X射线荧光光谱分析技术精讲教案.pptx
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1、会计学1X射线荧光光谱分析技术精讲射线荧光光谱分析技术精讲一、基础理论一、基础理论n nX射线的产生n n连续谱线连续谱线n n特征谱线特征谱线n nX射线的性质n n吸收吸收n n散射散射n n衍射衍射第1页/共99页电磁辐射电磁辐射10=1nm=10-6mm=10-9m XRF analysis covers the following energy-respective wavelength range:E=0.11 -60 keV l=11.3 -0.02 nmor元素范围从铍(Be)到铀(U)第2页/共99页单位第3页/共99页X射线的产生射线的产生 电子跃迁(特征谱线辐射)电子减速
2、(韧致辐射,or 连续谱)电子改变方向(同步加速器)电子能量的减少产生X射线第4页/共99页X射线的产生:连续谱线(韧致辐射)Emitted X-ray quantFast inboundelectronnucleusAtom of the anode material Electron shellsOutbound electron(decelerated and diverted)第5页/共99页K-Quant L-Quant K-Quant KLMcharacteristic radiation photoelectric interactionEK =EK-ELEK =EK-EMEL
3、=EL-EMEM=EM-ENHigh Energy PhotonX射线的产生:特征谱线(光电效应)第6页/共99页X射线的产生射线的产生:特征谱线(光电特征谱线(光电效应)效应)内层电子被激发原子不稳定(激发态)外层电子跃迁到内层空位跃迁过程产生能量差能量差以X射线的形式释放能量差以俄歇电子的形式释放X射线荧光光谱仪俄歇谱仪特征谱线:每一个轨道上的电子的能量是一定的,因此电子跃迁产生的能量差也是一定的,释放的X射线的能量也是一定的。这个特定的能量与元素有关,即每个元素都有其特征谱线第7页/共99页会产生特征谱线的元素会产生特征谱线的元素第8页/共99页荧光产额荧光产额wk(B)10-4wk(F
4、e)0.3wk(Te)0.86Concurrent process:Emission ofAuger-Electrons第9页/共99页特征谱线特征谱线Bohrs atom modellNiels Bohr波尔第10页/共99页特征谱线特征谱线K seriesL seriesElectron transitions谱线的命名规则1、元素符号2、K,L,M 3、,如:Fe K 1第11页/共99页特征谱线特征谱线n n谱线的相对强度谱线谱线相对强度相对强度谱线谱线相对强度相对强度K 1100L 1100K 250L 175K 1,2150L 230K 20L 35第12页/共99页X射线的性质射
5、线的性质作为一种电磁波,具有波粒作为一种电磁波,具有波粒二相性的特点:二相性的特点:n n光电效应光电效应n n吸收吸收n n散射散射:相干散射相干散射 不相干散射不相干散射n n衍射衍射l=l0r,I0(l0)I(l)All these effects occur at the same time!l l0第13页/共99页二、仪器结构:二、仪器结构:原理图原理图原理图原理图 第14页/共99页X射线光管:射线光管:发射发射X射线的原理射线的原理高压(Kv)热电子阳极靶第15页/共99页X射线光管射线光管:端窗光管示意图端窗光管示意图positive high voltageon the a
6、nodeX-ray beamthin Beryllium window 75m or 125mElectron beamWaterinlet for cooling the anodeTube head coolingringshaped cathode第16页/共99页X射线光管发射的原级谱线射线光管发射的原级谱线第17页/共99页Characteristic Rh-lines(using a Rh End-window X-ray tube)第18页/共99页X射线的发生:改变电压和电流对原级谱线的影响(如何选择电压、电流参数)Change in kV:Changing of mA wil
7、l change only the intensityOptimum settings are predefined in SPECTRAplus!第19页/共99页X射线的发生:改变电压和电流对原级谱线的影响(如何选择电压、电流参数)电流的影响第20页/共99页X射线的发生:改变电压和电流对原级谱线的影响(如何选择电压、电流参数)电压的影响第21页/共99页选择电压、电流的依据选择电压、电流的依据n n重元素选择大电压、小电流重元素选择大电压、小电流n n轻元素选择小电压、大电流轻元素选择小电压、大电流第22页/共99页sample-soller slit-analyser crystal-
8、detectorX射线的特性:散射瑞利散射 (elastic)康普顿散射(inelastic)仪器结构:初级滤光片作用:抑制光管原级谱线散射线的影响第23页/共99页X射线的特性:散射IntensitykcpsGraphite LiF 1002 Theta15,617,5KA-ComptonKB-ComptonRh KB1Rh KA1Rayleigh-scatteringCompton第24页/共99页X射线的特性:散射产生背景的原因40802 ThetaCu KA1Fe KA1Fe KB1Ni KA1Cr KA1LiF(200)Bremsspectra of a Rh tube Backgr
9、ound radiation第25页/共99页仪器结构:初级滤光片作用二、降低背景Background reduction for samples with light matrice第26页/共99页仪器结构:准直器(Sollers 狭缝)0.23o HR0.46o HS1、2 的准直器是专门应用于超轻元素的分析 Collimators influence Intensity and ResolutionSpecial collimator crystal combinations for very light element analysis第27页/共99页X射线的衍射特性 二束或多束射
10、线相互作用,如果射线间的光程差为波长的整数倍,射线将增强,但射线的波长不变,如果射线的相位反相,射线将减弱。Node-amplificationAntinode-cancelling第28页/共99页探测器SCSCn将经过分光的X射线光子转换为电信号n电信号的大小正比于X射线光子的能量第29页/共99页探测器之一:流气计数器或封闭计数器HV:+1400 V -2000 VPreampliefiercounterwireAr+10%CH4X-raysMo 17,5 keV 500 e-I+B 0,18 keV 6 e-I+e-e-e-I+I+I+MoBPulshightrarcr Vcm tor
11、rEp第30页/共99页流气计数器或封闭计数器HV:+1400 V -2000 VAr+10%CH4e-e-e-e-e-e-e-I+I+I+I+I+I+I+CH4:quench gas(electropositive!)Toxic for the FC:elektonegative gasses,e.g.O,H2Oe-+O2 O2-第31页/共99页探测器:封闭计数器Pro4 计数器窗口厚度的影响 第32页/共99页探测器之二:闪烁计数器NaJ-crystalPhoto cathodeHigh voltageX-ray quant Photo multiplierPuls hight Volt
12、 Energy keVFe KA1第33页/共99页HV:+1400 V -2000 V探测器:脉冲高度分布-Pulse Height Analysis(PHA)Ar+10%CH4ArAr KA1:2,956 keVKA1S KA12,3 keV Puls hight Volts Puls hight VoltsEnergy keVEnergy keVEscape3,4 keV100%100%I kcpsPuls hightPuls Hight Analysis PHAFe KA16,4 keV第34页/共99页探测器:脉冲高度分布-Pulse Height Analysis(PHA)Dete
13、ctorFC:PASC:PM Sinus-Amplfier DiscriminatorPHAElectronic Counter 2QGoniometerHVFC第35页/共99页脉冲高度分布脉冲高度分布-Pulse Height Analysis(PHA)n n高次线n n逃逸峰(escape peak)n n堆积(pile-up)n n晶体荧光n n电子噪音第36页/共99页脉冲高度分布:高次线 同一个角度可以出现波长成倍数关系的谱线第37页/共99页脉冲高度分布:逃逸峰脉冲高度分布:逃逸峰E Mn-KA=5.9 keVE Ar-KA=2.96 keVE Escape Mn-KA=(5.9
14、-2.96)keV=2.94 keVMn-KA Escape Peak in Stainless Steel电子噪音第38页/共99页脉冲高度分布:晶体荧光脉冲高度分布:晶体荧光P-KA in Limestone with Ge crystalE P-KA =2.0 keVE Ge-LA=1.2 keV第39页/共99页脉冲高度分布高计数率带来的问题:堆积、脉冲高度漂移Ikcps LiF(200)Fe KA1 FCescapeIntensity:i in n负吸收:负吸收:j ji i 反映出来为增强反映出来为增强FeOFeMgFeMnFeCrFeTiFe的浓度Fe的相对强度第72页/共99页
15、吸收增强效应吸收增强效应:n n吸收系数的变化n n在在FeFe的二元体系中,假设入射的二元体系中,假设入射X X射线的波长为射线的波长为1.6461.646,入射角和出射角均为,入射角和出射角均为4545,Fe kFe k 的波长为的波长为1.9371.937。n n吸收系数的变化(吸收系数的变化(i i=Fe)=Fe)n nj j=O =O j j=36.0=36.0n nj j=Mg =Mg j j=126.3=126.3n nj j=Mn =Mn j j=385.4=385.4n nj j=Ti =Ti j j=610.9=610.9n nj j=Cr =Cr j j=753.7=75
16、3.7n nj j=Fe =Fe j j=424.6=424.6第73页/共99页吸收增强效应吸收增强效应:克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法n n忽略基体效应n n基体匹配法基体匹配法n n使用与未知样基体组成相似的标准样品,常常在较使用与未知样基体组成相似的标准样品,常常在较窄的浓度范围内或低浓度时与浓度成线性(或二次窄的浓度范围内或低浓度时与浓度成线性(或二次曲线)曲线)n n薄试样法薄试样法n n当试样的厚度仅为几百或几千埃时,其基体效应可当试样的厚度仅为几百或几千埃时,其基体效应可以忽略以忽略第74页/共99页吸收增强效应
17、吸收增强效应:克服或校正基体效应的方法:克服或校正基体效应的方法:克服或校正基体效应的方法:克服或校正基体效应的方法:忽略基体效应忽略基体效应忽略基体效应忽略基体效应 Fe:050%Fe:050%第75页/共99页吸收增强效应吸收增强效应:克服或校正基体效应的方法:克服或校正基体效应的方法:克服或校正基体效应的方法:克服或校正基体效应的方法:忽略基体效应忽略基体效应忽略基体效应忽略基体效应 Fe:03%Fe:03%第76页/共99页吸收增强效应吸收增强效应:克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法减小基体效应n n使用稀释剂将样品进行高倍
18、稀释和(或)添加使用稀释剂将样品进行高倍稀释和(或)添加重吸收剂,使经处理后的基体处于较为稳定的重吸收剂,使经处理后的基体处于较为稳定的状态状态n n缺点缺点n n强度减弱强度减弱n n对于压片制样,可能会不均匀对于压片制样,可能会不均匀n n加入吸收剂,可能会对待测元素有影响加入吸收剂,可能会对待测元素有影响第77页/共99页吸收增强效应吸收增强效应:克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法克服或校正基体效应的方法n n补偿基体效应n n内标法内标法n n在试样内加入已知量的内标元素,该内标元素的在试样内加入已知量的内标元素,该内标元素的X X射线荧光特性应与
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