于星期一 如图所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流如图所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流Ip与入射与入射光照度光照度E间的变化关系，由图可见它是由直线性渐变到非线性的间的变化关系，由图可见它是由直线性渐变到非线性的。第33页，讲稿共91张，创作于星期一电阻照度关系曲线电阻照度关系曲线 在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用如图所示的两种在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用如图所示的两种坐标框架特性曲线。其中坐标框架特性曲线。其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值为线性直角坐标系中光敏电

20、阻的阻值R与入射照与入射照度度EV的关系曲线，而的关系曲线，而(b)为对数直角坐标系下的阻值为对数直角坐标系下的阻值R与入射照度与入射照度EV的关系的关系曲线。曲线。值为对数坐标下特性曲线的斜值为对数坐标下特性曲线的斜率。率。R1与与R2分别是照度为分别是照度为E1和和E2时时光敏电阻的阻值。光敏电阻的阻值。第34页，讲稿共91张，创作于星期一六、前历效应前历效应 前历效应前历效应是指光敏电阻的时间特性与工作前是指光敏电阻的时间特性与工作前“历历史史”有关的一种现象。前历效应有有关的一种现象。前历效应有暗态前历暗态前历与与亮态前亮态前历历之分。之分。暗态前历效应：是指光敏电阻测试或工作前处于暗

21、态前历效应：是指光敏电阻测试或工作前处于暗态，当它突然受到光照后表现为暗态。前历越暗态，当它突然受到光照后表现为暗态。前历越长，光电流上升越慢。长，光电流上升越慢。其效应曲线如下图所示。一般，工作电压越低，光照其效应曲线如下图所示。一般，工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越重度越低，则暗态前历效应就越重。第35页，讲稿共91张，创作于星期一硫化镉光敏电阻的暗态前历效应曲线硫化镉光敏电阻的暗态前历效应曲线1-黑暗放置3分钟后2-黑暗放置60分钟后3-黑暗放置24小时后第36页，讲稿共91张，创作于星期一亮态前历效应亮态前历效应 指光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工指光敏电阻测试或

22、工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象，作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象，其效应曲线如下图所示。一般，亮电阻由高照度状态变其效应曲线如下图所示。一般，亮电阻由高照度状态变为低照度状态达到稳定值时所需的时间要比由低照度状为低照度状态达到稳定值时所需的时间要比由低照度状态变为高照度状态时短。态变为高照度状态时短。硫化镉光敏电硫化镉光敏电阻亮态前历效阻亮态前历效应曲线应曲线第37页，讲稿共91张，创作于星期一七、温度特性七、温度特性 光敏电阻的温度特性很复杂，在一定的照度下，亮电阻光敏电阻的温度特性很复杂，在一定的照度下，亮电阻的温度系数的温度系数（

23、有正有负）有正有负）R1、R2分别为与温度T1、T2相对应的亮电阻。光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。第38页，讲稿共91张，创作于星期一 右图所示为典型右图所示为典型CdSCdS（实（实线）与线）与CdSeCdSe（虚线）光敏电阻（虚线）光敏电阻在不同照度下的温度特性曲线。在不同照度下的温度特性曲线。可以看出这两种光敏电阻的相可以看出这两种光敏电阻的相对光电导率随温度的升高而下对光电导率随温度的升高而下降，亮电阻变大。降，亮电阻变大。I/A100150200-50-1030 5010-30T/C硫化镉的光电流硫化镉的光电流I和温度和温度T的关系的关系温度升高，亮电阻变大，电流

24、变小温度升高，亮电阻变大，电流变小第39页，讲稿共91张，创作于星期一 温温度度对对光光谱谱响响应应也也有有影影响响。随随着着温温度度的的升升高高，其其暗暗电电阻阻和和灵灵敏敏度度下下降降，光光谱谱特特性性曲曲线线的的峰峰值值向向波波长长短短的的方方向向移移动动。硫硫化化镉镉的的光光电电流流I I和和温温度度T T的的关关系系如如图图所所示示。有有时时为为了了提提高高灵灵敏敏度度，或或为为了了能能够够接接收收较较长长波波段段的的辐辐射射，将将元元件件降降温温使使用用。例例如如，可可利利用用制制冷冷器器使使光光敏敏电电阻阻的的温温度度降降低。低。2040608010001.02.03.04.0/

25、mI/mA+20C-20C温度改变光谱响应温度改变光谱响应第40页，讲稿共91张，创作于星期一一般n型半导体的EF位于Ei之上Ec之下的禁带中。EF既与温度有关，也与杂质浓度ND有关：一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近；如果掺杂一定，温度越高EF距Ec越远，也就是越趋向Ei。Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系第41页，讲稿共91张，创作于星期一八八.响应时间和频率响应响应时间和频率响应 光敏电阻的响应时间（又称为惯性）比其他光电器件要差些（惯性要大），频率响应要低些，而且具有特殊性。当用一个理想方波脉冲辐射照射光敏电阻时，光生电子要有产生的过程，光生电导率要经过一定

26、的时间才能达到稳定。当停止辐射时，复合光生载流子也需要时间，表现出光敏电阻具有较大的惯性。通常光敏电阻的响应时间与入射辐射的强弱有关，光照越强其时间常数越小，光照越弱其时间常数越大。下面分别讨论。第42页，讲稿共91张，创作于星期一1.1.弱辐射作用情况下的时间响应弱辐射作用情况下的时间响应弱辐射作用情况下的时间响应弱辐射作用情况下的时间响应 t0t0t=0t=0对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率和光电流I随时间变化的规律为当当t t=时，时，=0.63=0.63 0 0，I I=0.63I=0.63Ie0e0；定义定义 r r为光敏电阻的上升时间常数为光敏电阻的上升时间常数 停止辐射时

27、，入射辐射通量为停止辐射时，入射辐射通量为t=0t=0t0t0光电导率和光电流随时间变化的规律为光电导率和光电流随时间变化的规律为 显然，光敏电阻在弱辐射作用下的上显然，光敏电阻在弱辐射作用下的上升时间常数升时间常数r r与下降时间常数与下降时间常数f f近似近似相等。相等。当当t t=，=0.37=0.37 0 0，I I=0.37I=0.37Ie0e0；定义定义 f f为下降时间常数为下降时间常数 第43页，讲稿共91张，创作于星期一2.2.强辐射作用情况下的时间响应强辐射作用情况下的时间响应强辐射作用情况下的时间响应强辐射作用情况下的时间响应 t0t0t=0t=0光电导率和光电流变化的规

28、律为当当t t=时，时，=0.76=0.76 0 0，I I=0.76I=0.76Ie0e0；定义定义 r r为光敏电阻的上升时间常数为光敏电阻的上升时间常数 停止辐射时，入射辐射通量为停止辐射时，入射辐射通量为t=0t=0t0t0光电导率和光电流随时间变化的规律为光电导率和光电流随时间变化的规律为 当当t t=，=0.5=0.5 0 0，I I=0.5I=0.5Ie0e0；定义定义 f f为下降时间常数为下降时间常数 第44页，讲稿共91张，创作于星期一频率响应特性频率响应特性 光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的，非平衡载流子的产生光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的，非平衡载流子的产生与

29、复合都有一个时间过程，这个时间过程在一定程度上影响了光敏电与复合都有一个时间过程，这个时间过程在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应。光敏电阻采用交变光照时，其输出将随入射光阻对变化光照的响应。光敏电阻采用交变光照时，其输出将随入射光频率的增加而减小。频率的增加而减小。1-硒 2-硫化镉 3-硫化铊 4-硫化铅 f3dB通常，通常，CdSCdS的响应时间在几十毫秒至几秒；的响应时间在几十毫秒至几秒；CdSeCdSe的响应时间约为的响应时间约为1010-2-21010-3-3s s；PbSPbS约为约为1010-4-4s s。由此可见，要达到稳定输出，频率响应不会超过。由此可见，要达到稳定输

30、出，频率响应不会超过10kHz10kHz，一般为，一般为1kHz1kHz。第45页，讲稿共91张，创作于星期一增益带宽积意义：当一个器件制作完后，外加电压确定后，增益带宽积为常量。增益带宽积意义：当一个器件制作完后，外加电压确定后，增益带宽积为常量。也就是说，光电导器件的频带宽度和光电增益是矛盾的，二者不可兼容，灵敏也就是说，光电导器件的频带宽度和光电增益是矛盾的，二者不可兼容，灵敏度高的光电导器件，频带必然窄。度高的光电导器件，频带必然窄。忽视外电路时间常数影响时，响应时间等于光生载流子平均寿命忽视外电路时间常数影响时，响应时间等于光生载流子平均寿命忽视外电路时间常数影响时，响应时间等于光生

31、载流子平均寿命忽视外电路时间常数影响时，响应时间等于光生载流子平均寿命增益带宽积增益带宽积第46页，讲稿共91张，创作于星期一3.2.33.2.3 光敏电阻的变换电路光敏电阻的变换电路第47页，讲稿共91张，创作于星期一：探测器电阻：探测器电阻：偏置电阻（或负载电阻）：偏置电阻（或负载电阻）一、基本偏置的静态设计一、基本偏置的静态设计1.图解法图解法负载回路方程负载回路方程伏安曲线伏安曲线负载线负载线伏安特性伏安特性（缓变辐射）（缓变辐射）（缓变辐射）（缓变辐射）第48页，讲稿共91张，创作于星期一2.解析法解析法偏置电流偏置电流输出点电压输出点电压光敏电阻功耗光敏电阻功耗入射辐射变化时，偏置

32、电阻入射辐射变化时，偏置电阻RL两两端的输出信号电流、电压变化端的输出信号电流、电压变化为为？电路参数确定后，输出信号变化与入射辐射量的变化成线性关系。电路参数确定后，输出信号变化与入射辐射量的变化成线性关系。第49页，讲稿共91张，创作于星期一设入射于光敏电阻的辐射为调制辐射正弦，RLRdipCdVL等效微变电路基本偏置电路二、基本偏置的动态设计二、基本偏置的动态设计第50页，讲稿共91张，创作于星期一思考：用图解法如何分析？思考：用图解法如何分析？输出的交流部分电流输出的交流部分电压第51页，讲稿共91张，创作于星期一检测微弱信号时需考虑器件的固有噪声：检测微弱信号时需考虑器件的固有噪声：

33、热噪声、产生复合噪声及热噪声、产生复合噪声及/f噪声噪声光敏电阻若接收调制辐射，其噪声的等效电路如图所示ipingrintinfRLRdCd考虑噪声时的噪声等效电路第52页，讲稿共91张，创作于星期一三、输出信号特性分析三、输出信号特性分析令令从功率匹配和最大信噪比两个方面分析：VS和VB、RL的关系第53页，讲稿共91张，创作于星期一推导：将式推导：将式对对求导，并令等式为零以求解求导，并令等式为零以求解的最大值，即的最大值，即:则仅则仅有极大值：有极大值：此时称为功率匹配，输出信号电压的变化也最大。此时称为功率匹配，输出信号电压的变化也最大。1.功率匹配功率匹配 V VB B是否能无穷大？

34、是否能无穷大？是否能无穷大？是否能无穷大？（1）VS与与RL的关系的关系（定负载线斜率）（定负载线斜率）第54页，讲稿共91张，创作于星期一(2)VS和和VB的关系的关系(由功耗线确定由功耗线确定VB)增大，增大，也随之增大，但功耗也随之增大，但功耗也会增大，导致探测器损坏。也会增大，导致探测器损坏。因此对应一定功耗存在一偏置电压最大值因此对应一定功耗存在一偏置电压最大值最大功耗最大功耗超出功耗！超出功耗！第55页，讲稿共91张，创作于星期一例：例：PbS最大功耗为最大功耗为0.2W/cm2，使用时要低于比值，使用时要低于比值0.1W/cm2解：由解：由其中，其中，为为探探测测器光敏面器光敏面

35、积积（单单位：平方厘米）位：平方厘米）第56页，讲稿共91张，创作于星期一存在一个最佳偏流，其对应最高信噪比，信噪比较大时所对应的偏压要存在一个最佳偏流，其对应最高信噪比，信噪比较大时所对应的偏压要比最大可加电压比最大可加电压VBmax小小。2.信噪比最佳时偏置条件的确定信噪比最佳时偏置条件的确定最佳偏流最佳偏流g-r噪声1/f噪声偏置电流偏置电流输出点信号电压输出点信号电压第57页，讲稿共91张，创作于星期一 在满足功耗的前提下，根据系统要求综在满足功耗的前提下，根据系统要求综合考虑信号幅度和信噪比。合考虑信号幅度和信噪比。最佳偏压的确定最佳偏压的确定 第58页，讲稿共91张，创作于星期一

36、分析：流过探测器的电流近似恒定电流，与分析：流过探测器的电流近似恒定电流，与Rd无关无关,不随光辐射的变化而变化。不随光辐射的变化而变化。1.恒流偏置恒流偏置四、光电导探测器三种偏置方式四、光电导探测器三种偏置方式特点：信号受探测器电阻影响严重！特点：信号受探测器电阻影响严重！第59页，讲稿共91张，创作于星期一例：高阻高阻PC探测器的恒流偏置电路课本p276图4.12如果采用左图简单的恒流偏置电路要求RLRd，又要IL较大，则VB要求很高电压。例：VB（RLRd）IL=(500K+100K)0.5mA=300V第60页，讲稿共91张，创作于星期一例：锑化铟（例：锑化铟（InSb）PC探测器（

37、探测器（77K）的恒流偏置电路）的恒流偏置电路第61页，讲稿共91张，创作于星期一2.恒压偏置恒压偏置 分析分析：探测器上的电压近似等于：探测器上的电压近似等于VB，与，与Rd无关，基本恒定，与光辐射变化无关。但无关，基本恒定，与光辐射变化无关。但流过探测器的偏流不恒定，随流过探测器的偏流不恒定，随Rd变化。变化。特点：输出信号电压不受探测器电阻特点：输出信号电压不受探测器电阻Rd的影响的影响!第62页，讲稿共91张，创作于星期一例：硫化铅（例：硫化铅（PbS）PC探测器的恒压偏置探测器的恒压偏置课本p276图4.14课本p276图4.13第63页，讲稿共91张，创作于星期一 特点：与上两种偏

38、置比较，当特点：与上两种偏置比较，当R Rd d变化时探测器变化时探测器上的功率变化最小上的功率变化最小(恒功率的来源恒功率的来源)。输出信号电压的变化也最大（如前分析）。输出信号电压的变化也最大（如前分析）。3.恒功率偏置（匹配偏置）恒功率偏置（匹配偏置）功率匹配功率匹配第64页，讲稿共91张，创作于星期一例：锑化铟（例：锑化铟（InSb）光电导探测器（）光电导探测器（77K）的匹配偏置电路）的匹配偏置电路由偏置电压源（12V）和R1，DW1,R2,R3以及C1构成的稳压滤波电路提供稳定的偏置电压。探测器暗阻（77K时）为1.8k，RL亦为1.8k，构成匹配偏置。注意该处的稳压管DW2用来保

39、护探测器，使之两端电压不超过额定值。第65页，讲稿共91张，创作于星期一4.三种偏置方式比较（1）从响应度和偏置电压源方面比较）从响应度和偏置电压源方面比较 恒流偏置（恒流偏置（RLRd，取，取RL=10Rd)匹配偏置（匹配偏置（RL=Rd）恒恒压压偏置（偏置（RL匹配偏置匹配偏置恒压偏置恒压偏置由于恒流偏置需要很高由于恒流偏置需要很高的的VB，在实用中可采，在实用中可采用匹配偏置而获得与用匹配偏置而获得与恒流偏置相当的响应恒流偏置相当的响应度。度。偏置电压偏置电压:恒流偏置恒流偏置匹配偏置匹配偏置恒压偏置恒压偏置第66页，讲稿共91张，创作于星期一（2）从放大器输出的）从放大器输出的S/N比

40、较比较n 当探测器与放大器系统的噪声以放大当探测器与放大器系统的噪声以放大器的非热噪声（器的非热噪声（1/f噪声噪声,g-r噪声）和噪声）和前放的前放的In为主时，信噪比与偏置方为主时，信噪比与偏置方式无关（即与式无关（即与RL无关）。无关）。n 当系统以探测器的热噪声和前当系统以探测器的热噪声和前放的放的En为主时：为主时：恒流偏置恒流偏置S/N匹配偏置匹配偏置S/N恒压偏置恒压偏置S/N。第67页，讲稿共91张，创作于星期一5小结小结（1）PC探测器一定要加偏置电路。探测器一定要加偏置电路。（2）设计偏置电路时（确定）设计偏置电路时（确定VB和和RL），首先要根据所用探测器的信号噪声及），

41、首先要根据所用探测器的信号噪声及S/N输出对输出对偏置电流偏置电流IL的关系曲线选定的关系曲线选定IL值。通常在值。通常在S/N最大值范围内选取。最大值范围内选取。（3）选定）选定IL值，再根据系统情况选择偏置方式来确定值，再根据系统情况选择偏置方式来确定RL值。值。一般按一般按 S/N大为准则，优先选用恒流偏置大为准则，优先选用恒流偏置，即，即RL Rd（一般为（一般为RL10Rs），无必要或不），无必要或不便采用恒流偏置时，可用恒压和匹配偏置。便采用恒流偏置时，可用恒压和匹配偏置。选用恒压偏置时，一般使选用恒压偏置时，一般使10RLRd，其信号输出幅值稳定，受，其信号输出幅值稳定，受Rd变

42、化影响小。变化影响小。对于高阻探测器（对于高阻探测器（Rd一般大于一般大于1M），一般不采用恒流偏置（偏压要相当高），同时），一般不采用恒流偏置（偏压要相当高），同时如对响应时间也有较高要求，则如对响应时间也有较高要求，则RL就不能选大，而常采用恒压偏置或匹配偏置。就不能选大，而常采用恒压偏置或匹配偏置。（4）根据）根据VB IL（RL+Rs），在），在Rd，RL，IL已定下，算出已定下，算出VB值，且满足值，且满足VBVBmax，否，否则需重新设计选定。则需重新设计选定。第68页，讲稿共91张，创作于星期一判断电路的偏置方式第69页，讲稿共91张，创作于星期一3.2.4常用光敏电阻常用光敏电

43、阻第70页，讲稿共91张，创作于星期一光谱响应范围宽，光谱响应范围宽，测光范围宽，测光范围宽，灵敏度高，灵敏度高，无极性之分无极性之分,价格便宜价格便宜,强光照射下线性较差，频率特性也较差。强光照射下线性较差，频率特性也较差。光敏电阻的光敏电阻的重要特点重要特点是：是：光敏电阻按光谱范围可分为紫外、可见光、红外；按晶光敏电阻按光谱范围可分为紫外、可见光、红外；按晶体结构分为单晶和多晶；按制作工艺分为薄膜烧结型和体结构分为单晶和多晶；按制作工艺分为薄膜烧结型和真空蒸发型。真空蒸发型。第71页，讲稿共91张，创作于星期一几种常用的光敏电阻几种常用的光敏电阻光光敏敏电电阻阻紫外紫外硫化镉硫化镉(Cd

44、S)和硒化镉和硒化镉(CdSe)可见可见硫化铊硫化铊(TiS)、硫化镉、硫化镉(CdS)和和硒化镉硒化镉(CdSe)红外红外硫化铅硫化铅(PbS)、碲化铅、碲化铅(PbTe)、锑化铟锑化铟(InSb)、碲汞镉（、碲汞镉（Hg1-xCdxTe）第72页，讲稿共91张，创作于星期一光敏电阻常用光电导材料第73页，讲稿共91张，创作于星期一一、CdS光敏电阻CdS光敏电阻是最常见的光敏电阻，它的光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率，它在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此，被广泛地应用于灯光的自动控制，照相机的自动测光等。CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52m，CdSe光敏电阻为0.72m，一般调整S

45、和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏电阻的峰值响应波长大致控制在0.520.72m范围内。CdS光敏电阻的光敏面常为蛇形光敏面结构。第74页，讲稿共91张，创作于星期一二二.PbS.PbS光敏电阻光敏电阻 PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。特别是特别是特别是特别是在在在在2 2mm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火

46、灾的探测等领域。灾的探测等领域。灾的探测等领域。灾的探测等领域。PbS光敏电阻的光谱响应和比探测率等特性与工作温度有关，随着工作温度的降低其峰值响应波长和长波长将向长波方向延伸，且比探测率D*增加。例如，室温下的PbS光敏电阻的光谱响应范围为13.5m，峰值波长为2.4m，峰值比探测率D*高达11011cmHzW-1。当温度降低到（195K）时，光谱响应范围为14m，峰值响应波长移到2.8m，峰值波长的比探测率D*也增高到21011cmHzW-1。第75页，讲稿共91张，创作于星期一三三.InSb.InSb光敏电阻光敏电阻InSb光敏电阻是35m光谱范围内的主要探测器件之一。InSb材料不仅适

47、用于制造单元探测器件，也适宜制造阵列红外探测器件。InSb光敏电阻在室温下的长波长可达7.5m，峰值波长在6m附近，比探测率D*约为11011cmHzW-1。当温度降低到77K（液氮）时，其长波长由7.5m缩短到5.5m，峰值波长也将移至5m，恰为大气的窗口范围，峰值比探测率D*升高到21011cmHzW-1。第76页，讲稿共91张，创作于星期一四.Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件是目前所有红外探测器中性能最优良最有前途的探测器件，尤其是对于48m大气窗口波段辐射的探测更为重要。Hg1-xCdxTe系列光电导体是由HgTe和CdTe两种材料的晶体混合

48、制造的，其中x标明Cd元素含量的组分。在制造混合晶体时选用不同Cd的组分x，可以得到不同的禁带宽度Eg，便可以制造出不同波长响应范围的Hg1-xCdxTe探测器件。一般组分x的变化范围为0.180.4，长波长的变化范围为130m。第77页，讲稿共91张，创作于星期一实例一InfrareddetectormodulewithpreampP4245第78页，讲稿共91张，创作于星期一实例二PbS photoconductive detector P9217-03 第79页，讲稿共91张，创作于星期一3.2.5小结小结第80页，讲稿共91张，创作于星期一a.光电导探测器具有内增益M特性，M与材料器件

49、性质和外加电场大小有关。b.当用于模拟量测量时，因光照指数与光照强弱有关，只有在弱光照弱光照下光电流与入射辐射通量成线性关系。c.用于光度量测试仪器时，必须对光谱特性曲线进行修正，保证其与人眼的光谱光视效率曲线符合。d.光敏电阻的光谱特性与温度有关，温度低时，灵敏范围和峰值波长都向长波方向移动，可采取冷却灵敏面的办法来提高光敏电阻在长波区的灵敏度。第81页，讲稿共91张，创作于星期一e.光敏电阻的温度特性很复杂，电阻温度系数有正有负，一般说，光敏电阻不适于在高温下使用，温度高时输出将明显减小，甚至无输出。f.光敏电阻频带宽度都比较窄，在室温下只有少数品种能超过1kHz，而且光电增益与带宽之积为

50、一常量，如要求带宽较宽，必须以牺牲灵敏度为代价。g.设计负载电阻时，应考虑到光敏电阻的额定功耗，负载电阻值不能很小。h.进行动态设计时，应意识到光敏电阻的前历效应。第82页，讲稿共91张，创作于星期一特点特点环氧树脂封装反应速度快体积小可靠性好光谱特性好 灵敏度高应用应用照相机自动测光光电控制室内光线控制光控音乐I.C.工业控制光控开关光控灯电子玩具第83页，讲稿共91张，创作于星期一怎样检查光敏电阻的好坏光敏电阻的好坏可用万用表测量。当没有光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在1M以上，当有较强光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在10k以下。一般光敏电阻的电阻值不受光照时是受光照射时的10