氧化铝陶瓷概述.pptx
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1、1 氧化铝瓷在电子技术领域中广泛氧化铝瓷在电子技术领域中广泛用作用作真空电容器陶瓷真空电容器陶瓷、微波管输能窗微波管输能窗的陶瓷组件的陶瓷组件、各种、各种陶瓷基板及半导体陶瓷基板及半导体集成电路陶瓷封装管壳集成电路陶瓷封装管壳等。它是电真等。它是电真空陶瓷的主要瓷种,也是生产陶瓷基空陶瓷的主要瓷种,也是生产陶瓷基板及多层布线封装管壳的一种基本陶板及多层布线封装管壳的一种基本陶瓷材料。瓷材料。第1页/共103页2氧化铝陶瓷基片氧化铝陶瓷基片电子陶瓷电子陶瓷电子陶瓷电子陶瓷第2页/共103页32.1 Al2.1 Al2 2O O3 3瓷的类型和性能瓷的类型和性能 根据根据AlAl2 2O O3 3
2、含量来确定瓷的牌号。含量来确定瓷的牌号。AlAl2 2O O3 3含含量量在在9999左左右右“9999瓷瓷”,含含量量在在9595和和9090左左右右的的依依次次称称为为“9595瓷瓷”和和“9090瓷瓷”等等。等等。AlAl2 2O O3 3含含量量在在8585以以上上的的陶陶瓷瓷通通常常称称高高铝铝瓷瓷,含含量量在在9999以以上上的的也也称称为为刚玉瓷或纯刚玉瓷刚玉瓷或纯刚玉瓷。第3页/共103页4 氧化铝陶瓷中,氧化铝陶瓷中,AlAl2 2O O3 3含量越含量越高,性能越好。高,性能越好。但但AlAl2 2O O3 3含量越高,工艺要求含量越高,工艺要求越高,如烧结温度过高越高,如
3、烧结温度过高(99(99瓷烧结瓷烧结温度温度1800)1800),能耗大,对窑炉的,能耗大,对窑炉的要求也很高。要求也很高。第4页/共103页5 高高铝铝瓷瓷的的烧烧结结温温度度较较高高,为为了了降降低低烧烧结结温温度度,降降低低成成本本,国国内内外外也也都都研研制制并并生生产产了了AlAl2 2O O3 3含含量量在在75758585之之间间的的AlAl2 2O O3 3陶陶瓷瓷。习习惯惯上上把把这这种种AlAl2 2O O3 3陶陶瓷瓷称称为为“7575瓷瓷”,广广泛泛用用作作金金属属膜膜电电阻阻和和线线绕绕可可变变电电阻阻基基体体,厚厚膜膜集集成成电电路路基基片片,集成电路扁平封装管壳等
4、。集成电路扁平封装管壳等。第5页/共103页6AlAl2 2O O3 3陶瓷的基本性能陶瓷的基本性能:介电常数一般在介电常数一般在8 81010,介质损,介质损耗小,导热系数,绝缘强度较高,耗小,导热系数,绝缘强度较高,特别是高铝瓷具有极高的机械强度,特别是高铝瓷具有极高的机械强度,其导热性能良好,绝缘强度高,电其导热性能良好,绝缘强度高,电阻率高,介质损耗低,电性能随温阻率高,介质损耗低,电性能随温度和频率的变化比较稳定。度和频率的变化比较稳定。第6页/共103页7 Al Al2 2O O3 3陶瓷的性能指标会因原陶瓷的性能指标会因原料,配方和生产工艺的条件不同,料,配方和生产工艺的条件不同
5、,在一定范围内变化。在一定范围内变化。目前我国大量生产的目前我国大量生产的AlAl2 2O O3 3陶陶瓷是瓷是9595瓷。瓷。7575瓷的生产也比较普瓷的生产也比较普遍。此外还生产遍。此外还生产9797瓷,瓷,9999瓷,主瓷,主要用作薄膜硅片或混合集成电路要用作薄膜硅片或混合集成电路薄膜基片。薄膜基片。第7页/共103页8 常常用用的的氧氧化化铝铝陶陶瓷瓷为为白白色色,但但也也有有一一些些特特殊殊要要求求,如如一一些些器器件件为为避避免免光光照照,应应做做成成黑黑色色,吸吸收收可可见见光光,可可加加入入一一些些金金属属氧氧化化物物作作为为着着色色剂剂,生生产黑色产黑色AlAl2 2O O3
6、 3陶瓷。陶瓷。有有些些氧氧化化铝铝陶陶瓷瓷由由于于加加入入一一些些着着色色氧氧化化物物,也也会会呈呈现现一一定定的的颜颜色色。这这些颜色却不是预期的。些颜色却不是预期的。第8页/共103页92.2 2.2 组成与性能间的关系组成与性能间的关系 瓷瓷料料组组成成与与性性能能间间的的关关系系是是我我们们设设计计或或拟拟订订瓷瓷料料配配方方的的基基本本依依据据。氧氧化化铝铝含含量量与与陶陶瓷瓷性性能能间间有有着着密密切切的的关关系系。而而且且其其他他添添加加剂剂对对AlAl2 2O O3 3瓷瓷料料性性能能也也都都会有不同程度的影响。会有不同程度的影响。第9页/共103页10 Al Al2 2O
7、O3 3瓷的烧结温度较高,瓷料瓷的烧结温度较高,瓷料(主主要是瓷料中的一些加入物要是瓷料中的一些加入物)的的高温挥发高温挥发性性能也常常对陶瓷材料的生产和性能能也常常对陶瓷材料的生产和性能显示一定的影响。显示一定的影响。黑色黑色AlAl2 2O O3 3瓷的着色剂通常都是一些瓷的着色剂通常都是一些高温挥发性较强的氧化物。高温挥发性较强的氧化物。第10页/共103页11一、瓷料高温下的挥发一、瓷料高温下的挥发 AlAl2 2O O3 3瓷烧成温度较高,瓷烧成温度较高,9999瓷烧瓷烧成温度成温度18001800,9595瓷也都在瓷也都在1650165017001700,因此,因此配料组分挥发性的
8、配料组分挥发性的高低直接关系到陶瓷材料的生产和高低直接关系到陶瓷材料的生产和利用。利用。第11页/共103页12(1)(1)主成分主成分AlAl2 2O O3 3高温下挥发性较弱。高温下挥发性较弱。(2)(2)在在9999瓷瓷中中用用作作抑抑制制晶晶粒粒生生长长,使使瓷瓷体体具具有有细细晶晶结结构构的的加加入入物物MgOMgO,有较高的高温挥发性。,有较高的高温挥发性。当当 MgOMgO结结 合合 成成 尖尖 晶晶 石石 时时 MgOMgO AlAl2 2O O3 3 ,挥挥发发速速度度有有所所降降低低。但但挥发速度仍较明显。挥发速度仍较明显。第12页/共103页13 (3)(3)在在9999
9、瓷瓷、9797瓷瓷以以及及某某些些9595瓷瓷的的生生产产中中有有时时与与MgOMgO同同时时引引入入的的LaLa2 20 03 3,Y Y2 20 03 3等稀土氧化物的高温挥发性较弱。等稀土氧化物的高温挥发性较弱。(4)Al(4)Al2 2O O3 3陶陶瓷瓷的的熔熔剂剂类类加加入入物物MgOMgO,CaOCaO,BaOBaO,Si0Si02 2,除除CaOCaO的的高高温温挥挥发发性性较较弱弱,其其他他几几个个氧氧化化物物的的挥挥发发性性都都较较强强。但但挥挥发发性性较较强强的的氧氧化化物物结结合合成成复复合合氧氧化化物物(3Al3Al2 2O O3 3 2 2Si0Si02 2)时时,
10、挥挥发发速速度和挥发性有不同程度的降低。度和挥发性有不同程度的降低。第13页/共103页14 (5)(5)熔熔 剂剂 类类 加加 入入 物物 的的 如如 CaFCaF2 2,B B2 2O O3 3等等高高温温挥挥发发性性很很强强,既既使使在在7575瓷瓷瓷瓷料料中中引引入入少少量量CaFCaF2 2,烧烧成成后后的瓷体也易出现针孔。的瓷体也易出现针孔。(6)6)在在AlAl2 2O O3 3黑黑瓷瓷生生产产中中用用作作着着色色剂剂的的FeOFeO,MnOMnO,CoOCoO,NiONiO,CrCr2 2O O3 3等等较较低低温温度度下下就就有有明明显显挥挥发发。黑黑色色AlAl2 2O O
11、3 3瓷瓷生生产产中中必必须须考考虑虑如如何何减减少着色剂的挥发。少着色剂的挥发。第14页/共103页15二、原料杂质对瓷料性能的影响二、原料杂质对瓷料性能的影响 1 1、NaNa2 2O O 工工业业氧氧化化铝铝通通常常是是用用碱碱式式法法生生产的,其中含有少量产的,其中含有少量NaNa2 2O O杂质。杂质。NaNa2 2O O杂杂质质的的存存在在,与与AlAl2 2O O3 3形形成成 AlAl2 2O O3 3化化合合物物,使使瓷瓷体体的的电电性性能能明明显显恶恶化化,电电阻阻率率降降低低,tgtg,NaNa2 2O O对装置瓷非常有害。对装置瓷非常有害。第15页/共103页16 Na
12、 Na2 2O O加入以后,生成加入以后,生成 AlAl2 2O O3 3,AlAl2 2O O3 3是一种多铝酸盐,其结构为是一种多铝酸盐,其结构为NaNa2 2O O11Al11Al2 2O O3 3,是由少数,是由少数AlAlO OAlAl键键把把“尖晶石基块尖晶石基块”连接起来的层状结构,连接起来的层状结构,AlAl2 2O O3 3中的中的NaNa离子就处于离子就处于“尖晶石基尖晶石基块块”之间由少数之间由少数 A1A1O OA1A1键支撑起键支撑起来的空旷的空间内。来的空旷的空间内。第16页/共103页17 在电场作用下,在电场作用下,NaNa离子在离子在“尖晶石尖晶石基块基块之间
13、的之间的(空旷地带空旷地带)沿电场方向沿电场方向自由移动,表现了自由移动,表现了 AlAl2 2O O3 3极显著的离极显著的离子电导特性。正因为如此,子电导特性。正因为如此,AlAl2 2O O3 3呈呈现出明显的电导损耗和离子松弛损耗。现出明显的电导损耗和离子松弛损耗。这样,这样,AlAl2 2O O3 3瓷中瓷中 AlAl2 2O O3 3的存在就导的存在就导致了介质损耗角正切值致了介质损耗角正切值tgtg 的显著提高。的显著提高。第17页/共103页18改善措施:改善措施:(1 1)加加入入粘粘土土(主主要要成成分分SiOSiO2 2),生成玻璃相让生成玻璃相让NaNa2 2O O进入
14、玻璃相。进入玻璃相。(2 2)加入粘土生成钠长石。)加入粘土生成钠长石。(3 3)煅煅烧烧。对对高高铝铝瓷瓷采采用用此此方方式式,可可使使 AlAl2 2O O3 3AlAl2 2O O3 3,在在煅煅烧烧时时加加入入一一定定量量的的硼硼酸酸与与NaNa2 2O O反反应应生生成成硼硼酸酸钠钠,是是易易挥挥发发物物质质,在在煅煅烧烧中中挥挥发发除去。除去。第18页/共103页19 表表4-64-6列出了列出了AlAl2 2O O3 3在在NaNa、SiSi杂质共杂质共存时,杂质含量对烧结瓷体介质损耗的存时,杂质含量对烧结瓷体介质损耗的影响。影响。第19页/共103页20 从表从表4 46 6可
15、以看出,虽然原料中可以看出,虽然原料中NaNa2 20 0杂质能显著影响杂质能显著影响AlAl2 20 03 3烧结瓷体的烧结瓷体的介质损耗,介质损耗,NaNa2 20 0含量的提高一般都要含量的提高一般都要伴随着伴随着tgtg 值的显著增大值的显著增大(1(1*3 3*AlAl2 20 03 3数据更为明显数据更为明显)。但是,工业氧化铝中经常存在少量但是,工业氧化铝中经常存在少量杂质杂质Si0Si02 2,原料中,原料中Si0Si02 2含量的提高能显含量的提高能显著削弱或消除著削弱或消除NaNa2 20 0杂质对瓷体介质损耗杂质对瓷体介质损耗提高的有害影响,提高的有害影响,3 3*5 5
16、*,AlAl2 20 03 3数据更数据更为明显。为明显。第20页/共103页212 2、CaOCaO 引引入入少少量量CaOCaO,形形成成六六铝铝酸酸钙钙(CaOCaO6AlAl2 2O O3 3),类类似似于于 AlAl2 2O O3 3结结构构,但但引引入入CaOCaO后后,并并不不使使瓷瓷料料的的介介电电性性能能恶恶化化,反反而而使使瓷体的瓷体的tgtg 有所下降。有所下降。第21页/共103页22 CaO CaO6Al6Al2 2O O3 3与与NaNa2 2O O11Al11Al2 2O O3 3属于同类型结构,也是属于同类型结构,也是 AlAl2 2O O3 3结构。有时结构。
17、有时CaOCaO6Al6Al2 2O O3 3称称CaCa AlAl2 2O O3 3,而,而NaNa2 2O O11Al11Al2 2O O3 3称,称,NaNa AlAl2 2O O3 3。两者结构的主要不同仅在于两者结构的主要不同仅在于NaNa AlAl2 2O O3 3中中“尖晶石基尖晶石基块块块块”之间的之间的NaNa+,被数量大,被数量大致少一半的致少一半的CaCa2+2+取代。但是取代。但是CaOCaO引入引入AlAl2 2O O3 3瓷料并不使烧结瓷体的介电性能恶化,少量瓷料并不使烧结瓷体的介电性能恶化,少量CaOCaO的引入反而使瓷体的的引入反而使瓷体的tgtg 值有所降低值
18、有所降低(参阅表参阅表4 47 7数据数据)。第22页/共103页23 Ca Ca AlAl2 2O O3 3和和NaNa AlAl2 2O O3 3对对AlAl2 2O O3 3瓷体介电性能的影响截然不同,是由于瓷体介电性能的影响截然不同,是由于CaCa2+2+是二价离子,价键较强,处于是二价离子,价键较强,处于“尖尖晶石基块晶石基块”之间的之间的CaCa2+2+把把“尖晶石基块尖晶石基块”拉紧,使拉紧,使CaCa2+2+比较牢固地压在比较牢固地压在“尖晶尖晶石基块石基块”之间,之间,CaCa2+2+失去了可动性,失去了可动性,至少在低温时是如此。至少在低温时是如此。第23页/共103页24
19、3 3、SiOSiO2 2 原料中原料中SiOSiO2 2含量的提高能够含量的提高能够非常显著地消弱或消除非常显著地消弱或消除NaNa2 2O O杂质杂质对瓷体介质损耗提高的有害影响。对瓷体介质损耗提高的有害影响。第24页/共103页25 AlAl2 2O O3 3煅煅 烧烧 AlAl2 2O O3 3,伴伴 有有14%14%左左 右右 的的 体体 积积 收收 缩缩,因因 此此,以以 AlAl2 2O O3 3为为主主的的工工业业氧氧化化铝铝,配配料料前前必必须须经经过过预预烧烧,同同时时加加入入1 13wt%3wt%的的硼硼酸酸,可可使使NaNa2 2O O生生成成硼硼酸酸钠钠挥挥发发掉掉,
20、还还可可促促进进 AlAl2 2O O3 3向向 AlAl2 2O O3 3并并使使晶晶相相转转化化趋趋于于完全。完全。生生产产含含量量在在99.5%99.5%以以上上的的高高纯纯氧氧化化铝铝或或透透明明纯纯氧氧化化铝铝陶陶瓷瓷时时,一一般般不不用用工工业铝氧,要求原料纯度达到业铝氧,要求原料纯度达到99.9%99.9%。第25页/共103页26三、高铝瓷组成和性能三、高铝瓷组成和性能 9999瓷和瓷和9797瓷主要用作薄膜集瓷主要用作薄膜集成电路基片。要求基底平整光成电路基片。要求基底平整光滑。为了保证基片经仔细抛光滑。为了保证基片经仔细抛光后具有极高的表面光洁度,基后具有极高的表面光洁度,
21、基片本身必须充分致密,而且应片本身必须充分致密,而且应保证晶粒细小,晶界结合性能保证晶粒细小,晶界结合性能良好。良好。第26页/共103页27 少量少量MgOMgO对抑制对抑制AlAl2 2O O3 3晶粒生长,保晶粒生长,保证证AlAl2 2O O3 3陶瓷具有等粒微晶结构有明显效陶瓷具有等粒微晶结构有明显效果,但果,但MgOMgO的高温挥发性较大,使瓷体的高温挥发性较大,使瓷体表层中晶粒长大。多采用表层中晶粒长大。多采用MgOMgO和和LaLa2 20 03 3或或MgOMgO和和Y Y2 20 03 3等复合加入物,效果明显,等复合加入物,效果明显,LaLa2 20 03 3和和Y Y2
22、 20 03 3高温下不易挥发。高温下不易挥发。LaLa2 20 03 3和和Y Y2 20 03 3的加入,还可降低烧结温度。使晶的加入,还可降低烧结温度。使晶界结合性能良好,瓷体致密度提高。界结合性能良好,瓷体致密度提高。第27页/共103页281 1、瓷料的矿物组成及其性能、瓷料的矿物组成及其性能 含含AlAl2 2O O3 3 909095%95%的的白白色色氧氧化化铝铝瓷瓷料料一一般般都都为为AlAl2 2O O3 3SiOSiO2 2Mg0Mg0CaOCaO四四元元系系瓷瓷料料(包包括括CaO-CaO-AlAl2 2O O3 3SiOSiO2 2系系 和和 Mg0-Mg0-AlAl
23、2 2O O3 3-SiO-SiO2 2系系瓷瓷料料)。用用相相图图可可计计算算AlAl2 2O O3 3瓷瓷料料烧烧成成后后的的平平衡衡矿矿物物组成。组成。第28页/共103页29 图图4 41111是高是高AlAl2 2O O3 3含量部分的含量部分的Ca0-AlCa0-Al2 2O O3 3-Si0-Si02 2系系相图。从该图可相图。从该图可知,与刚玉知,与刚玉(-AlAl2 2O O3 3)处于平衡处于平衡的矿物有三个:的矿物有三个:莫来石莫来石A A3 3S S2 2)、钙、钙长石长石CASCAS2 2和六铝和六铝酸钙酸钙CACA6 6。第29页/共103页30 该系统中的该系统中
24、的AlAl2 2O O3 3陶瓷的组成点可陶瓷的组成点可以处于三角形以处于三角形CACA6 6CASCAS2 2AlAl2 2O O3 3 内,内,也可以处于三角形也可以处于三角形A A3 3S S2 2CASCAS2 2AlAl2 2O O3 3内,内,这取决于瓷料组成的这取决于瓷料组成的Si0Si02 2CaOCaO比值。比值。如果瓷料的如果瓷料的Si0Si02 2CaO(CaO(分子比分子比)2)2,即,即SiOSiO2 2CaO(CaO(质量比质量比)2.16)2)2即即Si0Si02 2CaO(CaO(质量比质量比)2.16)2.16,组成点显然处于三角形组成点显然处于三角形A A3
25、 3S S2 2CASCAS2 2AlAl2 2O O3 3内。这时瓷料的平衡内。这时瓷料的平衡矿物由刚玉、莫来石和钙长石组成。矿物由刚玉、莫来石和钙长石组成。第31页/共103页32 图图图图4 4 4 412121212是是是是MgOMgOMgOMgOAlAlAlAl2 2 2 2O O O O3 3 3 3Si0Si0Si0Si02 2 2 2系相图的系相图的系相图的系相图的高高高高Si0Si0Si0Si02 2 2 2含量部分。该系统中与刚玉处于平含量部分。该系统中与刚玉处于平含量部分。该系统中与刚玉处于平含量部分。该系统中与刚玉处于平衡的矿物只有两个:莫来石和尖晶石衡的矿物只有两个:
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