晶体生长理论部分精选文档.ppt
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1、晶体生长理论部分本讲稿第一页,共三十四页注解:关于层生长理论注解:关于层生长理论q溶液中质点堆积到晶芽的不同位置上时,所受引力大小不同,溶液中质点堆积到晶芽的不同位置上时,所受引力大小不同,质点将优先堆积到引力最强的位置上,以便释放出可能多质点将优先堆积到引力最强的位置上,以便释放出可能多的能量,而使晶体的内能达到最小的能量,而使晶体的内能达到最小;q 晶体生长过程中,在晶体上可能存在晶体生长过程中,在晶体上可能存在三面凹入角,两面凹三面凹入角,两面凹入角入角,一般位置一般位置.由于引力与质点数量成正比、与距离的平方成反比,由于引力与质点数量成正比、与距离的平方成反比,质质点向晶芽上堆积时,将
2、优先落在三面凹入角,其次是两面凹点向晶芽上堆积时,将优先落在三面凹入角,其次是两面凹入角,最后是一般位置入角,最后是一般位置。本讲稿第二页,共三十四页 q理想晶体的生长过程理想晶体的生长过程 在晶芽的基础上,在晶芽的基础上,落入质点根据引力大小落在相应位置,长完落入质点根据引力大小落在相应位置,长完一条行列再长相邻的行列,长满一层面网再长相邻的面网,整个面一条行列再长相邻的行列,长满一层面网再长相邻的面网,整个面网成层向外平移。网成层向外平移。q当晶体停止生长时,其当晶体停止生长时,其最外层的面网就是实际晶面最外层的面网就是实际晶面。每两个相邻面网相交的公共行列就是实际晶棱。每两个相邻面网相交
3、的公共行列就是实际晶棱。q整个晶体被晶面包围,形成整个晶体被晶面包围,形成占有一定空间的封闭几何多面体占有一定空间的封闭几何多面体形态形态,表现出晶体的,表现出晶体的自限性。自限性。本讲稿第三页,共三十四页q层生长理论的缺陷层生长理论的缺陷 把晶体的生长过程把晶体的生长过程简单化简单化,所描述的晶体生长,所描述的晶体生长过程只有在过程只有在理想情况下理想情况下才能出现。才能出现。本讲稿第四页,共三十四页三、布拉维法则三、布拉维法则 1)1)布拉维法则内容布拉维法则内容 在在18551855年,年,法国结晶学家布拉维法国结晶学家布拉维(A(ABravis)Bravis)从晶体具有空从晶体具有空间
4、格子构造的几何概念出发,论述了间格子构造的几何概念出发,论述了实际晶面与空间格子构实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系(造中面网之间的关系(布拉维法则):布拉维法则):即实际晶体的晶面常常平行面网中结点密度最大的面网。即实际晶体的晶面常常平行面网中结点密度最大的面网。2 2)关于布拉维法则的几点说明)关于布拉维法则的几点说明q晶体生长时,晶体生长时,面网上的结点密度与该面网在垂直方向的生长面网上的结点密度与该面网在垂直方向的生长速度成反比速度成反比。本讲稿第五页,共三十四页q面网密度小的晶面(面网密度小的晶面(BCBC)在生长过程中生长速度快,最后被)在生长过程中生长速度快,最后被面网密度大
5、的、生长速度慢的相邻晶面(面网密度大的、生长速度慢的相邻晶面(ABCD)ABCD)所遮盖;所遮盖;q晶体上最终保留下来的晶面都是一些面网密度大的晶面晶体上最终保留下来的晶面都是一些面网密度大的晶面-布拉维法则的实质布拉维法则的实质。q理论的不足理论的不足:该法则比较粗略,:该法则比较粗略,忽视了晶体生长环境对忽视了晶体生长环境对晶面生长速度的影响。晶面生长速度的影响。本讲稿第六页,共三十四页四、面角守恒定律四、面角守恒定律 在晶体生长过程中由于受到外部条件的影响,在晶体生长过程中由于受到外部条件的影响,同种晶面发同种晶面发育的形状和大小不同,从而形成偏离理想晶体状态的的歪晶育的形状和大小不同,
6、从而形成偏离理想晶体状态的的歪晶,因此因此在很长的历史年代,人们没能掌握晶体形态的规律。在很长的历史年代,人们没能掌握晶体形态的规律。在在16691669年,年,丹麦学者斯丹诺丹麦学者斯丹诺(N.Steno)N.Steno)在对石英和赤铁矿在对石英和赤铁矿的研究发现(的研究发现(面角守恒定律面角守恒定律):即同种物质的所有晶体,对应晶面间的角度守恒即同种物质的所有晶体,对应晶面间的角度守恒。小知识:小知识:1780年,法国学者年,法国学者克兰乔发明了接触测角仪克兰乔发明了接触测角仪。其老师。其老师法国学者罗美德利尔法国学者罗美德利尔(Rom De LIsle)利用这种测角仪进行了)利用这种测角
7、仪进行了20多年的晶体测角工作,测量了多年的晶体测角工作,测量了500多种矿物晶体多种矿物晶体的形状,肯定了面角守恒定律的普遍意义。的形状,肯定了面角守恒定律的普遍意义。本讲稿第七页,共三十四页五、晶体定向和晶面符号五、晶体定向和晶面符号一)晶体定向一)晶体定向 晶体定向晶体定向在矿物鉴定、矿物形态、内部构造和物理性质的在矿物鉴定、矿物形态、内部构造和物理性质的研究工作研究工作中具有重要的意义。中具有重要的意义。晶体定向:在晶体上建立一个三维空间坐标系统,在晶体上选晶体定向:在晶体上建立一个三维空间坐标系统,在晶体上选择坐标轴和确定每个轴上的度量单位。择坐标轴和确定每个轴上的度量单位。本讲稿第
8、八页,共三十四页1 1、晶体定向的相关概念、晶体定向的相关概念1 1)晶轴及轴单位)晶轴及轴单位q晶轴晶轴为给晶体定向,在晶体上所建立的坐标轴称为为给晶体定向,在晶体上所建立的坐标轴称为晶轴晶轴。晶轴是晶轴是设想设想的贯穿晶体中心的直线,的贯穿晶体中心的直线,利用它们可以确定晶体利用它们可以确定晶体中各晶面、晶棱和单形的方位。中各晶面、晶棱和单形的方位。q轴单位轴单位各晶轴上的度量单位称为各晶轴上的度量单位称为轴单位轴单位(常用(常用a b ca b c表示表示)。本讲稿第九页,共三十四页2 2)晶体定向晶轴数目的确定)晶体定向晶轴数目的确定 取决于晶系的类型(对称特点)取决于晶系的类型(对称
9、特点)三方晶系及六方晶系为三方晶系及六方晶系为4 4个晶轴个晶轴(分别用(分别用X X、Y Y、U U、Z Z轴表示轴表示),其它晶系为其它晶系为3 3个晶轴个晶轴(用用X X、Y Y、Z Z 轴表示轴表示)。q三轴定向时,晶轴的表示方法三轴定向时,晶轴的表示方法 前后轴为前后轴为x x轴,左右轴为轴,左右轴为y y轴,直立轴为轴,直立轴为z z轴轴,各轴的交点各轴的交点为晶体的中心。为晶体的中心。正负规定:正负规定:各晶轴由中心向前、向右及向上的方向各晶轴由中心向前、向右及向上的方向为正,反之为负。为正,反之为负。本讲稿第十页,共三十四页在四晶轴定向中在四晶轴定向中=y轴轴 z轴轴=z轴轴
10、x轴轴=轴轴 z轴轴=90=x轴轴 y轴轴=y轴轴 轴轴=轴轴 x轴轴=120 3 3)轴角)轴角 各晶轴之间有一定的夹角关系,结晶学中各晶轴之间有一定的夹角关系,结晶学中规定两个晶轴正规定两个晶轴正端的夹角称为轴角端的夹角称为轴角,分别用分别用、表示。表示。在三晶轴定向中在三晶轴定向中 =yz=yz轴轴 =z=z轴轴 x x轴,轴,=x=x轴轴 y y轴轴本讲稿第十一页,共三十四页2 2、晶轴的选择原则、晶轴的选择原则v晶体中晶轴选择与其内部晶胞划分一致,晶体中晶轴选择与其内部晶胞划分一致,晶体中三根晶轴晶体中三根晶轴的方向应平行于晶胞三根棱的方向,轴单位等于晶胞的三的方向应平行于晶胞三根棱
11、的方向,轴单位等于晶胞的三根棱长,根棱长,即晶体行列结点间距即晶体行列结点间距a a0 0、b b0 0、c c0 0。v晶轴选择时,晶轴选择时,首先选择对称轴为晶轴,当对称轴数量不足或无首先选择对称轴为晶轴,当对称轴数量不足或无对称轴时,则选对称面法线方向为晶轴对称轴时,则选对称面法线方向为晶轴。v如果对称轴和对称面的法线不足或无对称轴时,如果对称轴和对称面的法线不足或无对称轴时,则选择较则选择较发育的晶棱方向为晶轴。发育的晶棱方向为晶轴。v选出的晶轴位置选出的晶轴位置应相互垂直或尽可能互相垂直。应相互垂直或尽可能互相垂直。本讲稿第十二页,共三十四页3 3、晶体常数(、晶体常数(轴率和轴角轴
12、率和轴角)晶胞常数中的晶胞常数中的a a0 0、b b0 0、c c0 0都是用都是用x x射线测定的实际长度值,射线测定的实际长度值,由于晶体定向的目的主要是由于晶体定向的目的主要是确定晶面的方向,而不在于确定其确定晶面的方向,而不在于确定其具体位置具体位置,因此只要知道三个轴单位的比值就可以了。因此只要知道三个轴单位的比值就可以了。q轴率:轴率:定义轴单位定义轴单位a a0 0、b b0 0、c c0 0的连比值的连比值a:b:ca:b:c为为轴率轴率。q晶体常数:晶体常数:定义定义轴率轴率a:b:ca:b:c及轴角及轴角总称为晶体常数总称为晶体常数,它,它表示坐标系特征的一组常数。表示坐
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